Bauelementeverhalten und Transporteigenschaften organischer Feldeffekt-Transistoren: Experiment-Simulation-Theorie

Trotz grotz ßer Fortschritte beder Präparation von organchen feldeffekttransistor and best hinsichtlich der Beschreibung des electrononischen verhalens and derundlage des Transportverhaltens and herbichher erkentnisbedarf。Durch die组合von Präparation，实验研究人员特性分析，仿真与模型分析，在此基础上研究了Beiträgen zur输运理论的一致性和定量Verständnis des bauelenterhaltens erichwerden。Durch组合der in einem breiten parameterberich durchzufhrenden Messungen and mos - transistor und -Kondensatoren und verschiedenen aktiven and Oxidmaterialien werden and bauelementementverhaltenermitt and ausganginformationen fenden Simulationen gewonen。Durch Vergleich实验人员，数据模拟（Daten mit Simulationen werden interschiedlich model）。理论Beiträge漂移扩散理论与爱因斯坦理论研究进展Beweglichkeit-Leitfähigkeit。

Trotz großer Fortschritte bei der Präparation von organischen Feldeffekttransistoren besteht hinsichtlich der Beschreibung des elektronischen Verhaltens auf der Grundlage des Transportverhaltens ein erheblicher Erkenntnisbedarf. Durch die Kombination von Präparation, experimenteller Charakterisierung, Simulation und Modellierung, beruhend auf Beiträgen zur Transporttheorie soll ein konsistentes und quantitatives Verständnis des Bauelementeverhaltens erreicht werden. Durch Kombination der in einem breiten Parameterbereich durchzuführenden Messungen an MOS-Transistoren und -Kondensatoren mit verschiedenen aktiven und Oxidmaterialien werden das Bauelementeverhalten ermittelt und Ausgangsinformationen für die Simulationen gewonnen. Durch Vergleich experimenteller Daten mit Simulationen werden unterschiedliche Modellvorstellungen untersucht. Theoretische Beiträge vertiefen den Zusammenhang Beweglichkeit-Leitfähigkeit, Drift-Diffusion und Einsteinbeziehung bei Hoppingleitung.