Ionischer Transport in inneren Grenzflächen - Korrelation zwischen Grenzflächenstruktur und Transporteigenschaften

电离辐射和扩散在电离层中的作用是非常重要的。在文献中，人们发现体积运输的工作量很小。Die in Grenzflächen häufig stark besanigten Transportprozesse韦尔登oftdurch die Ausbildung von Raumladungszonen erklärt.弹性拉伸对橡胶板的影响，橡胶密封件和包装件只能在较小的工作范围内进行。该Grenzflächenstruktur spielt aber beer der analogen Beschreibung der Kornalzdiffusion in Metallen eine wichtige Rolle.在技术上，材料的破坏性，在Brennstoffzellen和Batteriesystemen eingesetzt韦尔登中的电离层，是一种增强高辐射强度的辐射模型，但它并不梅尔重要。在这一工作中，通过一个外部电离器和一个隔离器实现了一个多功能系统，该系统具有电离辐射的示踪和测量功能。在韦尔登进行基督教东方化。这些数据非常清晰，韦尔登，因此为一个新的模型提供了坚实的基础。Voraussetzung是信息数据的Vorliegen，它是一种结构化的和几何定义的模型系统，仅仅是通过信息数据和高结构化的Schichtsystemen来实现的。第二种增强材料是法国的Klärung，在带有纳米管的系统中也有同样的电子隔离材料。

Ionenleitung und Diffusion in Grenzflächen zwischen ionischen Feststoffen sind bis heute kaum verstanden. In der Literatur findet man im Vergleich zum Volumentransport viel weniger Arbeiten. Die in Grenzflächen häufig stark beschleunigten Transportprozesse werden oft durch die Ausbildung von Raumladungszonen erklärt. Der Einfluss von elastischen Spannungen in der Grenzfläche, Versetzungsnetzwerken und verringerten Packungsdichten wird nur in wenigen Arbeiten berücksichtigt. Die Grenzflächenstruktur spielt aber bei der analogen Beschreibung der Korngrenzdiffusion in Metallen eine wichtige Rolle. In den technisch wichtigen keramischen Materialien, die als Ionenleiter in Brennstoffzellen und Batteriesystemen eingesetzt werden, sind Raumladungsmodelle aufgrund der hohen Ladungsträgerkonzentrationen nicht mehr anwendbar. In dieser Arbeit soll an Multischichtsystemen aus einem extrinsischen Ionenleiter und einem Isolator Tracerdiffusionsmessungen und Messungen der ionischen Leitfähigkeit als Funktion der Gitterfehlpassung bzw. der kristallographischen Orientierung durchgeführt werden. Das verfügbare Datenmaterial soll stark erweitert werden, um so eine solide Basis für ein neues Model zum Grenzflächentransport zwischen kristallinen ionischen Feststoffen zu schaffen. Voraussetzung ist das Vorliegen von Messdaten, die an strukturell vergleichbaren und geometrisch definierten Modellsystemen gewonnen wurden, was nur durch Messungen an hochtexturierten Schichtsystemen zu erreichen ist. Die zweite wichtige Aufgabe ist die Klärung der Frage, ob in Systemen mit einigen Nanometer dicken Schichten auch bei eigentlich elektronisch isolierenden Materialien die elektronische Leitung im grenzflächennahen Bereich zunimmt.