Electronic theory of imaging of thin oxide layers in the scanning tunneling microscope.

扫描隧道显微镜中薄氧化层成像的电子理论。

• 批准号: 5281084
• 负责人: Professor Dr. Wolfram Hergert
• 金额: --
• 依托单位: Institut für Physik
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Units
• 财政年份: 2000
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 1999-12-31 至 2007-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5281084?language=en
• 关键词: Electronic; theory; imaging; thin; oxide

Ausgehend vom aktuellen Stand der Berechnung der elektronischen Eigenschaften von Metallen und Übergangsmetalloxiden (TM-Oxide) wird ein Modell zur Beschreibung des Tunnelstroms entwickelt, welches auf die Untersuchung von Oxid-Oberflächen und dünner Oxidfilme auf metallischen oder inerten Substraten angewendet werden kann. Ziel ist hierbei eine Beschreibung auf ab initio Niveau. Bei der Beschreibung der Elektronenstruktur der TM-Oxide wird über die lokale Spindichte-Näherung (LSDA) im Rahmen der Dichtefunktionaltheorie (DFT) hinausgegangen (Selbstwechselwirkungskorrekturen [SIC] bzw. LSDA+U Ansatz), um die in diesen Substanzen wesentlichen Korrelationseffekte einbeziehen zu können. Die Berechnung des Tunnelstroms soll sich dabei nicht auf die störungstheoretische Formulierung beschränken, um auch solche Fälle untersuchen zu können, in denen die Störungstheorie nicht anwendbar ist. Untersucht werden soll, welche elektronischen Zustände (Substratzustände, Zustände des Oxidfilms) in Abhängigkeit von der Schichtdicke bzw. der Tunnelspannung zum gemessenen Signal beitragen. Vorwiegend untersucht werden 3d-TM-Monoxide. Einen Schwerpunkt bildet die vergleichende Untersuchung dünner CoO-Filme verschiedener Orientierung.

(1)模型zur Beschreibung des Tunnelstroms entwickelt， welches auf die Untersuchung von Oxid-Oberflächen和dner oxide filme auf metallischen oder interten substrate angewendet werden kann。齐尔是我的第一个朋友。[2] [5] [1] [e] [e] [e] [d] [d] [d] [d] [d] [d] [d] [d] [d] [d] [d] [d] [d]。LSDA+U Ansatz), um die in diesen Substanzen wesentlichen Korrelationseffekte einbeziehen zu können。Die Berechnung des Tunnelstroms soll sich dabei night auf Die störungstheoretische formululerung beschränken, um each solche Fälle untersuchen zu können, in denen Die Störungstheorie night and wendbar ist。Untersucht werden soll, welche elektronischen Zustände (Substratzustände, Zustände des Oxidfilms) in Abhängigkeit von der Schichtdicke bzw。隧道跨越zum gemessenen信号之间。Vorwiegend untersucht werden 3d- tm - co。[2] [1] [1] [1] [2] [1] [3]