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Elektronische Transporteigenschaften von ultradünnen und ultrakleinen, metallischen Nanodrähten und Nanokontakten

超细和超小金属纳米线和纳米接触的电子输运特性

基本信息

批准号：
210888871
负责人：
Professor Dr. Christoph Tegenkamp
金额：
--
依托单位：
Professur Analytik an Festkörperoberflächen
依托单位国家：
德国
项目类别：
Research Grants
财政年份：
2012
资助国家：
德国
起止时间：
2011-12-31 至 2020-12-31
项目状态：
已结题

来源：
https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/210888871?language=en
关键词：
Elektronische Transporteigenschaften von ultrad nnen

项目摘要

Eindimensionale Systeme mit ihren neuartigen Eigenschaften können nur durch zwei- und dreidimensionale Stabilisierung experimentell zugänglich gemacht werden, d.h. für deren Beobachtung ist die Unterdrückung inhärenter Instabilitäten durch kontrollierte Einbettung essentiell, die den eigentlichen 1d Charakter der Struktur zwar beeinflusst, ihn aber nicht zerstören soll. In diesem Projekt soll speziell das elektronische Transportverhalten der Realisierung von quasi-1d Systemen in Form von ultradünnen und ultrakleinen, metallischen Nanodrähten, gewachsen auf definierten Si-Oberflächen, studiert und mit den strukturellen Eigenschaften auf atomarer Skala korreliert werden. Durch Verwendung zweier Materialklassen (Siliziddrähte und Drahtensembles wie In/Si(111) und Pb/Si(557)) in Kombination mit in-situ Lithographie und Manipulation werden gezielt die Einflüsse von Imperfektionen, inhärenten elektronischen Instabilitäten, Bandfüllungen, Elektron-Phonon Streuung, sowie der Einfluss von Substrat und Ketten-Ketten Wechselwirkung untersucht. Die Verwendung einer 4-Spitzen-STM/SEM-Kombination mit variabler Probentemperatur erlaubt die verschiedenen Draht-Strukturen selektiv zu wachsen, zu charakterisieren und insbesondere definiert zu kontaktieren. Ziel ist, durch die Kombination von lokaler Mikroskopie (STM), Spektroskopie (STS) und Potentiometrie (STP) das Wissen über das Zusammenspiel von lokalen Eigenschaften und deren Auswirkung auf räumlich ausgedehnte, oberflächenempfindliche Transportmessungen signifikant zu verbessern.

Eindimensionale Systeme mit ihren neuartigen Eigenschaften können努尔durch twei- und dreidimensionale Stabilisierung experimentell zugänglich gemacht韦尔登，d.h. für deren Beobachtung ist die Unterdrückung inhärenter Instabilitäten durch kontrollierte Einbettung essentiell，die den eigentlichen 1d Charakter der Struktur zwar beeinflusst，ihn aber nicht zerstören soll.在这个项目中，我们专门研究了以超硬和超轻的形式实现准一维系统的电子输运，金属纳米颗粒，在Si Oberflächen上的定义，研究和研究了原子核韦尔登上的结构特征。通过原位光刻和操作韦尔登技术，在复合材料中测试了两种不同的材料（Si/Si（111）和Pb/Si（557）），它们对缺陷的影响，包括电子不稳定性、带通、电子-声子散射，以及对衬底和Ketten-Ketten的影响。采用可变探针温度的4-Spitzen-STM/SEM组合，可使垂直拉伸结构选择性地形成，从而形成特征，并可确定约束条件。因此，通过将局部微镜（STM）、光谱仪（STS）和电位仪（STP）相结合，可以获得局部特征和辅助测量的知识，从而获得重要的传输信息。

项目成果

期刊论文数量（7）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Between one and two dimensions: Pb/Si(557) close to monolayer coverage

一维和二维之间：Pb/Si(557) 接近单层覆盖

DOI：
10.1016/j.susc.2015.08.007
发表时间：
2016
期刊：
Surface Science
影响因子：
1.9
作者：
H. Pfnür;C. Brand;M. Jäger;J.P. Rönspies;C. Tegenkamp
通讯作者：
C. Tegenkamp

Surface state conductivity in epitaxially grown Bi1−xSbx(111) films

外延生长 Bi1âxSbx(111) 薄膜的表面态电导率

DOI：
10.1088/1367-2630/18/9/093012
发表时间：
2016
期刊：
New Journal of Physics
影响因子：
3.3
作者：
J. Koch;P. Kröger;H. Pfnür;C. Tegenkamp
通讯作者：
C. Tegenkamp

Interwire coupling for In(4 x 1)/Si(111) probed by surface transport

通过表面传输探测 In(4 x 1)/Si(111) 的线间耦合

DOI：
10.1103/physrevb.92.085426
发表时间：
2015
期刊：
Physical Review B
影响因子：
3.7
作者：
F. Edler;I. Miccoli;S. Demuth;H. Pfnür;S. Wippermann;A. Lücke;W.G. Schmidt;C. Tegenkamp
通讯作者：
C. Tegenkamp

Space charge layer effects in silicon studied by in situ surface transport

通过原位表面传输研究硅中的空间电荷层效应