自立性極薄膜の低エネルギー電子透過
自立性極薄膜の低エネルギー電子透過
批准号:
98F00186
负责人:
長谷川 幸雄
金额:
$0.77万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份:
1999
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1999 至 --
中文摘要
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
単層磁性遷移金属ハライドにおける新奇磁性の原子レベル探索
-
批准号:23KF0136
-
项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
-
资助金额:$1.28万
-
财政年份:2023
-
负责人:長谷川 幸雄
-
依托单位:
Combination of nanoscale spectroscopy with transport for elucidating anomalous metallic phases in atomic-layer superconductors
-
批准号:22H00292
-
项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
-
资助金额:$27.29万
-
财政年份:2022
-
负责人:長谷川 幸雄
-
依托单位:
表面ナノワイヤーの形成とその電気伝導特定
-
批准号:02F00066
-
项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
-
资助金额:$1.41万
-
财政年份:2002
-
负责人:長谷川 幸雄
-
依托单位:
酸化シリコン超薄膜/シリコン界面での単一界面トラップ準位のAFMによる実空間観察
-
批准号:12875059
-
项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
-
资助金额:$1.34万
-
财政年份:2000
-
负责人:長谷川 幸雄
-
依托单位:
バリスティック電子放射顕微鏡による金属半導体界面のエッジにおける電気的特性の測定
-
批准号:07555005
-
项目类别:Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research (B)
-
资助金额:$9.98万
-
财政年份:1995
-
负责人:長谷川 幸雄
-
依托单位:
走査トンネル顕微鏡を用いた定在波による界面散乱の位相の研究
-
批准号:07227204
-
项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
-
资助金额:$1.02万
-
财政年份:1995
-
负责人:長谷川 幸雄
-
依托单位:
走査トンネル顕微鏡を用いた定在波法により界面散乱の位相の研究
-
批准号:06238215
-
项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
-
资助金额:$1.28万
-
财政年份:1994
-
负责人:長谷川 幸雄
-
依托单位:
走査トンネル分光法を用いた表面欠陥による電子波の散乱に関する研究
-
批准号:05855007
-
项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
-
资助金额:$0.77万
-
财政年份:1993
-
负责人:長谷川 幸雄
-
依托单位: