高品質な高分解能電顕像を得るための半導体試料の薄片化法の検討

检查半导体样品的薄片切片方法以获得高质量、高分辨率的电子显微镜图像

• 批准号: 06750314
• 负责人: 田中 成泰
• 金额: $ 0.58万
• 依托单位: Nagoya University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
• 财政年份: 1994
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1994 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-06750314/
• 关键词: TEM

透過電子顕微鏡(TEM)を用いて試料の構造を原子レベルで詳細に評価するためには,品質の良いTEM試料を作製することが極めて重要である。従来より電顕試料作製法として用いられるイオン研磨法は,半導体超格子のような複合材料には最適な薄片化法と考えられるが,試料表面にダメ-ジ層やアモルファス層が残留するという問題点もある。これらの層は,高分解能観察する際にはノイズとなり像観察を妨げる。従って,高分解能観察を行うときには,試料表面のダメ-ジ層やアモルファス層をできるだけ薄くしておくことが必要である。本研究では,TEM試料のクリーニング法として次に示す3通りの方法を取り上げ,その有効性を検討した。(1)イオン研磨の後に塩化水素ガスで気相エッチング,(2)イオン研磨の後にアルゴンレーザ照射下で気相エッチング,(3)イオン研磨の後に硫酸系溶液でエッチング。試料としてはInGaP/GaAsを用い,[110]断面方向から像観察した。観察は,加速電圧200kVの電顕で行った。観察の結果,イオン研磨のみの試料は,試料の端部約20nmがアモルファス化しており,また試料表面にはコンタミネーションによると思われる斑点模様が見られた。(1)の処理を行った試料は,試料表面のコンタミネーションやアモルファス層が処理前に比べ減少することが分った。(1)は電顕試料のクリーニング法として有効な方法であると思われる。(2)及び(3)の処理については,アモルファス層がかえって増大した。

By means of TEM, the quality of TEM materials can be used to make the most important products. The mechanical and electrical materials are used as raw materials, and the semi-metallic superlattice composite materials are tested by the most advanced thin-section method, and the surface of the materials is tested by the method of temperature, temperature and temperature. Because of the high resolution, it is possible to observe the effect of high decomposition on the temperature. In the process of high decomposition, it can be observed that the surface of the material is fine, and the surface of the material is very thin. In this study, TEM materials were used in this study to show that there are three general methods for the purpose of this study. in this study, the results of this study are as follows: in this study, the results of this study are as follows: in this study, the results of this study are as follows: in this study, the results of this study are as follows: in this study, the data of this study shows that the method is simple. The main results are as follows: (1) after grinding, the phase of water is changed, (2) the phase is irradiated after grinding, and (3) the sulfuric acid solution is added to sulfuric acid solution. The material is used in InGaP/GaAs, and the direction of the cross section is similar to that of observation. Inspect and speed up the operation of 200kV and electric power plants. According to the results of the test, the material was ground, the end of the material was 20nm, the surface of the material was changed, and the speckle mold was analyzed. (1) the surface of the material is less than that of the material before it is processed. (1) there is a method to help you think about it. (2) and (3). Please tell me how to make sure that you don't know what to do.