Preparation of Heat-proof Thin Film Capacitor by Using Ta_2N Anodized Film
Ta_2N阳极氧化膜制备耐热薄膜电容器
基本信息
- 批准号:06555087
- 负责人:
- 金额:$ 3.84万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research (B)
- 财政年份:1994
- 资助国家:日本
- 起止时间:1994 至 1995
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
Thin film capacitors with high heat-proof properties can be successfully made by using an anodized layr of Ta_2N compound film. In order to reduce the oxide thickness, Ta_2N anodized capacitors are prepared at low anodization voltage, and effects of heat-treatment on tan delta, TCC and leakage current are studied. It is found that Ta_2N anodized capacitor prepared at a anodization voltage of 80V show little degradation even after heat-treatment of 400゚C.To investigate the reason of heat-proof property of Ta_2N anodized capacitor, Auger depth analysis was carried out. It is found that oxygen diffusion from oxide layr to base-metal is suppressed below 400゚C,because of the thermal stability of Ta_2N.The degradation of electrical properties observed above 450゚C is consistent with that at interfaces of oxide/base-metal and Al-electrode/oxide. Further reduction of oxide thickness was also carried out. It is found that Ta_2N capacitor anodized at 30V is superior in heat-proof property to Ta one anodized at 160V and the capacitance value for the former is more than three times for the latter.
采用阳极化的Ta_2N复合薄膜层可以成功制备出具有高耐热性能的薄膜电容器。为了减小氧化层厚度,在低阳极化电压下制备了Ta_2N阳极化电容器,研究了热处理对钽δ、TCC和漏电流的影响。结果表明,在阳极氧化电压为80V时制备的Ta_2N阳极化电容器,即使在400℃的温度下热处理,也没有明显的劣化现象。为探讨Ta_2N阳极化电容器耐热性能的原因,进行了俄歇深度分析。在400℃以下,Ta_2N的热稳定性抑制了氧从氧化层向母材的扩散。在450°C以上观察到的电性能下降与氧化物/贱金属和铝电极/氧化物界面处的情况一致。进一步降低了氧化物的厚度。结果表明,30V阳极氧化的Ta_2N电容器的耐热性能优于160V阳极氧化的Ta_2N电容器,其电容值是160V阳极氧化的Ta_2N电容器的3倍以上。
项目成果
期刊论文数量(11)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
佐々木克孝等: "低化成電圧で作製したTa_2N陽極酸化膜キャパシタの耐熱特性" 電子情報通信学会論文誌(C-II). J78-C-II(掲載予定). (1995)
Katsutaka Sasaki 等人:“低化成电压下制造的 Ta_2N 阳极氧化膜电容器的耐热特性”,电子信息与通信工程师学会会刊(C-II)(待出版)。 (1995)
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
M.Yamane et al.: "A study on the Thermal Stability of Ta_2N Anodized Thin Film Capacitors prepared at Low Anodization Voltage" Technical Report, IEICE Japan. CPM94-71. 1-5 (1994)
M.Yamane 等人:“低阳极氧化电压下制备的 Ta_2N 阳极氧化薄膜电容器的热稳定性研究”技术报告,IEICE 日本。
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
山根美佐雄: "Ta_2N陽極酸化膜キャパシタの耐熱要因と薄膜化の検討" 電子情報通信学会論文誌(C-II). J79-C-II(掲載予定). (1996)
Misao Yamane:“Ta_2N阳极氧化膜电容器的耐热因素和薄化研究”电子信息通信工程师学会会刊(C-II)(待出版)。
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
山根美佐雄: "Ta_2N陽極酸化膜シャパシタの耐熱要因と薄膜化の検討" 電子情報通信学会論文誌(C-II). J79-CII(掲載予定). (1996)
Misao Yamane:“Ta_2N阳极氧化膜电容器的耐热因素和薄化的研究”电子信息通信工程师学会学报(C-II)(待出版)。
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
M.Yamane et al.: "Heat-proof Properties and Oxide Thickness of Ta_2N Anodized Thin Film Capacitor" Technical Report, IEICE Japan. CPM95-60. 1-6 (1995)
M.Yamane 等人:“Ta_2N 阳极氧化薄膜电容器的耐热性能和氧化物厚度”技术报告,IEICE 日本。
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- 资助金额:
$ 3.84万 - 项目类别:
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$ 3.84万 - 项目类别:
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