A new approach to the device processing by means of supersonic molecular and radical beams
利用超音速分子束和自由基束进行器件加工的新方法
基本信息
- 批准号:08555008
- 负责人:
- 金额:$ 7.04万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
- 财政年份:1996
- 资助国家:日本
- 起止时间:1996 至 1997
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
Our aim of the project is to investigate the dynamics of the reactions of (1) : Cl_2 dissociatve reaction and (2) : H-induced H abstraction reaction on the Si (100) surface. In this project, we found that the supersonic Cl_2 and atomic hydrogen beams are both very useful and potentially high for the Si device processing such as etching and cleaning of surfaces. We obtained following results ;(1) : Cl_2 dissociatve reaction on the Si (100).Initial sticking probabilities of Cl_2 on the Si (100) surface were measured as a function of surface temperature and incident energy. Two sticking channels were clalified ; one is the precursor mediated process and the other is the direct stickiig process. The former process is dominat it low incident energy below 0.05eV,and the latter is at high incident energy above 0.1eV.The data were analyzed with a kinetic model, and the relevant reaction potential parameters were determined.(2) : Angular distribution of HD produced in the H abstraction reaction of chemisorbed H on Si (100)In order to investigate the abstraction reaction dyanamics of chemisorbed H by incident-D atoms, the angular distribution of products HD moleculeres were measured. It was found that the distribution peak appeared around 20゚ in the specular dirction with respect to the surafce normal. This was compared with the associative thermal desorption of hydrogen which showed the angualr distribution peak towards the surface normal. Therefore, we concluded that the H-induced abstarction reaction takes place following the Eley-Rideal mechanism.
我们该项目的目的是研究 (1) : Cl_2 解离反应和 (2) : Si (100) 表面上 H 诱导的 H 提取反应的动力学。在这个项目中,我们发现超音速 Cl_2 和原子氢束对于硅器件加工(例如表面蚀刻和清洁)非常有用且潜力很大。我们得到以下结果:(1):Cl_2 在 Si (100) 上的解离反应。测量了 Cl_2 在 Si (100) 表面上的初始粘附概率作为表面温度和入射能量的函数。明确了两个粘滞通道;一种是前体介导的过程,另一种是直接粘着过程。前者以0.05eV以下的低入射能为主,后者以0.1eV以上的高入射能为主。通过动力学模型对数据进行分析,确定了相关的反应电位参数。(2):Si(100)上化学吸附H的夺H反应中HD的角分布为了研究入射D原子夺H的反应动力学,产品 测量HD分子。发现分布峰值出现在相对于表面法线的镜面方向20°左右。将其与氢的缔合热解吸进行比较,氢的缔合热解吸显示出朝向表面法线的角度分布峰。因此,我们得出结论,H 诱导的戒断反应遵循 Eley-Rideal 机制。
项目成果
期刊论文数量(9)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
H.Doshita, K.Ohtani, and A.Namiki: ""Dynamical aspect of Cl_2 reaction on Si surfaces"" Journal Vacuum Science and Technology. A16(1). 265-269 (1998)
H.Doshita、K.Ohtani 和 A.Namiki:““Si 表面上 Cl_2 反应的动态方面””真空科学与技术杂志。
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
T.Ohkubo et al.: "Promoted O_2 Sticking on Li-covered Si(100)" Surface Science. 357/358. 684-689 (1996)
T.Ohkubo 等人:“促进 O_2 粘附在 Li-covered Si(100) 上”表面科学。
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
Y.Takamine and A.Namiki: ""Angular distribution of HD produced in the abstraction reaction by incident D atoms on the monohydrided Si (100)"" Journal of Chemical physics. 106(21). 8935-3937 (1997)
Y.Takamine 和 A.Namiki:“一氢化 Si (100) 上的入射 D 原子发生抽象反应时产生的 HD 角分布”《化学物理杂志》。
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
A.Namiki: "Cl_2 beam interaction with alkali-covered Si(100)" Proceedeings of Int'nl Symposium on Meterial chemistry'96. 53-60 (1996)
A.Namiki:“Cl_2 束与碱覆盖的 Si(100) 的相互作用”国际材料化学研讨会论文集96。
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
H.Doshita et al.: "Dynamical aspect of Cl_2 reaction on Si surfaces" Jounal of Vacuum Science and Technol.A16(1). 265-269 (1998)
H.Doshita 等人:“Si 表面 Cl_2 反应的动态方面”真空科学与技术杂志 A16(1)。
- DOI:
- 发表时间:
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NAMIKI Akira其他文献
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Reaction Dynamics of Atomic Hydrogen with H-terminated Si Surfaces
氢原子与 H 封端硅表面的反应动力学
- 批准号:
14350022 - 财政年份:2002
- 资助金额:
$ 7.04万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Production of polarized atomic hydrogen beam and its application to spin-selected Si surface reaction
偏振原子氢束的产生及其在自旋选择硅表面反应中的应用
- 批准号:
09450020 - 财政年份:1997
- 资助金额:
$ 7.04万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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碱化硅表面 NO 振动激发的激光光谱研究。
- 批准号:
02640339 - 财政年份:1990
- 资助金额:
$ 7.04万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)