MBE-STMによるSiGeC薄膜の微視的研究

MBE-STM 对 SiGeC 薄膜的显微研究

基本信息

  • 批准号:
    07750336
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 0.7万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
  • 财政年份:
    1995
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    1995 至 无数据
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

今年度は、前年度より進めていたGaAs表面に関する研究で大きな成果を挙げることが出来たので、これをさらに継続してGaAs基板上にInAsを蒸着させた研究を行い、その表面構造の決定や両者間の格子の違いによる歪みの影響などを系統的に調べることが出来た。特に注目すべき発見は、InAs成長時にInとAsを交互に蒸着させるマイグレーション・エンハンスト・エピタキシ-(MEE)と呼ばれる方法により、これまで報告されているよりも厚く層成長させることが出来た点である。通常のMBEの方法では、臨界膜圧2MLを越えると島状構造が成長し平らではなくなるが、MEEの方法により10ML近くまで層成長を行うことができた。さらに、この層成長に重要であると考えられるInリッチ表面構造についても初めてSTMで実空間像としてその原子像を得ることに成功している。さらにInAs層表面上では、InAs基板表面では観察されない特有のドメイン構造なども観察されており、表面における歪み緩和の過程を表しているとして今後さらに研究していく計画である。炭素ドーパントに関連してGaAs表面上にフラーレン分子C60を吸着させる研究も進めており、GaAs表面の原子構造に依存して成長するフラーレン分子薄膜の配向方向が異なるなどの成果が得られている。多くの表面ではフラーレン分子はFCC構造の(111)方向に成長することが知られているが、GaAs(100)-AS rich 2×4表面ではその特殊な構造と電荷移動により、(110)方向に膜が成長する。現在その原因を解明すべく第一原理に基づく理論計算を進めている。
This year, the research on GaAs surface has been carried out, and the surface structure has been determined. Special attention to the development of InAs, In and As interaction, the development of InAs, In and As interaction, In and As interaction, In and As interaction, Usually, the method of MBE and critical membrane pressure are 2ML and 10ML respectively. In addition, the layer growth is important to the success of the spatial image. InAs layer surface, InAs substrate surface, InAs layer surface, InAs substrate, In The research on the adsorption of C60 molecules on GaAs surface has been carried out. The results show that the orientation of molecular thin films depends on the atomic structure of GaAs surface. It is known that many surfaces have Raman molecules growing in the (111) direction of the FCC structure, and GaAs(100)-AS rich 2×4 surfaces have a special structure and charge movement, and films grow in the (110) direction. Now the reason is clear, the first principle is basic, the theoretical calculation is advanced,

项目成果

期刊论文数量(3)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Qikun Xue: "Structures of GaAa(001) Ga-rich 4×2 and 4×6 reconstructions" Physical Review Letters. 74. 3177-3180 (1995)
薛其坤:“GaAa(001) 富 Ga 4×2 和 4×6 重建的结构”物理评论快报 74. 3177-3180 (1995)。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
T. Hashizume: "Determination of the surface structures of the GaAa(001)-2×4 Ashpase" Physical Review B. 51. 4200-4212 (1995)
T. Hashizume:“GaAa(001)-2×4 Ashpase 表面结构的测定”物理评论 B. 51. 4200-4212 (1995)
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
Qikun Xue: "The adsorption and film growth of C_<60> on the GaAs(001) 2×6 surface" Physical Review B. 発表予定. (1996)
薛其坤:“C_<60>在GaAs(001) 2×6表面上的吸附和薄膜生长”物理评论B.预定出版(1996)。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
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    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
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しゅえ 其坤其他文献

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