半導体特殊材料ガスによる急性肺水腫発現メカニズムに対する生理学的機序の基礎的検討

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1、半導体材料ガスとして新しく年次使用量の増加しているジボラン(B_2H_6)およびホスフィン(PH_3)に焦点を当て、前者に関して昨年に引き続き吸入曝露実験を行い、後者に関して心電図変化ならびに血圧等の生理学的指標の測定システムを検討した。2、ACGIH勧告のジボランのTLV-TWA,0.1ppmを目標に4週間、8週間曝露を行い、気管支肺胞洗浄液の解析を行ったところ有意な変動を観察した。3、ジボラン吸入曝露実験中の心電図変化をモニターするため、ホルター心電図の電極部分を改造したシステムを用意し、24時間記録の予備実験を行った。4、ホスフィンはヒトの中毒例では心電図異常を高頻度で来す事が知られているため3項で得られた知見をもとに非抑制下でラットの心電図を記録するシステムを検討した。この為の器材を購入準備した。5、同様に非抑制下でラットの血圧変動をモニターする埋め込み式の血圧測定システムを検討した。6、以上につき現在解析中、および以上の器材を活用した実験デザインを検討中である。