ゲルマニウムアンチモンテルル系材料の超格子構造を用いたデータストレージデバイス
ゲルマニウムアンチモンテルル系材料の超格子構造を用いたデータストレージデバイス
采用锗锑材料超晶格结构的数据存储装置
批准号：
08F08510
负责人：
富永 淳二
金额：
$1.02万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份：
2008
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2008 至 2009
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英文摘要
ゲルマニウム-アンチモン-テルル合金による相変化メモリに関する新原理を具現化するため、真空成膜装置を用いて20層-100層構造のゲルマニウム-テルル原子薄膜層とアンチモン-テルル原子薄膜層を、それぞれコンピューターで予め計算した厚さで交互に積層して超格子と呼ばれる人工的にしか得られない薄膜を作製した。これらの超格子薄膜の物理特性を評価する目的で、新たにレーザーを用いたスイッチング速度測定装置を作製し、これを用いて超格子薄膜と通常の合金膜とのスイッチ速度を比較測定した。その結果、我々の期待した通り、新原理に基づくゲルマニウム原子の集団的一次元動作が確認され、これまでの相変化固体メモリよりも遥かに速い動作速度が達成できることを見いだした。さらに、実際のデバイス上に超格子構造膜を形成し、電気的な動作確認もおこなった。その結果、従来の相変化デバイスに比べて1/10程度までスイッチ動作に必要なエネルギーを低減できることがわかった。
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DOI：
--
发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Robert Simpson (非筆頭), 他5名]
通讯作者：
他5名
What is the origin of activation energy in phase-change films?
相变薄膜中活化能的来源是什么？
相变薄膜中活化能的来源是什么？
DOI：
--
发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Robert Simpson (非筆頭), 他5名]
通讯作者：
他5名
DOI：
10.1021/nl902777z
发表时间：
2010-02-01
期刊：
NANO LETTERS
影响因子：
10.8
作者：
[Simpson, R. E., Krbal, M., Tanida, H.]
通讯作者：
Tanida, H.
DOI：
10.1063/1.3272680
发表时间：
2009-12-14
期刊：
APPLIED PHYSICS LETTERS
影响因子：
4
作者：
[Kolobov, A. V., Fons, P., Tominaga, J.]
通讯作者：
Tominaga, J.
Crystallization time dependance on SbTe based phase-change films measured by rotating disc techniques
通过转盘技术测量 SbTe 基相变薄膜的结晶时间依赖性
通过转盘技术测量 SbTe 基相变薄膜的结晶时间依赖性
DOI：
--
发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Roblert Simpson (筆頭), 他4名]
通讯作者：
他4名
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