Rechnergestützte Modellierung von Vielschichtsystemen für nanoskopische ferroelektrische Speicher

这是一代又一代人的生活方式，也是一种新的生活方式。在这个问题上，我们从铁电三种材料中提取出5-10 nm的材料，并在此基础上进行处理。这是一个不确定的概念，它是一种特殊的材料，它是一种特殊的材料。我对此感兴趣，也就是说，他们的工作是稳定的，他们的工作也不是很顺利。在Desem Projekt Sollen Nanoskopisch dünne Schichtstrukturen MIT Hilfe von QuantChemischen Berechnungen untersuk den.他说：“这是一项非常重要的工作，因为它是一项重要的工程。半经验的基础是有效的量子化学和物理化学从头算起。我们将为您提供最好的服务，为您服务。

Die weitere Miniaturisierung und Entwicklung von Rechenspeichern der nächsten Generation kann möglicherweise auf der Grundlage von ferroelektrischen ABO3 Vielschichtsystemen und verwandten Vier-Komponenten-Systemen erfolgen. In diesem Zusammenhang tritt das Problem auf, daß solche Filme oft ihre ferroelektrischen Eigenschaften verlieren, wenn die Schichtdicken eine Größenordnung von 5-10 nm erreichen bzw. unterschreiten. Es ist derzeit unklar, ob dieser Verlust der ferroelektrischen Eigenschaften auf Defekte zurückzuführen ist, oder ob es sich dabei um eine intrinsische Eigenschaft nanoskopischer Perovskitfilme handelt. Zudem interessiert, wie die ferroelektrischen Eigenschaften solcher Filme gegebenenfalls stabilisiert werden können, um die für Rechnerchips notwendigen schnellen Schaltzeiten zu erreichen. In diesem Projekt sollen nanoskopisch dünne Schichtstrukturen mit Hilfe von quantenchemischen Berechnungen untersucht werden. Ziel der Untersuchungen ist es, Aussagen über die physiko-chemischen und ferroelektrischen Eigenschaften dieser Systeme zu gewinnen. Grundlage der Berechnungen soll ein semi-empirisches Schalenmodell gestützt auf effektive quantenchemische und physikalische ab-initio Verfahren der Strukturberechnung sein. Als Ergebnis erhoffen wir begründete Aussagen über Struktur und Zusammensetzung solcher ferroelektrischen Hochleistungs-Speicherchips machen zu können.