权益分类	功能权益	普通用户	{{item.name}}会员
{{category.name}}	{{benefitItem.name}}

導電性Langmuir-Blodgett膜による超格子構造の確立

利用导电 Langmuir-Blodgett 薄膜建立超晶格结构

基本信息

批准号：
06750931
负责人：
陸川政弘
金额：
$ 0.58万
依托单位：
Sophia University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份：
1994
资助国家：
日本
起止时间：
1994 至 1995
项目状态：
已结题

项目摘要

本研究では、数十Aオーダーの導電性高分子超薄膜をLangmuir-Blodgett法により作製し、これと禁止帯の大きさが異なる他の導電性高分子超薄膜を交互積層することにより、高分子材料による超格子構造の確立について検討し、次の結果を得た。1.導電性高分子の分子設計(1)Langmuir-Blodgett法で成膜可能な可溶性導電性高分子として、ポリ(3-アルキルチオフェン)を立体規則性重合により合成し、ほぼ100%頭尾結合を有するポリマーが得られた。2.導電性Langmuir-Blodgett膜の作製と膜構造解析(1)立体規則性重合により得られたポリ(3-アルキルチオフェン)は、単独でも、ステアリン酸等の長鎖脂肪族酸との混合でもLB膜化が可能であった。(3)立体規則性重合によって得られたポリ(3-ヘキシルチオフェン)のLB膜のバンドギャップは、約2.26eVであり、通常の方法で合成したポリ(3-ヘキシルチオフェン)のLB膜より約0.22eV低い値を示した。3.導電性Langmuir-Blodgett膜の電気特性(1)得られたLB膜は、NOPF_6、I_2、SbCl_5等によりド-ピング可能であり、最高で100S/cmの値を示した。4.超格子構造の作製(1)上記方法によって得られたポリチオフェンLB膜と、気水界面重合法により得られたポリピロール超薄膜とを交互に積層することで、異種導電性高分子による超格子構造が確立された。(2)ピロールモノマー、ポリ(3-ヘキシルチオフェン)、3-オクタデカノイルピロールの混合溶液を塩化鉄を含む水層上に展開することで、ポリチオフェンとポリピロールによる2層構造膜が形成され、その気水界面膜を積層することにより超格子構造を有する薄膜が得られた。現在、得られた膜を用いて量子効果の確認と素子化の検討を行っている。

In this study, we investigated the preparation of conductive polymer ultra-thin films by Langmuir-Blodgett method, and the establishment of superlattice structure in polymer materials. 1. Molecular Design of Conductive Polymers (1)Langmuir-Blodgett Method: Film Formation of Soluble Conductive Polymers: Synthesis of 100% Head-to-Head Bonding 2. Preparation of conductive Langmuir-Blodgett films and analysis of film structure (1) Stereoregular coincidence of long-chain aliphatic acids such as 3-alky-1-alky-1-alky (3)The LB films synthesized by stereoregular coincidence are about 2.26 eV, and the LB films synthesized by conventional methods are about 0.22 eV. 3. The electrical properties of conductive Langmuir-Blodgett films (1) were obtained. The highest values of 100S/cm were obtained for LB films, NOPF_6, I_2, SbCl_5, etc. 4. Superlattice structure fabrication (1) The method described above is used to obtain the superlattice structure for heteroconductive polymers by LB film and water interface recombination method. (2)A two-layer structural film is formed on a mixed solution of iron oxide and an aqueous layer containing iron oxide, and a three-layer structural film is formed on a layer of a water boundary film. Now, we can get the quantum effect and confirm the quantum effect.