权益分类	功能权益	普通用户	{{item.name}}会员
{{category.name}}	{{benefitItem.name}}

走査トンネル顕微鏡を用いた定在波による界面散乱の位相の研究

使用扫描隧道显微镜研究驻波引起的界面散射的相位

基本信息

批准号：
07227204
负责人：
長谷川幸雄
金额：
$ 1.02万
依托单位：
Tohoku University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1995
资助国家：
日本
起止时间：
1995 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

今年度は、分子線エピタキシ-(MBE)によって成長させたInAs/GaAs(100)・AlGaAs/GaAs(100)などの化合物半導体界面と、合金を作らず急峻な界面を持つことで知られるPd/Cu(111)・Au/Cu(111)等の金属・金属界面について研究を進めており、それぞれの界面での欠陥構造、例えば点欠陥やステップ・格子不整合転位・不純物などによる個々の散乱現象を測定しようとした。InAs(100)表面に関する研究では、特にInリッチ4×2表面の原子像を初めてSTMで捕らえることに成功しており、その構造モデルを提唱した。こうした試料を用いてInAs/GaAs(100)界面における電子散乱の研究を試みているが、現在までのところあまり信頼に足る界面の情報は得られていない。現在その原因について検討しているが、1つには試料加熱時において界面が相互拡散によりぼやけてしまう可能性が考えられる。またInAs/GaAs界面のバンドオフセットの関係から占有準位では界面での散乱強度が弱くなる可能性があり、この点を解消するため非占有準位のSTM像における定在波の検出を試みているが、III-V族化合物半導体表面の場合、非占有準位のSTM像をとること自体、占有状態のそれに比べ一般に困難であり、これまでのところ成功していない。現在さらにAlGaAs/GaAs(100)表面構造のSTMによる研究も進めており、平坦な表面構造が得られれば、この界面の研究を試みることも計画している。

In this year, the growth of metal interface of InAs/GaAs (100) AlGaAs/GaAs (100) alloy semimetallic interface and alloy interface of metal interface has been studied in this year, such as Pd/Cu, Pd/Cu, Au/Cu, etc. The interface of metal interface has not been fabricated. For example, the lattice unconformable lattice is not suitable for the determination of the size of the unconformable object. The surface of InAs (100) is used to study the atomic image of 4 × 2 surface, and the atomic image of the surface is 4 × 2. The image of the atom on the surface of the InAs is very good. The InAs/GaAs interface is used to study the computer dispersion system. Now, the interface is very reliable and reliable. At present, the reason for this is that there is a significant difference in the possibility that the interface will affect each other as soon as possible. InAs/GaAs interface