DEVELOPMENT OF THE HIGH REPETITIVE IMPULSE VOLTAGE GENERATOR USING SEMICONDUCTOR SWITCHES
DEVELOPMENT OF THE HIGH REPETITIVE IMPULSE VOLTAGE GENERATOR USING SEMICONDUCTOR SWITCHES
批准号:
10650270
负责人:
MAEYAMA Mitsuaki
金额:
$1.66万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份:
1998
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1998 至 1999
中文摘要
在这项研究中,我们开发了一种使用半导体开关(静态IG)的高重复脉冲电压发生器。所获得的结果如下:一个非常高速和高效的IG充电系统的建议.替换充电阻力以应对糖尿病,我们开发了一个低阻抗充电系统,其中的阻力组件在原则上和一个简单的闸门系统中为零,使成功的触发器操作用于第二和以上开关,可以应用。下一个,使用此低阻抗属性,我们在此IG中采用了L-C共振充电方法,我们使用的是IGBT开关作为充电系统的注入开关。作为一个结果,在实验中,每个阶段C为0.1微F和L=500微H的5个静态IG充电方法,我们的系统可以被演示。改进的成功闸门电路系统的提议.用于第二和以上thristors的闸门电路由1)电压源充电部分, 2)产生触发信号的电压转换部分,以及3)输出区段供应电压-当前脉冲到thristers.A voltage source of capacitor 0.1μF of each gate are charged simultaneously with each stage capacitor of IG through anode-cathode voltage.而且,在任何情况下,这个门都可以保证正常运行,在触发器控制的情况下,这个门电路都是由Anode-Cathode Voltage增量触发的。因此,不需要额外的触发器信号系统来实现第二和以上的刺激。在使用高速充电系统的情况下,我们提出了一种新型的闸门电路系统,该系统使其更容易校准参数。使用这个高速充电系统和改进的闸门电路,4.5 kHz重复操作(5级静态IG),并输出11.8次充电直流电压(20级静态IG)的电压(20级静态IG)是可以实现的。
英文摘要
In this research, we have developed high repetitive impulse voltage generator using semiconductor switches(static IG). Obtained results are as followed :・Proposal of a very high speed and efficient IG charging system.Replacing charging resistances to diodes, we developed low impedance charging system where the resistance component of its impedance is zero in principle and a simple gate system, which enables successive trigger operations for second and above switches, can be applied.Next, using this low impedance property, we adopted the L-C resonant charging method to this IG where we use IGBT switch as an injection switch of the charging system.As a results, in the experiment of 5 stage static IG where C of each stage is 0.1μF and L=500μH, the high speed charging property(charging period 50μs) of our system can be demonstrated.・Proposal of the improved successive gate circuit system.The gate circuit for second and above thristors are composed of 1) voltage source charging section, 2) voltage transform section to generate trigger signal, and 3) output section supplying voltage-current pulse to thristers.A voltage source of capacitor 0.1μF of each gate are charged simultaneously with each stage capacitor of IG through anode-cathode voltage of thristor. And, this gate are guaranteed to operate normally in any case of trigger controlsThis gate circuit is triggered by the anode-cathode voltage increment of thrister. So, there is no need of additional trigger signal system to second and above thrister. Furthermore, in case of using high speed charging system mentioned above, we proposed a novel gate circuit system which make it easier to calibrate its parameters.Using this high speed charging system and improved gate circuit, 4.5kHz repetitive operation (5 stage static IG), and output voltage of 11.8 times of charging DC voltage (20 stage static IG) are achieved experimentally.
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黒田智: "高繰返し運転可能な半導体化IGの開発"平成12年電気学会全国大会. (発表予定). (2000)
Satoshi Kuroda:“可重复操作的基于半导体的 IG 的开发”2000 年日本电气工程师学会全国会议(预定演讲)(2000 年)。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
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作者:
[]
通讯作者:
黒田智: "高繰り返し運転可能な半導体化IGの開発"平成12年電気学会全国大会講演論文集. 1. 326-326 (2000)
Satoshi Kuroda:“可重复操作的基于半导体的 IG 的开发”日本电气工程师学会 2000 年全国会议论文集 1. 326-326 (2000)。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
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作者:
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通讯作者:
岡村一弘: "半導体スイッチング素を用いたマルクス回路の開発"電気学会論文誌A. 118A-11. 1318-1319 (1998)
Kazuhiro Okamura:“使用半导体开关元件开发马克思电路”日本电气工程师学会会刊 A. 118A-11 (1998)。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
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作者:
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通讯作者:
S.Kuroda: "A study of switing Properties・6SI Thyristor using high current gate current" 12th IEEE Int.Pulse Power Cnference. 発表予定. (1999)
S.Kuroda:“使用高电流栅极电流的开关特性研究·6SI 晶闸管”第 12 届 IEEE Int.Pulse Power Cnference(1999 年)。
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发表时间:
期刊:
影响因子:
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作者:
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通讯作者:
黒田智: "半導体化IGの高速充電に関する研究"平成10年電気学会全国大会講演論文集. 1. 34-34 (1998)
Satoshi Kuroda:“半导体 IG 高速充电的研究”日本电气工程师学会 1998 年全国会议论文集 1. 34-34 (1998)。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
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作者:
[]
通讯作者:
共 23 条
Development of an atmospheric pressure plasma source capable of generating massive amounts of chemically active species and evaluation of decomposition performance for refractory solutions
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批准号:15K05932
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额:$2.83万
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财政年份:2015
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负责人:MAEYAMA Mitsuaki
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依托单位:
Development of continuous flowing high density plasma source in the atmospheric pressure?
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批准号:18560268
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额:$2.28万
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财政年份:2006
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负责人:MAEYAMA Mitsuaki
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依托单位: