p形透明半導体膜の作成およびその透明pn接合への応用

p型透明半导体薄膜的制备及其在透明pn结中的应用

• 批准号: 11875077
• 负责人: 中澤 達夫
• 金额: $ 0.96万
• 依托单位: Nagano National College of Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Exploratory Research
• 财政年份: 1999
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1999 至 2000
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-11875077/
• 关键词: 透明導電膜; 酸化物薄膜; スパッタ法

昨年度に引き続き、ホットプレスした銅-アルミ酸化物ターゲットからガラス基板上(7059ガラスおよび石英ガラス)にRFスパッタ装置を用いて膜堆積を行った。堆積条件は基板加熱は行わない状態で、スパッタガス圧を2(mTorr)あるいはそれ以下とした。堆積した膜について,光透過率、X線回折の測定を行った.また,堆積膜を空気中で熱処理してその変化を観察した.これらの実験の結果,現在までにわかったことは以下のとおりである.1.堆積したままの膜はほとんどの条件でAl richになる傾向があり、昨年度の実験結果でややCu rich気味であったことと矛盾が見られた。これは、一つのターゲットを継続して使用しているため、スパッタされる領域においてまずCuが選択的に蒸発し、次第にその領域の組成が変化したことが影響していると考えられる。2.スパッタガス(アルゴン+酸素)の混合割合により,堆積膜の組成が変化することが分かった.Arのみの雰囲気で堆積した場合にはかなりCu-richになるが,O_2の比率を増加するにつれてAlの組成比が増加し,Ar:O_2=2:3程度にした場合にCuとAlとの比がほぼ1:1となった.3.アルゴンガス中で900℃の熱処理を行った場合,12時間程度で透過率が大きく改善され、広い波長範囲で透過率70%以上が達成できた。しかし、熱処理によって膜厚がかなり減少しており、処理中に再蒸発が起こっているものと考えられる。4.熱処理後の膜についてX線回折測定により観察されるピークは、膜厚が薄いために不明瞭であって同定が困難であるが、一部はデラフォサイト結晶のピークと考えられスピネル等のピークも混在している.5.今回の実験の範囲では高抵抗の膜しか得られなかった。低抵抗化を図るためには、熱処理以前の膜の組成、特に酸素含有率についてかなり精密な制御をする必要があると考えられる.

Yesterday's annual に lead き 続 き, ホ ッ ト プ レ ス し た copper - ア ル ミ acidification content タ ー ゲ ッ ト か ら ガ ラ ス substrate (7059 ガ ラ ス お よ び quartz ガ ラ ス) に RF ス パ ッ を タ device with い stacking line を っ て membrane た. Stacking conditions: <s:1> substrate heating row わな わな state で, スパッタガス pressure を2(mTorr)ある スパッタガス それ それ below と た た. Accumulation し た membrane に つ い て, light transmittance, determination of X line back to the fold の を line っ た. ま た, accumulation in the membrane を empty 気 で hot 処 Richard し て そ の variations change を 観 examine し た. こ れ ら の be 験 の results, now ま で に わ か っ た こ と は following の と お り で あ る. 1. Accumulation し た ま ま の membrane は ほ と ん ど の conditions で Al rich に な る tendency が あ り, yesterday's annual の be 験 results で や や Cu rich 気 flavour で あ っ た こ と と contradiction が see ら れ た. こ れ は, a つ の タ ー ゲ ッ ト を 継 続 し て use し て い る た め, ス パ ッ タ さ れ る field に お い て ま ず Cu が sentaku に evaporate 発 し, initial に そ の field of の が variations change し た こ と が influence し て い る と exam え ら れ る. 2. ス パ ッ タ ガ ス (ア ル ゴ ン + acid element) の mixed cut close に よ り, accumulation of membrane の が variations change す る こ と が points か っ た. Ar の み の 雰 囲 気 で accumulation し た occasions に は か な り Cu - rich に な る が, O_2 の ratio を raised plus す る に つ れ て Al の composition than が raised し, Ar: degree of O_2 = 2:3 に し た occasion に Cu と Al と の than が ほ ぼ 1:1 と な っ た. 3. ア ル ゴ ン ガ ス で 900 ℃ heat の 処 Richard を line っ た occasions, 12 time degree で transmittance が big き く improve さ れ, hiroo い wavelength van 囲 で が through rate is 70%, reach で き た. し か し, hot 処 に よ っ て film thickness が か な り reduce し て お り, 処 に steamed again in 発 が up こ っ て い る も の と exam え ら れ る. 4. の film after heat 処 manage に つ い て X-ray determination of inflexion に よ り 観 examine さ れ る ピ ー ク は, thin film thickness が い た め に unknown で あ っ て difficulty with fixed が で あ る が, a は デ ラ フ ォ サ イ ト crystallization の ピ ー ク と exam え ら れ ス ピ ネ ル etc. の ピ ー ク も mixed し て い る. 5. This time, we conducted an experiment with our fan 囲で 囲で high resistance <s:1> membrane, and we obtained られな られな った った. Low resistance change を 図 る た め に は, hot 処 の の film, before に acid element contains rate に つ い て か な り precision な suppression を す る necessary が あ る と exam え ら れ る.