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Elektronische Transporteigenschaften von ultradünnen und ultrakleinen, metallischen Nanodrähten und Nanokontakten

超细和超小金属纳米线和纳米接触的电子输运特性

基本信息

批准号：
210888871
负责人：
Professor Dr. Christoph Tegenkamp
金额：
--
依托单位：
Professur Analytik an Festkörperoberflächen
依托单位国家：
德国
项目类别：
Research Grants
财政年份：
2012
资助国家：
德国
起止时间：
2011-12-31 至 2020-12-31
项目状态：
已结题

来源：
https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/210888871?language=en
关键词：
Elektronische Transporteigenschaften von ultrad nnen

项目摘要

Eindimensionale Systeme mit ihren neuartigen Eigenschaften können nur durch zwei- und dreidimensionale Stabilisierung experimentell zugänglich gemacht werden, d.h. für deren Beobachtung ist die Unterdrückung inhärenter Instabilitäten durch kontrollierte Einbettung essentiell, die den eigentlichen 1d Charakter der Struktur zwar beeinflusst, ihn aber nicht zerstören soll. In diesem Projekt soll speziell das elektronische Transportverhalten der Realisierung von quasi-1d Systemen in Form von ultradünnen und ultrakleinen, metallischen Nanodrähten, gewachsen auf definierten Si-Oberflächen, studiert und mit den strukturellen Eigenschaften auf atomarer Skala korreliert werden. Durch Verwendung zweier Materialklassen (Siliziddrähte und Drahtensembles wie In/Si(111) und Pb/Si(557)) in Kombination mit in-situ Lithographie und Manipulation werden gezielt die Einflüsse von Imperfektionen, inhärenten elektronischen Instabilitäten, Bandfüllungen, Elektron-Phonon Streuung, sowie der Einfluss von Substrat und Ketten-Ketten Wechselwirkung untersucht. Die Verwendung einer 4-Spitzen-STM/SEM-Kombination mit variabler Probentemperatur erlaubt die verschiedenen Draht-Strukturen selektiv zu wachsen, zu charakterisieren und insbesondere definiert zu kontaktieren. Ziel ist, durch die Kombination von lokaler Mikroskopie (STM), Spektroskopie (STS) und Potentiometrie (STP) das Wissen über das Zusammenspiel von lokalen Eigenschaften und deren Auswirkung auf räumlich ausgedehnte, oberflächenempfindliche Transportmessungen signifikant zu verbessern.

EinDimsionale Systeme MIT ihren Neuartigen Eigenschaften könnnen Nur endch zwei-and dreiDimsionale Stabilisierung Examentell Zugänglich giacht den，D.H.Für deren Beobachtung is die Unterdrükücung in härenter inhärenter instablitäten durch kontrollierte Einbettung essentiell，die den eigentlicchen 1D Charakter der Strukur Zwar beeflusst，ihn aber niht zerst zerstören soll.在这项工程中，我们以超空间和超空间的形式，以超空间和超空间的形式，研究和研究了超空间和超空间空间系统，并在此基础上研究了空间和空间的结构特征。使用Verwendung Zweier Materialklassen(Siliziddrähte und DrahtenSemble Wie Wie/Si(111)and Pb/Si(557))在Kombination MIT进行原位光刻和操作，包括：Einflüsse von Imperfektionen，Inhärenten elektronischen Stablitäten，Bandfüllugen，Elektron-phon Streuung，Sowie der Efluss von衬底at Ketten and Ketten Wechselwirkung untersuht。4-Spitzen-STM/SEM-Kombination MIT Variable er Probentemperatur erlabt die verschiedenen Draht-Strukturen selektiv zu wachsen，zu charakterisieren and inbebeondere finiert zu kontaktieren.在此基础上，提出了一种新技术，即STM(STM)、STS(STS)和STP(STP)das Wissen nber das ZusammenSpiel von lokalen Eigenschaften and deren Auswirkung auf räumlich auggedehnte，oberflächenempfindliche proportMessungen is difikant zu verssern。

项目成果

期刊论文数量（7）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Between one and two dimensions: Pb/Si(557) close to monolayer coverage

一维和二维之间：Pb/Si(557) 接近单层覆盖

DOI：
10.1016/j.susc.2015.08.007
发表时间：
2016
期刊：
Surface Science
影响因子：
1.9
作者：
H. Pfnür;C. Brand;M. Jäger;J.P. Rönspies;C. Tegenkamp
通讯作者：
C. Tegenkamp

Surface state conductivity in epitaxially grown Bi1−xSbx(111) films

外延生长 Bi1âxSbx(111) 薄膜的表面态电导率

DOI：
10.1088/1367-2630/18/9/093012
发表时间：
2016
期刊：
New Journal of Physics
影响因子：
3.3
作者：
J. Koch;P. Kröger;H. Pfnür;C. Tegenkamp
通讯作者：
C. Tegenkamp

Interwire coupling for In(4 x 1)/Si(111) probed by surface transport

通过表面传输探测 In(4 x 1)/Si(111) 的线间耦合

DOI：
10.1103/physrevb.92.085426
发表时间：
2015
期刊：
Physical Review B
影响因子：
3.7
作者：
F. Edler;I. Miccoli;S. Demuth;H. Pfnür;S. Wippermann;A. Lücke;W.G. Schmidt;C. Tegenkamp
通讯作者：
C. Tegenkamp

Space charge layer effects in silicon studied by in situ surface transport

通过原位表面传输研究硅中的空间电荷层效应