Kobalt-Silizid-Kontakte für schnelle integrierte Si/SiGe-Heterobipolartransistoren mit sehr flacher äußerer Basis

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Der Si/SiGe-Heterobipolartransistor bietet sich prinzipiell für zahlreiche Einsatzmöglichkeiten in künftigen schnellen integrierten Schaltungen an. Wegen des Emitter-Basis-Heteroübergangs an diesem Transistor lassen sich sehr niedrige Basiswiderstände und Basislaufzeiten realisieren. Doch trotz der zügigen Entwicklung dieses HBTs ist er noch nicht so ausgereift wie z.B. der SiGe-Drifttransistor, der wie ein Si-Homobipolartransistor aufgebaut ist, sich aber durch einen Ge-Gradienten in der SiGe-Basis von ihm unterscheidet. Dies bedeutet, daß der Si/SiGe-HBT noch deutlich verbessert werden muß. Probleme dieses Transistors ergeben sich u.a. aus der hohen Basisdotierung, die eine unerwünschte Bor-Ausdiffusion begünstigt. Dieser Effekt wird durch Kohlenstoffzusatz gemindert und kann darüber hinaus durch eine Absenkung der Beschleunigungsspannung für die Implantation der äußeren Basis deutlich reduziert werden. Durch niedrige Beschleunigungsspannungen lassen sich auch weitere Transistorparameter optimieren. Doch für eine sehr flache äußere Basis benötigt man ebenso wie für künftige KurzkanalMOSFETs neue, dünne und sehr ebene Silizide, um Offset-Spannungen und Leckströme zu vermeiden. Ein vielversprechendes Silizid für diese Baulemente scheint aus verschiedenen Gründen CoSi2 zu sein. Dieses Silizid soll im Rahmen des vorliegenden Projektes für den Bauelementeinsatz so weit entwickelt und verbessert werden, daß es schließlich am Si/SiGe-HBT seine Vorteile demonstrieren kann.