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高分解能電子エネルギー損失分光法によるBNチューブの電子構造の研究

利用高分辨率电子能量损失谱研究BN管的电子结构

基本信息

批准号：
11165204
负责人：
寺内正己
金额：
$ 3.58万
依托单位：
Tohoku University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
财政年份：
1999
资助国家：
日本
起止时间：
1999 至 2000
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-11165204/
关键词：
電子エネルギー損失分光 BNチューブ BNコーン電子構造電子状態

项目摘要

1.昨年度、新たに見出したBNコーンの先端部分と底の部分から高分解能EELS測定に成功し、バルクのBNよりもコーンの底の部分ではバンドギャップエネルギーが小さくなっているが、先端部ではさらに小さくなっていることが実験的に明らかにした。この現象は、これまでのBNナノチューブの実験結果"径の小さなBNナノチューブほどバンドギャップエネルギーが小さい"と同じであると解釈できることがわかった。2.1.のBNコーンとBNナノチューブのバンドギャップエネルギーに関する特徴は"BNシートでは、バンドギャップはブリルアンゾーン境界にあり、そこでは価電子帯はN原子の電子軌道のみからできており伝導帯はB原子の電子軌道からのみできている"というBNシート特有の電子状態の結果として解釈できることが明らかになり、カーボンシートからできているカーボンナノチューブやカーボンコーンには期待できないことが明らかになった。3.BNシートの端が露出しているBNコーンの底部分では、伝導帯に特徴的な状態密度分布が存在することが実験的に明らかになった。DV-Xα法を用いたBNシートの電子状態計算から、特徴的な状態密度が、BNシート端に局在するエッジ状態に起因することが明らかになった。4.半導体であるボロンの超伝導化として期待されているLiドープαボロンは大きな単結晶が得られていない。われわれの開発してきた高分解能EELS電子顕微鏡を用いることで、初めてLiドープαボロン単結晶の高分解能EELS測定に成功し、フェルミ面の存在を明らかにした。すなわち、Liドープによりα-ボロンが金属化していることを実験的に明らかにした。

1. Last year, the new part of the BN was found in the top part and the bottom part of the BN. The high resolution energy EELS measurement was successful. The BN was found in the bottom part of the BN. The top part of the BN was found in the middle part of the BN. This phenomenon is the same as that of BN 2.1. The characteristics of BN and BN are: "BN, BN. The color of the picture is red. The color of the picture is red. 3. The state density distribution of BN characteristics exists at the bottom of BN. DV-Xα method is used to calculate the electronic state of BN, the state density of characteristics, and the cause of BN end state. 4. The semiconductor has a high conductivity and high conductivity. The high resolution energy EELS electron microscope has been successfully used to determine the existence of high resolution energy crystals. The first is the first time that a metal has been produced.