結合多重量子井戸構造による多波光制御に関する研究

耦合多量子阱结构的多波光控研究

• 批准号: 14041205
• 负责人: 澤木 宣彦
• 金额: $ 2.24万
• 依托单位: Nagoya University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
• 财政年份: 2002
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2002 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-14041205/
• 关键词: 光変調器; 結合量子井戸; トンネル効果; 量子閉込めシュタルク効果; フェムト秒分光; 多波光制御; 光非線形性; p-i構造

1.本研究は、光通信・光情報処理の分野で渇望されている高速で低消費電力で動作する光スイッチ・光変調器に関する。井戸幅の異なる多数の量子井戸を薄い障壁層を挟んで重ねたGaAs/AlGaAs非対称結合多重量子井戸構造を作製し、その光応答特性を評価することによって、特定波長の光を制御光とし複数の波長の信号光の高速変調を可能にするための素子構造の最適化を図ることを目的とする。2.本研究で提案するデバイスは光励起された電子と正孔のトンネル効果の差異による電荷分離に基づく内部電界が誘起する量子閉じこめシュタルク効果ならびに準位の共鳴・非共鳴現象による波動関数の変化(光学的振動子強度の変化)を利用する新しい動作原理に基づくものであり、立ち上がり速度は電子のトンネル速度によって決定される。フェムト秒レーザによるポンプ・プローブ法により立ち上がり速度2-3ピコ秒が得られることを明らかにした。3.単一デバイスにおける多波動作を確認するため、応答特性の波長依存性を評価した。それぞれの量子井戸の特性波長における応答特性はトンネル効果による電子の増減を反映し異なる非線形性を示すことが見出された。4.量子井戸構造を光スイッチとして用いる場合、立ち下がり時間は励起されたキャリアの寿命によって決まる。本デバイスでは数ナノ秒であった。試料にp形層を導入し、活性層をp-i構造に埋め込むことによってあらかじめ電界を付与し、光励起による電界の緩和現象をスイッチ動作に適用したところ立ち下がり時間は60-80ピコ秒と2桁近い短縮が達成された。

1. This research is related to optical communication, optical information processing, high speed, low power consumption, and optical modulator. The fabrication of multiple quantum well structures with GaAs/AlGaAs asymmetric combination and thin barrier layers for different well widths, and the evaluation of optical response characteristics for light suppression at specific wavelengths, and the possibility of high speed modulation of signal light at multiple wavelengths, are discussed. 2. In this study, we propose to change the ratio of photoexcited electrons and positive holes to the ratio of charge separation to quantum close electrons and positive holes to resonance and nonresonance phenomena.(Change in the intensity of optical vibrators) Using new principles of motion, the speed and velocity of electrons are determined. 2-3 seconds for the first time. 3. Wavelength dependence of response characteristics is evaluated when multiple values are determined. The characteristic wavelength of the quantum well is reflected by the electron attenuation and non-linearity. 4. Quantum well structure light source, light source This is the first time I've ever seen you. P-type layer of sample is introduced, and the active layer is shortened by 60-80 seconds

项目成果

T.Kato: "Fabrication of GaN/AlGaN heterostructures on a (111)silicon substrate by selective MOVPE"J.Crystal Growth. 237. 1099-1103 (2002)

T.Kato：“通过选择性 MOVPE 在 (111) 硅衬底上制造 GaN/AlGaN 异质结构”J.Crystal Growth。

N.Suzumura: "Inter-andintra-subband LO phonon emission rates in GaAs/AlGaAs quantum disks"Physica B. 314. 127-131 (2002)

N.Suzumura：“GaAs/AlGaAs 量子盘中的子带间和子带内 LO 声子发射率”Physica B. 314. 127-131 (2002)

K.Mizutani: "Carrier lifetime reduction in a p-i GaAs/AlGaAs asymmetric triple quantum well structure"J.Korean Physical Society. 42・3(印刷中). (2003)

K. Mizutani：“p-i GaAs/AlGaAs 不对称三量子阱结构中的载流子寿命缩短”J. 韩国物理学会 42・3（出版中）。

N.Suzumura: "Femto-second photo-reflectance spectroscopy of energy relaxation process in GaAs/AlGaAs mesoscopic disks"J.Korean Physical Society. 42・3(印刷中). (2003)

N. Suzumura：“GaAs/AlGaAs 介观盘中能量弛豫过程的飞秒光反射光谱”J. 韩国物理学会 42・3（出版中）。

落合勇一: "量子ドットにおける電子散乱とフラクタル的量子伝導"数理科学. 42・3. 54-60 (2003)

落合佑一：“量子点中的电子散射和分形量子传导”《数学科学》42・3（2003）。