课题基金 / 基金详情

バリスティック電子放射顕微鏡による金属半導体界面のエッジにおける電気的特性の測定

バリスティック電子放射顕微鏡による金属半導体界面のエッジにおける電気的特性の測定
使用弹道电子发射显微镜测量金属-半导体界面边缘的电特性
批准号:
07555005
负责人:
長谷川 幸雄
金额:
$9.98万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research (B)
财政年份:
1995
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1995 至 1997

项目摘要

项目成果

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今年度には、バリスティック電子放射顕微鏡(BEEM)の設計およびその組立を行った。これまでのBEEMでは大気中あるいは液体窒素中で実験が行われており、そのため試料の清浄度の問題や表面の吸着物による影響が指摘されてきた。こうした点を避けるために、BEEMユニット全体を超高真空内に入れて研究を行う計画である。そのためのイオンポンプやターボポンプなどを真空系等の設計を行い、現在10^<-11>台の超高真空状態が得られる状態になっている。また試料処理・蒸着用のポートも作製しており、界面面積を小さくするためのマスウなども取り付けて、真空内で作製した試料をそのままBEEMに搬送して表面および界面の状態を原子レベルの分解能で観察出来るようになっている。除振対策に関しては除振台を超高真空内に組み込んだ形のものを採用し、コンパクトな本体となるようにした。またBEEMでは検出する電流が極めて微弱であり、そのノイズ対策が重要である。電流検出用のアンプを自作して真空内に入れ、試料からの距離を出来るだけ小さくしてノイズの影響を減らそうとしている。またBEEMスペクトラム読み込み用の波形記憶装置を設計しパーソナルコンピュータで制御することによって、測定の高速化・平均化を行い、他からのノイズを避けS/N比を高める工夫を行っている。現在STMを用いてその性能の確認を進めており、従来に比べ10倍ほど測定時間を短縮できさらにノイズも少ないことから、十分な効果があることが判ってきている。
期刊论文(4)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
長谷川幸雄: "バリスティック電子放射顕微鏡による界面の微視的研究" まてりあ(日本金属学会会報). 34. 848-851 (1995)
Yukio Hasekawa:“使用弹道电子发射显微镜对界面进行微观研究”Materia(日本金属研究所通报)34. 848-851(1995)。
DOI: --
发表时间:
期刊:
影响因子: --
作者: []
通讯作者:
長谷川幸雄: "STMを用いた点接触法による表面電気伝導の測定" 日本結晶学会誌. 37. 251-257 (1995)
Yukio Hasekawa:“使用 STM 通过点接触法测量表面电导率”日本晶体学会杂志 37. 251-257 (1995)。
DOI: --
发表时间:
期刊:
影响因子: --
作者: []
通讯作者:
Y. Hasegawa: "Measurement of surface state conductivity using STM" Surface Science. (発表予定).
Y. Hasekawa:“使用 STM 测量表面态电导率”表面科学(待提交)。
DOI: --
发表时间:
期刊:
影响因子: --
作者: []
通讯作者:
S. Kurokawa: "Measurement of tip-sample capacitance for Sisurface" Surface Science. (発表予定).
S. Kurokawa:“Sisurface 尖端样品电容的测量”表面科学(待提交)。
DOI: --
发表时间:
期刊:
影响因子: --
作者: []
通讯作者:
単層磁性遷移金属ハライドにおける新奇磁性の原子レベル探索
  • 批准号:
    23KF0136
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 资助金额:
    $1.28万
  • 财政年份:
    2023
  • 负责人:
    長谷川 幸雄
  • 依托单位:
Combination of nanoscale spectroscopy with transport for elucidating anomalous metallic phases in atomic-layer superconductors
  • 批准号:
    22H00292
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
  • 资助金额:
    $27.29万
  • 财政年份:
    2022
  • 负责人:
    長谷川 幸雄
  • 依托单位:
表面ナノワイヤーの形成とその電気伝導特定
  • 批准号:
    02F00066
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 资助金额:
    $1.41万
  • 财政年份:
    2002
  • 负责人:
    長谷川 幸雄
  • 依托单位:
酸化シリコン超薄膜/シリコン界面での単一界面トラップ準位のAFMによる実空間観察
  • 批准号:
    12875059
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Exploratory Research
  • 资助金额:
    $1.34万
  • 财政年份:
    2000
  • 负责人:
    長谷川 幸雄
  • 依托单位:
海外基金