Bauelementeverhalten und Transporteigenschaften organischer Feldeffekt-Transistoren: Experiment-Simulation-Theorie

有机场效应晶体管的器件行为和传输特性：实验模拟理论

• 批准号: 5302114
• 负责人: Professor Dr. Gernot Paasch
• 金额: --
• 依托单位: Leibniz-Institut für Festkörper- und Werkstoffforschung Dresden (IFW) e.V.
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Priority Programmes
• 财政年份: 2001
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2000-12-31 至 2007-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5302114?language=en
• 关键词: Bauelementeverhalten; und; Transporteigenschaften; organischer; Feldeffekt

Trotz großer Fortschritte bei der Präparation von organischen Feldeffekttransistoren besteht hinsichtlich der Beschreibung des elektronischen Verhaltens auf der Grundlage des Transportverhaltens ein erheblicher Erkenntnisbedarf. Durch die Kombination von Präparation, experimenteller Charakterisierung, Simulation und Modellierung, beruhend auf Beiträgen zur Transporttheorie soll ein konsistentes und quantitatives Verständnis des Bauelementeverhaltens erreicht werden. Durch Kombination der in einem breiten Parameterbereich durchzuführenden Messungen an MOS-Transistoren und -Kondensatoren mit verschiedenen aktiven und Oxidmaterialien werden das Bauelementeverhalten ermittelt und Ausgangsinformationen für die Simulationen gewonnen. Durch Vergleich experimenteller Daten mit Simulationen werden unterschiedliche Modellvorstellungen untersucht. Theoretische Beiträge vertiefen den Zusammenhang Beweglichkeit-Leitfähigkeit, Drift-Diffusion und Einsteinbeziehung bei Hoppingleitung.

Trotz großer Fortschritte bei der Preparation von organischen Feldeffekttransstoren besteht hinsichtlich der Beschreibung des elektronischen Verhaltens auf der Grundlage des Transportverhaltens ein erheblicher Erkenntnisbedarf.通过对准备、实验、模拟和建模的结合，使运输理论成为韦尔登的一致性和定量化。通过使用激活的MOS晶体管和接触器以及氧化物韦尔登，将一个简单的参数组合成一个元件，并将其用于仿真。通过韦尔登实验数据，可以对模型进行分析。理论上可以解释跳跃运动中的两种运动形式：动力学、漂移-扩散和爱因斯坦运动。