Micro flow systems for semiconductor monolayr growth process

用于半导体单层生长过程的微流系统

基本信息

  • 批准号:
    07650002
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 1.34万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份:
    1995
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    1995 至 1996
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

Bakable micro flow system with microvalve was fabricated using silicon micromachining. This microvalve uses the pneumatic actuators having corrugated diaphragms to get a large displacement of the valve plunger for large flow rate. The corrugated diaphragm has a large deflection compared to a flat diaphragm. The deflection of the diaphragm was measured by the displacement of the microscope which was focused on the diaphragm surface. The expermental results of the deflection agree approximately with the simulated results.Au-Si eutectic bonding is important for the microvalve fabrication process. We investigated Au-Si eutectic bonding and measured the bonding strength at different Au thickness.The microvalve is anodically bonded to the Kovar alloy block after the Au-Si eutectic bonding. At the beginning the microvalve was designed by using the electrostatic force and the pneumatic force. However, the electro static force control was difficult, we used the pneumatic actuators. The bakable silicon microvalve has been developed by using silicon micromachining technology, the gas flow rate could be controlled from 0.1 sccm to 35 sccm, at 25-120゚C,and the valve had a small leakage of about 0.08 sccm. The microvalve is expected to be applied for advanced semiconductor device fabrication processes.
采用硅微机械加工技术制作了可烘烤的微阀微流系统。该微阀采用波纹膜片气动执行器,实现大流量下柱塞的大位移。波纹振膜与平振膜相比具有较大的挠度。通过聚焦在光阑表面上的显微镜的位移来测量光阑的偏转。变形量的实验结果与模拟结果基本吻合,金硅共晶键合对微阀的制作工艺有重要意义。研究了Au-Si共晶键合工艺,测量了不同Au厚度下的键合强度,并将微阀与可伐合金块进行了阳极键合。微型阀最初是利用静电力和气动力设计的。然而,静电力控制是困难的,我们使用的气动执行器。利用硅微机械加工技术研制了可烘烤硅微阀,在25-120 ℃温度范围内,气体流量可控制在0.1 ~ 35 sccm,泄漏量为0.08sccm。该微阀有望应用于先进的半导体器件制造工艺。

项目成果

期刊论文数量(30)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
J. Nishizawa: "Effects of TMG/AsH_3 ratio on GaAs molecular layer growth" J. Vacuum Science & Technology. B13. 1024-1029 (1995)
J. Nishizawa:“TMG/AsH_3 比例对 GaAs 分子层生长的影响”J. Vacuum Science
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
西澤 潤一: "GaAsの単分子層成長" 応用物理学会「半導体結晶シンポジウム」予稿隼. 9-12 (1995)
Junichi Nishizawa:“GaAs 的单层生长”日本应用物理学会“半导体晶体研讨会”论文集,Hayabusa 9-12(1995)。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
D.Y.Sim: "Pneumatic Microvalve Based on Si Micromachining" T.IEE Japan. 116-E. 56-61 (1996)
D.Y.Sim:“基于硅微加工的气动微型阀”T.IEE 日本。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
C.Cabuz: "Microphysical Investigations on Mechanical Structures Realized in P^+ Silice" J.Microelectromechanical Systems. 4. 109-118 (1995)
C.Cabuz:“在 P^ Silice 中实现的机械结构的微观物理研究”J.微机电系统。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
C.Cabuz: "A New Theory on Stress Evolution in P^+ Silicon" 8th Int. Solid State Sensors and Actuators. 67-68 (1995)
C.Cabuz:“P^ 硅中应力演化的新理论”第 8 期 Int。
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  • 发表时间:
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    0
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  • 期刊:
  • 影响因子:
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  • 作者:
    SHUHAMA Hayato;KURABAYASHI Toru;YODOKAWA Shinichi;KOSAKA Satoru;KOSHITAKA Junya
  • 通讯作者:
    KOSHITAKA Junya
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  • 发表时间:
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  • 期刊:
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  • 作者:
    SHUHAMA Hayato;KURABAYASHI Toru;YODOKAWA Shinichi;KOSAKA Satoru;KOSHITAKA Junya;Imae N. and Kimura M.
  • 通讯作者:
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  • 财政年份:
    2011
  • 资助金额:
    $ 1.34万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
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    13450016
  • 财政年份:
    2001
  • 资助金额:
    $ 1.34万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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