高品質な高分解能電顕像を得るための半導体試料の薄片化法の検討

检查半导体样品的薄片切片方法以获得高质量、高分辨率的电子显微镜图像

基本信息

  • 批准号:
    07750349
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 0.64万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
  • 财政年份:
    1995
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    1995 至 无数据
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

従来より透過電子顕微鏡(TEM)用試料作製法として一般に用いられるイオン研磨法は、半導体超格子のような複合材料には最適な薄片化法と考えられるが、試料表面にダメ-ジ層やアモルファス層が残留するという問題点もある。これらの層は、高分解能観察する際にはノイズとなり定量的な構造評価を困難にするため、予め取り除いておくことが必要である。本研究ではそのための方法として水素ラジカル処理を提案し、その効果を調べた。TEM試料としては、(001)GaAs平面観察試料とInGaAsP/(001)GaAsへテロ構造の(001)断面試料を使用した。水素ラジカル処理は、イオン研磨により薄片化したこれらの試料を水素中に置いたタングステンフィラメントを通電加熱することによって生成した水素ラジカル中に30秒から5分程度置くことにより行った。試料の配置としては、イオン研磨した面がフィラメントの方を向く配置(A配置)とそれとは直交する配置(B配置)の両方について調べた。A、B配置ともにラジカル処理によりアモルファスを取り除くあるいは少なくすることはできるが、A配置で短時間行うのがより効果的であった。平面試料では通常のArイオンにより最終研磨した場合には試料の端部約50nmがアモルファス化していたが、水素ラジカル処理により10nm以下になり明瞭な格子像が観察できるようになった。また、断面試料では、Arイオン研磨後の試料の端部約20nmがアモルファス化していた他、高分解能電顕像にはダメ-ジによると考えられる黒い斑点模様が見られ界面の微細な構造の観察を困難にしていたのが、水素ラジカル処理により大幅に改善されることが分かった。
In the past, the preparation method of samples for transmission electron micromirrors (TEM) was generally used in the grinding method, and the optimum thinning method for semiconductor superlattices was used in the examination of the surface of the samples. This is the first time that a structural evaluation has been performed on a quantitative basis. This study is aimed at improving the quality of water treatment. TEM samples were used for (001)GaAs planar observation samples and InGaAsP/(001)GaAs planar structure samples The water element is processed, ground, and heated for 30 seconds. The sample configuration and the grinding surface are arranged in the same direction (A configuration) and in the same direction (B configuration). A, B configuration, and the like. In the case of a flat sample, the end of the sample is about 50nm, and the surface of the sample is about 10nm or less. The end of the sample after grinding is about 20nm. The sample has a high resolution energy. The electron microscope is difficult to detect the fine structure of the interface. The water quality is greatly improved.

项目成果

期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

田中 成泰其他文献

田中 成泰的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

{{ truncateString('田中 成泰', 18)}}的其他基金

細胞内微細構造のSEM反射電子像の高解像化のための画像処理法の開発
细胞内微结构高分辨率SEM背散射电子图像图像处理方法的开发
  • 批准号:
    22K12808
  • 财政年份:
    2022
  • 资助金额:
    $ 0.64万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
高品質な高分解能電顕像を得るための半導体試料の薄片化法の検討
检查半导体样品的薄片切片方法以获得高质量、高分辨率的电子显微镜图像
  • 批准号:
    06750314
  • 财政年份:
    1994
  • 资助金额:
    $ 0.64万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
ZnSe青色発光素子用格子整合基板の作製
ZnSe蓝光发光器件晶格匹配衬底的制备
  • 批准号:
    04750250
  • 财政年份:
    1992
  • 资助金额:
    $ 0.64万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)

相似海外基金

Thermal engineering in semiconductor heterojunction for space transducers
空间换能器半导体异质结的热工程
  • 批准号:
    DP240102230
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 0.64万
  • 项目类别:
    Discovery Projects
Flexible fMRI-Compatible Neural Probes with Organic Semiconductor based Multi-modal Sensors for Closed Loop Neuromodulation
灵活的 fMRI 兼容神经探针,带有基于有机半导体的多模态传感器,用于闭环神经调节
  • 批准号:
    2336525
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 0.64万
  • 项目类别:
    Standard Grant
SBIR Phase II: Innovative Glass Inspection for Advanced Semiconductor Packaging
SBIR 第二阶段:先进半导体封装的创新玻璃检测
  • 批准号:
    2335175
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 0.64万
  • 项目类别:
    Cooperative Agreement
III属窒化物半導体のイオン注入不純物活性化機構の解明と点欠陥制御
阐明III族氮化物半导体中的离子注入杂质激活机制和点缺陷控制
  • 批准号:
    23K21082
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 0.64万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
水と空気から過酸化水素を合成する機能集積型樹脂半導体光触媒
由水和空气合成过氧化氢的功能集成树脂半导体光催化剂
  • 批准号:
    23K23135
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 0.64万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
全無機Bサイト置換金属ハライドペロブスカイト型半導体の単結晶ヘテロ構造
全无机B位取代金属卤化物钙钛矿半导体的单晶异质结构
  • 批准号:
    23K23237
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 0.64万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
半導体光ツイストロニクスの開拓
半导体光双电子学的发展
  • 批准号:
    23K23262
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 0.64万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
分子回帰反応の創出による2次元半導体の自己電子機能化
通过分子回归反应实现二维半导体的自电子功能化
  • 批准号:
    23K26491
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 0.64万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
時間分解光電子分光によるp-type有機半導体薄膜の正孔ダイナミクス観測
使用时间分辨光电子能谱观察 p 型有机半导体薄膜中的空穴动力学
  • 批准号:
    23K26632
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 0.64万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
パルス中性子イメージングの高解像度化を実現する半導体検出器の開発
开发实现高分辨率脉冲中子成像的半导体探测器
  • 批准号:
    23K25127
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 0.64万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了