半導体結合量子ドット構造による疑似神経回路網の作製
半導体結合量子ドット構造による疑似神経回路網の作製
批准号:
11875071
负责人:
澤木 宣彦
金额:
$1.41万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Exploratory Research
财政年份:
1999
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1999 至 2000
中文摘要
消費電力が大きな従来型の計算機システムの弱点を克服するための結合量子井戸構造における波動関数の変化を利用する新しい演算システムの構築の可能性を探ることを目的とする。1.結合ドット構造への電子波束の注入法を探るため、磁場中の量子ディスク、量子細線における電子波束の運動を詳しく検討した。磁場が強い場合には波束の崩壊は起こらないこと、磁場に直交する電界を印可すると、波束は横方向へのドリフト運動を行うことがわかった。2.電子線露光法により、砒化ガリウムにシリコンを原子層ドープした構造に微小電界効果トランジスタを作製した。チャネルの幅ならびに長さは100-500ナノメートルとし、サイドゲート構造とすることによりチャネルの伝導制御を試みた。ドレインには分岐点を設け、原子層ドープ構造におけるパーコレーション的な伝導の効果を見いだすことを試みた。しかし、今年度の実験ではそのような効果を見いだすことはできなかった。サイドゲートによるポテンシャル変調が十分でなかった可能性がある。3.結合ドット構造からの信号の光による入出力の方法として、プラズモンポラリトンを用いる方法の有効性を検討した。半導体量子井戸構造の試料の表面に電子線露光法によって金属膜グレーティングを作製した。ヘリウムネオンレーザの光を特定の角度から入射することによって、半導体表面にプラズモンが励起できた。ついで、この角度付近で、量子井戸からの発光の強度が増加することを見いだした。量子井戸の励起子系と表面に局在した電磁波との相互作用の可能性が実証された。
英文摘要
消費電力が大きな従来型の計算機システムの弱点を克服するための結合量子井戸構造における波動関数の変化を利用する新しい演算システムの構築の可能性を探ることを目的とする。1.結合ドット構造への電子波束の注入法を探るため、磁場中の量子ディスク、量子細線における電子波束の運動を詳しく検討した。磁場が強い場合には波束の崩壊は起こらないこと、磁場に直交する電界を印可すると、波束は横方向へのドリフト運動を行うことがわかった。2.電子線露光法により、砒化ガリウムにシリコンを原子層ドープした構造に微小電界効果トランジスタを作製した。チャネルの幅ならびに長さは100-500ナノメートルとし、サイドゲート構造とすることによりチャネルの伝導制御を試みた。ドレインには分岐点を設け、原子層ドープ構造におけるパーコレーション的な伝導の効果を見いだすことを試みた。しかし、今年度の実験ではそのような効果を見いだすことはできなかった。サイドゲートによるポテンシャル変調が十分でなかった可能性がある。3.結合ドット構造からの信号の光による入出力の方法として、プラズモンポラリトンを用いる方法の有効性を検討した。半導体量子井戸構造の試料の表面に電子線露光法によって金属膜グレーティングを作製した。ヘリウムネオンレーザの光を特定の角度から入射することによって、半導体表面にプラズモンが励起できた。ついで、この角度付近で、量子井戸からの発光の強度が増加することを見いだした。量子井戸の励起子系と表面に局在した電磁波との相互作用の可能性が実証された。
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H.Takagi: "Confinement and transfer of a two dimensional wavepacket under crossed electric and magnetic fields,"Jpn.J.Appl.Phys.. 40(印刷中). (2001)
H.Takagi:“交叉电场和磁场下二维波包的限制和传递”,Jpn.J.Appl.Phys.40(印刷中)。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
M.Katsuno: "The negative magneto-resistance in an Si atomic layer doped GaAs,"Institute of Physics Conference Series. 162. 615-620 (1999)
M.Katsuno:“硅原子层掺杂 GaAs 中的负磁阻”,物理研究所会议系列。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
N.Sawaki: "Electron tunneling time into a quantum disk"Microelectronic Engineering. 47. 143-145 (1999)
N.Sawaki:“电子隧道时间进入量子盘”微电子工程。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
M.Ishida: "Effect of an ionized impurity on the sequential tunneling transfer of an electron through quantum disk,"Semiconductor Science and Technology. 16. 129-135 (2001)
M.Ishida:“电离杂质对电子通过量子盘的顺序隧道传输的影响”,《半导体科学与技术》。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
M.Katsuno: "The temperature dependence and scaling of the negative magneto resistace in an Si atomic-layer-dope GaAs,"Semiconductor Science and Technology. 14・6. 549-556 (1999)
M.Katsuno:“Si原子层掺杂GaAs中负磁阻的温度依赖性和缩放”,《半导体科学与技术》14・6(1999)。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
結合多重量子井戸構造による多波光制御に関する研究
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批准号:14041205
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$2.24万
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财政年份:2002
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负责人:澤木 宣彦
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依托单位:
二重量子井戸構造における電子波干渉効果
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批准号:08217210
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$0.83万
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财政年份:1996
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负责人:澤木 宣彦
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依托单位:
二重量子井戸構造における電子波干渉効果
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批准号:07227211
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.15万
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财政年份:1995
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负责人:澤木 宣彦
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依托单位:
二重量子井戸構造における電子波干渉効果
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批准号:06238213
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.6万
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财政年份:1994
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负责人:澤木 宣彦
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依托单位:
GaAs/ALGaAs 二重量子井戸構造のホットエレクトロン効果に関する研究
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批准号:01550244
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.41万
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财政年份:1989
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负责人:澤木 宣彦
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依托单位:
半導体超格子のホットエレクトロン効果に関する研究
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批准号:62550224
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.15万
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财政年份:1987
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负责人:澤木 宣彦
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依托单位:
サイリスタのプラズマ広がりに関する研究
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批准号:X00210----175167
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.22万
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财政年份:1976
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负责人:澤木 宣彦
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依托单位:
海外基金