权益分类	功能权益	普通用户	{{item.name}}会员
{{category.name}}	{{benefitItem.name}}

有機金属気相選択成長法によるガリウムヒ素単電子メモリの作製と評価

有机金属气相选择性生长砷化镓单电子存储器的制备与评价

基本信息

批准号：
18360142
负责人：
福井孝志
金额：
$ 5.89万
依托单位：
Hokkaido University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2006
资助国家：
日本
起止时间：
2006 至 2007
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-18360142/
关键词：
単電子メモリ量子ドット結晶成長半導体物性単電子輸送

项目摘要

有機金属気相(MOVPE)選択成長技術とナノ構造の自然形成技術の組み合わせにより作製した量子ドット構造を用いた「単一電子メモリ」の実現を目的とし、本年度は、これまで作製を行ってきた、GaAs細線とInAs量子ドット構造を有する量子ドットメモリのトランスファ特性において生じるヒステリシスについて、その機構に関する詳細な評価・検討を行った。今回、電流ICTS法と呼ばれる評価手法を用い、トラップの準位、及び捕獲断面積を評価し、ヒステリシス機構について検討した。評価にはMOVPE選択成長技術を用いて作製した、InAs量子ドットを有する細線FET構造を用いた。電流ICTS法とは、Vdsを一定に保つと同時に、ゲート電極にパルス的に電圧を印加することでIdsに生じるトランジェントから、活性化エネルギ、捕獲断面積、及びトラップの密度を評価する手法である。得られたICTS信号(t・dI/dt)の温度依存性曲線では、ピークの位置が時定数を示す。温度低下に伴いピークが長時間側にシフトする傾向が確認された。時定数のアレニウスプロットにより、今回の測定結果からは典型的に2つの活性化エネルギを見積もることができ、それぞれ0.33eV、0.18evである。またそれらの捕獲断面積は1.6×10^<-15> cm^2、3.8×10^<-19> cm^2であった。捕獲断面積のオーダを考慮するとこれらの準位は量子ドット自体によるものでなく、量子ドットに起因して形成された欠陥の準位であると考えられるが、詳細なデータ解析は現在行っている最中である。またその他、量子ドットに注入するキャリアソースとして、半導体薄膜上の強磁性体ナノ構造の自己形成技術についても結晶成長実験を行った。

Organic metal phase (MOVPE) selective growth technology, organic structure, natural formation technology, assembly, fabrication, quantum structure, application,"single electron structure" realization goal, this year, the production of GaAs thin wire InAs quantum structure, characteristics, production, production, single electron structure. Detailed evaluation and discussion of the organization In this paper, the current ICTS method is used to evaluate the method, the accuracy of the position, and the acquisition of the cross-sectional area. Review of the use of MOVPE selective growth techniques in the fabrication of thin wire FET structures The current ICTS method is used to determine the voltage of the electrode at the same time, and to evaluate the activation, capture area, and density of the electrode. The temperature dependence curve of the ICTS signal (t·dI/dt) is obtained by determining the position and time of the signal. The tendency of temperature decrease to increase over time is confirmed. The results of this measurement range from typical to active, and from 0.33eV to 0.18ev. The capture cross-sectional area is 1.6×10^<-15>cm^2 and 3.8×10^<-19>cm^2. The capture area is considered to be the most important part of the quantum structure. In addition, quantum injection technology is used to form ferromagnetic structures on semiconductor thin films.