Kobalt-Silizid-Kontakte für schnelle integrierte Si/SiGe-Heterobipolartransistoren mit sehr flacher äußerer Basis

用于快速集成 Si/SiGe 异质双极晶体管的硅化钴触点，具有非常平坦的外基极

• 批准号: 5292518
• 负责人: Professor Dr.-Ing. Hans-Ulrich Schreiber
• 金额: --
• 依托单位: Lehrstuhl für Integrierte Schaltungen
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 2000
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 1999-12-31 至 2005-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5292518?language=en
• 关键词: Kobalt; Silizid; Kontakte; schnelle; integrierte

Der Si/SiGe-Heterobipolartransistor bietet sich prinzipiell für zahlreiche Einsatzmöglichkeiten in künftigen schnellen integrierten Schaltungen an. Wegen des Emitter-Basis-Heteroübergangs an diesem Transistor lassen sich sehr niedrige Basiswiderstände und Basislaufzeiten realisieren. Doch trotz der zügigen Entwicklung dieses HBTs ist er noch nicht so ausgereift wie z.B. der SiGe-Drifttransistor, der wie ein Si-Homobipolartransistor aufgebaut ist, sich aber durch einen Ge-Gradienten in der SiGe-Basis von ihm unterscheidet. Dies bedeutet, daß der Si/SiGe-HBT noch deutlich verbessert werden muß. Probleme dieses Transistors ergeben sich u.a. aus der hohen Basisdotierung, die eine unerwünschte Bor-Ausdiffusion begünstigt. Dieser Effekt wird durch Kohlenstoffzusatz gemindert und kann darüber hinaus durch eine Absenkung der Beschleunigungsspannung für die Implantation der äußeren Basis deutlich reduziert werden. Durch niedrige Beschleunigungsspannungen lassen sich auch weitere Transistorparameter optimieren. Doch für eine sehr flache äußere Basis benötigt man ebenso wie für künftige KurzkanalMOSFETs neue, dünne und sehr ebene Silizide, um Offset-Spannungen und Leckströme zu vermeiden. Ein vielversprechendes Silizid für diese Baulemente scheint aus verschiedenen Gründen CoSi2 zu sein. Dieses Silizid soll im Rahmen des vorliegenden Projektes für den Bauelementeinsatz so weit entwickelt und verbessert werden, daß es schließlich am Si/SiGe-HBT seine Vorteile demonstrieren kann.

Si/SiGe-异质双极晶体管的原理是在集成电路中实现高灵敏度。发射极-基极异质结晶体管的基极开关和基极开关的实现。HBTs的快速发展还不如z.B.那么迅速。SiGe漂移晶体管，如Si同质双极晶体管，是通过在SiGe基础上对其进行锗掺杂而制成的。因此，Si/SiGe-HBT的性能仍然非常韦尔登。Probleme dieses Transistors ergeben sich u.a.从上一个基地开始，一个新的Bor-Ausdiffusion开始了。这种效应将通过Kohlenstoffzusatz gemindert和kann darüber hinaus durch一个缺席的besonigungsspannung für die implantation der äußeren Basis deutlich reduziert韦尔登。最佳的晶体管参数也是最佳的。Doch für eine sehr flache äußere Basis benötigt man ebenso wie für künftige KurzkanalMOSFET neue，dünne und sehr ebene Silizide，um Offset-Spannungen und Leckströme zu vermeiden. Ein vielversprechendes Silizid für diese Baulemente scheint aus versedenen Gründen CoSi zu sein.这种硅溶胶在拉曼的vorliegenden项目für den Bauelementeinstruments所以weit entwickelt和verbessert韦尔登，daschließlich am Si/SiGe-HBT seine Vorteile demonstrieren。