Low molecular weight organic field effect transistors with large charge carrier mobilities
具有大载流子迁移率的低分子量有机场效应晶体管
基本信息
- 批准号:5304588
- 负责人:
- 金额:--
- 依托单位:
- 依托单位国家:德国
- 项目类别:Priority Programmes
- 财政年份:2001
- 资助国家:德国
- 起止时间:2000-12-31 至 2008-12-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
Die übergeordnete Zielsetzung des vorliegenden Antrags besteht darin, die Entwicklung besonders schneller und effizienter organischer Dünnschicht-Feldeffekt-Transistoren durch gezielte Grundlagenforschung voranzutreiben. Dazu sollen zunächst Modelluntersuchungen zum Ladungsträgertransport in höchstreinen und perfekten dünnen organischen Einkristallscheiben durchgeführt werden (Teilbereich A). Diese Untersuchungen dienen vorrangig dazu, die Grenzen des physikalisch Möglichen - insbesondere bezüglich hoher Ladungsträger-Beweglichkeiten, die mit erwünschten hohen Schaltgeschwindigkeiten und geringen ohmschen Verlusten korrelieren - abzustecken und zu verstehen, aber auch (in Zusammenarbeit mit der Gruppe von Herrn von Klitzing), faszinierende neue Aspekte, wie Quantenhalleffekte [29] und Supraleitung [30,31] in organischen Feldeffekt-Transistorstrukturen zu erkunden. Die größte Relevanz für praktische Anwendungen kommt effizienten organischen Dünnschicht-Feldeffekt-Transistoren aus vakuumaufdampfbaren selbstordnenden großen Aromaten und Heteroaromaten zu. Dieser Thematik ist der Teilbereich B) des Antrags gewidmet. Materialwissenschaftliche Untersuchungen zu den Möglichkeiten und Randbedingungen des höchstgeordneten epitaktischen (d.h. einkristallinen) Wachstums organischer Halbleiterschichten auf isolierenden sowohl anorganischen als auch organischen Einkristall-Substraten dienen einerseits der Grundlagenforschung. Epitaktische Schichten organischer Halbleiter auf dünnen epitaktischen Gate-Isolationsschichten sollten es nämlich gestatten, ähnlich hohe Beweglichkeiten wie in Einkristallen zu erreichen. Andererseits lassen solche Untersuchungen erkennen, in welche Richtung weitere Entwicklungen gehen können.
德国<s:1>科学与技术研究所-德国科学与技术研究所-德国科学与技术研究所-德国科学与技术研究所-德国科学与技术研究所-德国科学与技术研究所。大足sollen zunächst Modelluntersuchungen zum Ladungsträgertransport in höchstreinen and perfekten d<e:1> nnen organischen Einkristallscheiben durchgefhrt werden (teilbereicha)。Diese Untersuchungen dienen vorrangig dazu, die Grenzen des physikalisch Möglichen - insbesonere bezgelich hoher Ladungsträger-Beweglichkeiten, die mitmiterw<s:1> nschten hohen Schaltgeschwindigkeiten和geringen ohmschen verrelieren - abzustecken和zu versteen, aber auch (in Zusammenarbeit mitder Gruppe von Herrn von Klitzing), faszinierende neue Aspekte, wie Quantenhalleffekte[29]和Supraleitung [30,31] in organischen Feldeffekt-Transistorstrukturen zu erkunden。[endnoteref: 1] [endnoteref: 1] [endnoteref: 1] [endnoteref: 1] [endnoteref: 1] [endnoteref: 1] [endnoteref: 1] [endnoteref: 1] [endnoteref: 1] [endnoteref: 1] [endnoteref: 1] [endnoteref: 1][2][2][3][3][3]。Materialwissenschaftliche Untersuchungen zu den Möglichkeiten and Randbedingungen des höchstgeordneten epitaktischen (d.h. einkristallen) Wachstums organischer Halbleiterschichten auf isolierenden sowohlanorganchen Einkristall-Substraten dienen einterseits der Grundlagenforschung。Epitaktische Schichten组织者Halbleiter auf dnnen epitaktischen Gate-Isolationsschichten sollten es nämlich gestatten, ähnlich hohe Beweglichkeiten wie in Einkristallen zu erreichen。在welche Richtung weitere Entwicklungen gehen können。
项目成果
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