权益分类	功能权益	普通用户	{{item.name}}会员
{{category.name}}	{{benefitItem.name}}

走査トンネル顕微鏡を用いた定在波による界面散乱の位相の研究

使用扫描隧道显微镜研究驻波引起的界面散射的相位

基本信息

批准号：
07227204
负责人：
長谷川幸雄
金额：
$ 1.02万
依托单位：
Tohoku University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1995
资助国家：
日本
起止时间：
1995 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

今年度は、分子線エピタキシ-(MBE)によって成長させたInAs/GaAs(100)・AlGaAs/GaAs(100)などの化合物半導体界面と、合金を作らず急峻な界面を持つことで知られるPd/Cu(111)・Au/Cu(111)等の金属・金属界面について研究を進めており、それぞれの界面での欠陥構造、例えば点欠陥やステップ・格子不整合転位・不純物などによる個々の散乱現象を測定しようとした。InAs(100)表面に関する研究では、特にInリッチ4×2表面の原子像を初めてSTMで捕らえることに成功しており、その構造モデルを提唱した。こうした試料を用いてInAs/GaAs(100)界面における電子散乱の研究を試みているが、現在までのところあまり信頼に足る界面の情報は得られていない。現在その原因について検討しているが、1つには試料加熱時において界面が相互拡散によりぼやけてしまう可能性が考えられる。またInAs/GaAs界面のバンドオフセットの関係から占有準位では界面での散乱強度が弱くなる可能性があり、この点を解消するため非占有準位のSTM像における定在波の検出を試みているが、III-V族化合物半導体表面の場合、非占有準位のSTM像をとること自体、占有状態のそれに比べ一般に困難であり、これまでのところ成功していない。現在さらにAlGaAs/GaAs(100)表面構造のSTMによる研究も進めており、平坦な表面構造が得られれば、この界面の研究を試みることも計画している。

This year's molecular line エピタキシ-(MBE) によって growth させたInAs/GaAs(100)・AlGaA s/GaAs(100)Non-compound semiconductor interface と, Alloy をららず sharp jun interface を holder つことで know られる Pd/C u(111)・Au/Cu(111) and other metals・Metal interface research and development The structure, the example of the point defect, the unconformity of the lattice, the scattered phenomenon of impurities, and the measurement of the phenomenon. InAs(100) surface closed atom research, special Inにリッチ4×2 surface atom Like をInitial STM らえることにsuccess しており, そのstructural モデルを提 sang した. Research on electron scattering at the interface of InAs/GaAs(100) using こうしたsampleみているが、Now までのところあまり信頼に FootるInterface のinformationは得られていない.そのCauseについて検问しているが、1つにはWhen the sample is heated においてInterfaceが mutual support and separationによりぼやけてしまうpossibilityがtestえられる.またInAs/GaAs interface のバンドオフセットのrelations occupancy level ではinterface でのStrong The degree of weakness is the possibility of the solution, the point of the solution is the non-occupancy level of the STM image of the wave.検出ているが, III-V compound semiconductor surface situations, non-occupied level STM image をとThe self-possession status of the ること is more difficult than the normal であり, and the これまでのところsuccessful していない. We are currently conducting research on the surface structure of AlGaAs/GaAs(100)おり、Flat surface structureが得られれば、このInterface researchをtrialみることもplanしている.