Elektronische Transporteigenschaften von ultradünnen und ultrakleinen, metallischen Nanodrähten und Nanokontakten

超细和超小金属纳米线和纳米接触的电子输运特性

基本信息

项目摘要

Eindimensionale Systeme mit ihren neuartigen Eigenschaften können nur durch zwei- und dreidimensionale Stabilisierung experimentell zugänglich gemacht werden, d.h. für deren Beobachtung ist die Unterdrückung inhärenter Instabilitäten durch kontrollierte Einbettung essentiell, die den eigentlichen 1d Charakter der Struktur zwar beeinflusst, ihn aber nicht zerstören soll. In diesem Projekt soll speziell das elektronische Transportverhalten der Realisierung von quasi-1d Systemen in Form von ultradünnen und ultrakleinen, metallischen Nanodrähten, gewachsen auf definierten Si-Oberflächen, studiert und mit den strukturellen Eigenschaften auf atomarer Skala korreliert werden. Durch Verwendung zweier Materialklassen (Siliziddrähte und Drahtensembles wie In/Si(111) und Pb/Si(557)) in Kombination mit in-situ Lithographie und Manipulation werden gezielt die Einflüsse von Imperfektionen, inhärenten elektronischen Instabilitäten, Bandfüllungen, Elektron-Phonon Streuung, sowie der Einfluss von Substrat und Ketten-Ketten Wechselwirkung untersucht. Die Verwendung einer 4-Spitzen-STM/SEM-Kombination mit variabler Probentemperatur erlaubt die verschiedenen Draht-Strukturen selektiv zu wachsen, zu charakterisieren und insbesondere definiert zu kontaktieren. Ziel ist, durch die Kombination von lokaler Mikroskopie (STM), Spektroskopie (STS) und Potentiometrie (STP) das Wissen über das Zusammenspiel von lokalen Eigenschaften und deren Auswirkung auf räumlich ausgedehnte, oberflächenempfindliche Transportmessungen signifikant zu verbessern.
EinDimsionale Systeme MIT ihren Neuartigen Eigenschaften könnnen Nur endch zwei-and dreiDimsionale Stabilisierung Examentell Zugänglich giacht den,D.H.Für deren Beobachtung is die Unterdrükücung in härenter inhärenter instablitäten durch kontrollierte Einbettung essentiell,die den eigentlicchen 1D Charakter der Strukur Zwar beeflusst,ihn aber niht zerst zerstören soll.在这项工程中,我们以超空间和超空间的形式,以超空间和超空间的形式,研究和研究了超空间和超空间空间系统,并在此基础上研究了空间和空间的结构特征。使用Verwendung Zweier Materialklassen(Siliziddrähte und DrahtenSemble Wie Wie/Si(111)and Pb/Si(557))在Kombination MIT进行原位光刻和操作,包括:Einflüsse von Imperfektionen,Inhärenten elektronischen Stablitäten,Bandfüllugen,Elektron-phon Streuung,Sowie der Efluss von衬底at Ketten and Ketten Wechselwirkung untersuht。4-Spitzen-STM/SEM-Kombination MIT Variable er Probentemperatur erlabt die verschiedenen Draht-Strukturen selektiv zu wachsen,zu charakterisieren and inbebeondere finiert zu kontaktieren.在此基础上,提出了一种新技术,即STM(STM)、STS(STS)和STP(STP)das Wissen nber das ZusammenSpiel von lokalen Eigenschaften and deren Auswirkung auf räumlich auggedehnte,oberflächenempfindliche proportMessungen is difikant zu verssern。

项目成果

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Between one and two dimensions: Pb/Si(557) close to monolayer coverage
一维和二维之间:Pb/Si(557) 接近单层覆盖
  • DOI:
    10.1016/j.susc.2015.08.007
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.9
  • 作者:
    H. Pfnür;C. Brand;M. Jäger;J.P. Rönspies;C. Tegenkamp
  • 通讯作者:
    C. Tegenkamp
Surface state conductivity in epitaxially grown Bi1−xSbx(111) films
外延生长 Bi1âxSbx(111) 薄膜的表面态电导率
  • DOI:
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  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
  • 影响因子:
    3.3
  • 作者:
    J. Koch;P. Kröger;H. Pfnür;C. Tegenkamp
  • 通讯作者:
    C. Tegenkamp
Interwire coupling for In(4 x 1)/Si(111) probed by surface transport
通过表面传输探测 In(4 x 1)/Si(111) 的线间耦合
  • DOI:
    10.1103/physrevb.92.085426
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
  • 影响因子:
    3.7
  • 作者:
    F. Edler;I. Miccoli;S. Demuth;H. Pfnür;S. Wippermann;A. Lücke;W.G. Schmidt;C. Tegenkamp
  • 通讯作者:
    C. Tegenkamp
Space charge layer effects in silicon studied by in situ surface transport
通过原位表面传输研究硅中的空间电荷层效应
  • DOI:
    10.1088/1361-648x/ab094e
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    F. Edler;I. Miccoli;H. Pfnür;C. Tegenkamp
  • 通讯作者:
    C. Tegenkamp
Atomic size effects studied by transport in single silicide nanowires
  • DOI:
    10.1103/physrevb.93.125412
  • 发表时间:
    2016-03-08
  • 期刊:
  • 影响因子:
    3.7
  • 作者:
    Miccoli,I.;Edler,F.;Tegenkamp,C.
  • 通讯作者:
    Tegenkamp,C.
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