权益分类	功能权益	普通用户	{{item.name}}会员
{{category.name}}	{{benefitItem.name}}

IV族半導体ナノ構造のバンドギャップエンジニアリングと高効率発光素子の開発

IV族半导体纳米结构的带隙工程及高效发光器件的开发

基本信息

批准号：
00J04990
负责人：
歳清公明
金额：
$ 1.92万
依托单位：
Kobe University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份：
2000
资助国家：
日本
起止时间：
2000 至 2002
项目状态：
已结题

项目摘要

P、Bを同時ドープしたSiナノ結晶からの発光Siナノ結晶の発光特性は不純物の種類、ドープ量によって大きく変化します。不純物制御は、半導体の物性を決定する最も重要な要素であり、現在のデバイスのほとんどはその物性を不純物ドーピングによって制御しています。そのため、Siナノ結晶を発光素子や集積回路として実用化するためには、さらなる不純物効果の知識が必要となります。本研究では、PとBを同時ドープしたSiナノ結晶を作製しました。BPSG (borophosphosilicate glass)中にSiナノ結晶を作製し、様々なP濃度において、発光特性、吸収特性を調べました。P濃度の増加に伴って、発光ピークは低エネルギー側にシフトし、バルクSi結晶のバンドギャップエネルギー以下でD-Aペア発光が観測されました。D-Aペア発光は、室温においても観測され、発光強度は低温時(5K)の約2分の1程度でした。また、同時ドープSiナノ結晶の発光寿命は、ピュアSiナノ結晶に比べて1桁程度短いことが分かりました。なお、Siナノ結晶からの室温D-Aペア発光に関する報告は、本研究が初めてとなります。光吸収測定の結果から、ナノメートルサイズのSi結晶において、自由キャリア同士のcompensationが可能であることが分かりました。

P and B at the same time, the optical properties of Si are not affected by the optical properties of Si, and the temperature is very high. The physical properties of the object and the semi-body determine the most important elements, and now the physical properties are the most important. It is necessary to know that it is necessary to use this method. In this study, the results of Si analysis were analyzed and analyzed at the same time. The results of Si temperature in BPSG (borophosphosilicate glass) are characterized by optical density, optical density, optical properties and absorption properties. In terms of temperature, light, temperature, temperature The temperature at room temperature, the temperature at room temperature, and the intensity of light at low temperature (5K) are about 2 minutes and 1 degree respectively. At the same time, the optical life of the Si and the temperature of the Si are shorter than that of the truss. The results show that the temperature of room temperature, room temperature, temperature and temperature. The results of the light absorption test, the results of the light absorption test,