Entwicklung eines UV-Sensors mit einer coplanaren Struktur auf der Basis amorphen Siliziums

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Ziel des Forschungsvorhabens ist es, einen neuen hochempfindlichen Strahlungsdetektor für einen Wellenlängenbereich von 180 nm bis 380 nm auf der Basis amorphen Siliziums zu untersuchen und ein elektrisches und optisches Modell des Detektors zu entwickeln. Für den Sensor wird das Konzept des coplanaren Strahlungsdetektors (COS), welches am Institut für Halbleiterelektronik (IHE) entwickelt wurde, erforscht. Absorptionsverluste, die bei Photodioden in der oberflächennahen, dotierten Halbleiterschicht auftreten, werden beim COS vermieden. Im Rahmen des Arbeitsprogrammes werden Abscheidebedingungen, Geometrie und Aufbau untersucht sowie zahlreiche charakterisierende Messungen durchgeführt. Anhand der Ergebnisse wird das elektrische und optische Modell des COS verfeinert und dessen Parameter an die Bauteileigenschaften angepaßt, so daß Einsatzmöglichkeiten des Detektors z.B. in der Medizintechnik, der Umwelttechnik und der Qualitätssicherung evaluiert werden können.