Elektronische Transporteigenschaften von ultradünnen und ultrakleinen, metallischen Nanodrähten und Nanokontakten

超细和超小金属纳米线和纳米接触的电子输运特性

• 批准号: 210888871
• 负责人: Professor Dr. Christoph Tegenkamp
• 金额: --
• 依托单位: Professur Analytik an Festkörperoberflächen
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 2012
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2011-12-31 至 2020-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/210888871?language=en
• 关键词: Elektronische; Transporteigenschaften; von; ultrad; nnen

Eindimensionale Systeme mit ihren neuartigen Eigenschaften können nur durch zwei- und dreidimensionale Stabilisierung experimentell zugänglich gemacht werden, d.h. für deren Beobachtung ist die Unterdrückung inhärenter Instabilitäten durch kontrollierte Einbettung essentiell, die den eigentlichen 1d Charakter der Struktur zwar beeinflusst, ihn aber nicht zerstören soll. In diesem Projekt soll speziell das elektronische Transportverhalten der Realisierung von quasi-1d Systemen in Form von ultradünnen und ultrakleinen, metallischen Nanodrähten, gewachsen auf definierten Si-Oberflächen, studiert und mit den strukturellen Eigenschaften auf atomarer Skala korreliert werden. Durch Verwendung zweier Materialklassen (Siliziddrähte und Drahtensembles wie In/Si(111) und Pb/Si(557)) in Kombination mit in-situ Lithographie und Manipulation werden gezielt die Einflüsse von Imperfektionen, inhärenten elektronischen Instabilitäten, Bandfüllungen, Elektron-Phonon Streuung, sowie der Einfluss von Substrat und Ketten-Ketten Wechselwirkung untersucht. Die Verwendung einer 4-Spitzen-STM/SEM-Kombination mit variabler Probentemperatur erlaubt die verschiedenen Draht-Strukturen selektiv zu wachsen, zu charakterisieren und insbesondere definiert zu kontaktieren. Ziel ist, durch die Kombination von lokaler Mikroskopie (STM), Spektroskopie (STS) und Potentiometrie (STP) das Wissen über das Zusammenspiel von lokalen Eigenschaften und deren Auswirkung auf räumlich ausgedehnte, oberflächenempfindliche Transportmessungen signifikant zu verbessern.

三维系统与神经系统特征分析können三维稳定与实验研究zugänglich三维稳定与实验研究zugänglich三维稳定与实验研究，d.h.f <s:1>三维稳定与实验研究<e:1>，三维稳定与实验研究<s:2>三维稳定与实验研究inhärenter Instabilitäten三维稳定与实验研究，三维稳定与实验研究，三维稳定与实验研究，三维稳定与实验研究，三维稳定与实验研究，三维稳定与实验研究，三维稳定与实验研究，三维稳定与实验研究，三维稳定与实验研究zerstören soll。在电子工程项目中，特别研究了电子传输与实现的准一维系统的形式，如超导<e:1>与超导，metallischen Nanodrähten, gewachsen auf definierten Si-Oberflächen, studiert and mit den strukturrellen Eigenschaften auf atomarer Skala korreliert werden。Durch Verwendung zweier Materialklassen (Siliziddrähte und Drahtensembles wie In/Si(111) und Pb/Si(557)) In situ lithography and Manipulation werden gezielt die Einfluss von infektionen, inhärenten elektronischen Instabilitäten, bandfellungen，电子声子Streuung， sowie der Einfluss von substrate und Ketten-Ketten Wechselwirkung untersuht。4-Spitzen-STM/ sem -组合可变温度条件下，模具成形成形成形成形成形成形成形成形成形成形成形成形成形成形成形成形成形成形成形成形成形成形成形成形成形成形成形成形成形成形成形成形成形成形成形成形成形成形成形成形成形成形成形成形成形成形成形Ziel 1， durchdie组合von lokaler Mikroskopie (STM), Spektroskopie (STS) and Potentiometrie (STP) das Wissen; Zusammenspiel von lokalen Eigenschaften and deren Auswirkung auf räumlich ausgedehnte, oberflächenempfindliche Transportmessungen signkant zu verbessern。

项目成果

Between one and two dimensions: Pb/Si(557) close to monolayer coverage

一维和二维之间：Pb/Si(557) 接近单层覆盖

• DOI: 10.1016/j.susc.2015.08.007
• 发表时间: 2016
• 期刊: Surface Science
• 影响因子: 1.9
• 作者: H. Pfnür;C. Brand;M. Jäger;J.P. Rönspies;C. Tegenkamp
• 通讯作者: C. Tegenkamp

Surface state conductivity in epitaxially grown Bi1−xSbx(111) films

外延生长 Bi1âxSbx(111) 薄膜的表面态电导率

• DOI: 10.1088/1367-2630/18/9/093012
• 发表时间: 2016
• 期刊: New Journal of Physics
• 影响因子: 3.3
• 作者: J. Koch;P. Kröger;H. Pfnür;C. Tegenkamp
• 通讯作者: C. Tegenkamp

Interwire coupling for In(4 x 1)/Si(111) probed by surface transport

通过表面传输探测 In(4 x 1)/Si(111) 的线间耦合

• DOI: 10.1103/physrevb.92.085426
• 发表时间: 2015
• 期刊: Physical Review B
• 影响因子: 3.7
• 作者: F. Edler;I. Miccoli;S. Demuth;H. Pfnür;S. Wippermann;A. Lücke;W.G. Schmidt;C. Tegenkamp
• 通讯作者: C. Tegenkamp

Space charge layer effects in silicon studied by in situ surface transport

通过原位表面传输研究硅中的空间电荷层效应

• DOI: 10.1088/1361-648x/ab094e
• 发表时间: 2019
• 期刊: Journal of Physics: Condensed Matter
• 作者: F. Edler;I. Miccoli;H. Pfnür;C. Tegenkamp
• 通讯作者: C. Tegenkamp

Atomic size effects studied by transport in single silicide nanowires

• DOI: 10.1103/physrevb.93.125412
• 发表时间: 2016-03-08
• 期刊: PHYSICAL REVIEW B
• 影响因子: 3.7
• 作者: Miccoli，I.;Edler，F.;Tegenkamp，C.
• 通讯作者: Tegenkamp，C.