分子配列のフラストレイションによる新規液晶構造形成と協調的スイッチング

由于分子排列受挫而形成新型液晶结构和协同切换

• 批准号: 11167232
• 负责人: 竹添 秀男
• 金额: $ 2.69万
• 依托单位: Tokyo Institute of Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
• 财政年份: 2000
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2000 至 2001
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-11167232/
• 关键词: 液晶; フラストレイション; V字反転; 協調的スイッチング; 減衰全反射エリプソメトリー; 4×4行列法; 層圧縮弾性率; スメクチック液晶; V字型スイッチング; 分極電荷; 誘電率; 界面効果

V字型の電気光学応答を示すスメクティック液晶の層構造について界面のふるまいを中心に研究した。この目的で減衰全反射法エリプソメトリー測定を行った。この結果、界面もバルクと同様collectiveなスイッチングをしていることが分かった。また、分子はツイスト配向をとっているものの、界面近傍で層がねじれ、ツイスト角を緩和していることが分かった。このため、分子配向はほぼ一様となり、高い暗視野を得ることが出来る。また、4×4行列法で全反射光のシミュレーションを行い、界面での分子配列を定量的に評価した。上述の全反射エリプソメトリーで得られた層の柔らかさを確認するために、層圧縮弾性率の測定を行った。通常の傾いていないスメクチック相から傾いたスメクチック相への相転移では相転移の直上で大きな揺らぎのために相転移の前駆現象が起き、層がソフト化するが、転移後は速やかに弾性率は回復する。一方、V字スイッチングを示すSmX^*相を持つ3成分系液晶ではSmA-SmX^*相転移温度でソフト化が起こるが、一般的な試料と違い、、低下した層圧縮弾性率がSmX^*相内で温度が低下しても余り上昇しないことがわかった。このように、この測定でも層はソフトであることが確認された。

V の electric 気 optical 応 answer を shown す ス メ ク テ ィ ッ ク LCD の layer structure に つ い て interface の ふ る ま い を center に research し た. The purpose of <s:1> is to use the で attenuation total reflection method エリプソメトリ エリプソメトリ to determine を rows った. こ の results, interface も バ ル ク と with others in collective な ス イ ッ チ ン グ を し て い る こ と が points か っ た. ま た, molecular は ツ イ ス ト match to を と っ て い る も の の, nearly alongside で interface layer が ね じ れ, ツ イ ス ト Angle を ease し て い る こ と が points か っ た. <s:1> ため, molecular coordination ほぼ ほぼ like とな, high <s:1> dark field of view を る とが とが とが る out る. ま た, 4 x 4 ranks で fully reflected light の シ ミ ュ レ ー シ ョ ン を い, interface で の ligands column を に of quantitative evaluation of 価 し た. The above <s:1> total reflection エリプソメトリ で で で obtained られた layer <s:1> flexibility ら さを さを confirmed するために and the layer compression elasticity rate <e:1> determined を performed った. Usually の pour い て い な い ス メ ク チ ッ ク phase か ら pour い た ス メ ク チ ッ ク phase へ planning の phase shift で は phase planning move straight の で large き な 揺 ら ぎ の た め に 駆 phenomenon before moving phase planning の が き, layer が ソ フ ト change す る が, planning to move after は speed や か に 弾 sex rate reply は す る. Side, V ス イ ッ チ ン グ を す in SmX ^ * 3 composition of liquid crystal phase を hold つ で は SmA - SmX planning ^ * phase shift temperature で ソ フ ト change が up こ る が, general な try と violations い, low, し た layer 圧 shrinkage 弾 sex rate が SmX ^ * phase in low temperature が で し て rising more than も り し な い こ と が わ か っ た. <s:1> ように ように, <s:1> ように determination of the で base layer ソフトである ソフトである とが とが confirmation of された.

项目成果

B. Park et al.: "Molecular Motion in a Smectic Liquid Crystal Showing V-Shaped Switching as Studied by Optical Second-Harmonic Generation"Phys. Rev. E. 59. R3815-R3818 (1999)

B. Park 等人：“通过光学二次谐波生成研究显示 V 形开关的近晶液晶中的分子运动”Phys。

B. Park et al.: "Collective Molecular Motion during V-Shaped Switching in a Smectic Liquid Crystal"Jpn. J. Appl. Phys.. 38. 1474-1481 (1999)

B. Park 等人：“近晶液晶 V 形切换期间的集体分子运动”Jpn。

B. Park et al.: "Mechanism of V-Shaped Switching in Smectic C*-lik LCs"AM0LCD '99. 9-12 (1999)

B. Park 等人：“近晶 C*-lik LC 中的 V 形开关机制”AM0LCD 99。

S.Shibahara et al.: "Layer compression modulus of the Antiferroelcctric Liquid crystal MHDOBC"Ferroelectrics. 244. 159-165 (2000)

S.Shibahara 等人：“反铁电液晶 MHDOBC 的层压缩模量”铁电体。

S.Shibahara et al: "Critical fluctuallons of the untiltel-tilted phase transition in chiral smectic liquid crystals"Phys.Res.E. 62. R7599-R7602 (2000)

S.Shibahara 等人：“手性近晶液晶中蒂特尔倾斜相变的临界涨落”Phys.Res.E。