Entwicklung eines UV-Sensors mit einer coplanaren Struktur auf der Basis amorphen Siliziums

在此基础上，我们设计了180 nm和380 nm两种波长的电子线路和光路。Für den传感器将作为COS(COS)和HIHE(IHE)Enwickelt wurde，erforscht。吸收了大量的光泽和光泽，不同的是它们之间的相互作用。我的方案是从根本上解决问题、几何问题和解决问题的办法。Anhandder Ergebnisse wird das elektrische and Optische modell des COS verfeinert and Dessen参数an die Bauteileigenschaften angepaüt，so da？Einatzmöglichkeiten des Detektors z.B.in der MedizinTechnik，der Umwell ticherik der Qualitätssicherung valuiert we den können.

Ziel des Forschungsvorhabens ist es, einen neuen hochempfindlichen Strahlungsdetektor für einen Wellenlängenbereich von 180 nm bis 380 nm auf der Basis amorphen Siliziums zu untersuchen und ein elektrisches und optisches Modell des Detektors zu entwickeln. Für den Sensor wird das Konzept des coplanaren Strahlungsdetektors (COS), welches am Institut für Halbleiterelektronik (IHE) entwickelt wurde, erforscht. Absorptionsverluste, die bei Photodioden in der oberflächennahen, dotierten Halbleiterschicht auftreten, werden beim COS vermieden. Im Rahmen des Arbeitsprogrammes werden Abscheidebedingungen, Geometrie und Aufbau untersucht sowie zahlreiche charakterisierende Messungen durchgeführt. Anhand der Ergebnisse wird das elektrische und optische Modell des COS verfeinert und dessen Parameter an die Bauteileigenschaften angepaßt, so daß Einsatzmöglichkeiten des Detektors z.B. in der Medizintechnik, der Umwelttechnik und der Qualitätssicherung evaluiert werden können.