Bauelementeverhalten und Transporteigenschaften organischer Feldeffekt-Transistoren: Experiment-Simulation-Theorie

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Trotz großer Fortschritte bei der Präparation von organischen Feldeffekttransistoren besteht hinsichtlich der Beschreibung des elektronischen Verhaltens auf der Grundlage des Transportverhaltens ein erheblicher Erkenntnisbedarf. Durch die Kombination von Präparation, experimenteller Charakterisierung, Simulation und Modellierung, beruhend auf Beiträgen zur Transporttheorie soll ein konsistentes und quantitatives Verständnis des Bauelementeverhaltens erreicht werden. Durch Kombination der in einem breiten Parameterbereich durchzuführenden Messungen an MOS-Transistoren und -Kondensatoren mit verschiedenen aktiven und Oxidmaterialien werden das Bauelementeverhalten ermittelt und Ausgangsinformationen für die Simulationen gewonnen. Durch Vergleich experimenteller Daten mit Simulationen werden unterschiedliche Modellvorstellungen untersucht. Theoretische Beiträge vertiefen den Zusammenhang Beweglichkeit-Leitfähigkeit, Drift-Diffusion und Einsteinbeziehung bei Hoppingleitung.