半導体ハニカムホールアレイの自己組織的形成と評価

半导体蜂窝孔阵列的自组织形成与评估

• 批准号: 12875002
• 负责人: 森下 義隆
• 金额: $ 1.34万
• 依托单位: Tokyo University of Agriculture and Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Exploratory Research
• 财政年份: 2000
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2000 至 2001
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-12875002/
• 关键词: 陽極酸化; フォトニクス; 半導体

位置とサイズを制御したハニカムホールアレイを自己組織的に磁界印加陽極酸化で作製し評価することと、フォトニック結晶への応用を目的として、印加磁界の様々な条件下でGaAs基板を陽極酸化し、ハニカム孔を作製し・評価した。Wランプの照射下、アンモニア溶液中でn型GaAs基板を、磁界を試料表面に水平に印加しながら陽極酸化することで、ハニカムホールアレイのサイズとそのゆらぎが印加磁界が1.5Tの時にd=218nm、σ=23nmとなり、均一なハニカム孔を得ることに成功した。また、ウィンドウ内における規則性の面内分布を調べた結果、ローレンツ力を強く受ける部分で規則性が高まることが分かった。一方、磁界を試料表明に垂直に印加すると、Wランプの照射によって生じたホールのサイクロトロンの効果で、孔の底の形状がお椀型になり、孔の側面が垂直になることが分かった。さらに、垂直に磁界を印可すると、孔のまわりの壁の厚さが大きくなり、ハニカム孔の直径が小さくなることが分かった。これらの結果は、新しい微細化高技術の創成と、高品質なフォトニック結晶を作製する際の中心的な基盤技術となるものであるが、一方でアスペクト比の高い孔を開けるためにはさらに高い磁界(約10T)を印加する必要性があることが分かった。

The location of the magnetic system makes it possible to acidify the GaAs substrate under the conditions of the Indo-Canadian magnetic field, the Indo-Canadian magnetic field and the Indo-Canadian magnetic field. Under the irradiation of W temperature, the temperature of n-type GaAs substrate in the solution, the level of the surface of the magnetic material, the temperature difference, the temperature difference, the temperature, the temperature, the The results of the test results are distributed in the normal plane, and the stress is strongly affected by some of the regulations. One side, the magnetic field material indicates that it is perpendicular to the Incas, W to the radiation, to the surface of the hole, to the bottom of the hole, to the shape of the hole, and to the surface of the hole. The diameter of the hole is small, the diameter of the hole is small, and the diameter of the hole is small. The results of the experiment, the new micro-technology system, the high-quality technology system, and the basic technology system of the center of the high-quality technology, the results of the results, the results of the new micro-technology system, the results of the new micro-technology system, the results of the high-quality micro-technology system, the results of the new micro-technology system, the results of the high-quality micro-technology system, the results of the new micro-technology system, the results of the high-quality micro-technology system, the results of the high-quality micro-technology system, the results of the new micro-technology system, the results of the high-quality

项目成果

佐藤 勝昭: "Nonlinear magneto-optical Effect in Fe/Au superlattices modulated by non-integrated atomic layers"J.Appl.Phys.. 87. 6785-6787 (2000)

Katsuaki Sato：“非集成原子层调制的 Fe/Au 超晶格中的非线性磁光效应”J.Appl.Phys.. 87. 6785-6787 (2000)

佐藤 勝昭: "Room temperature ferromagnetism in novel diluted magnetic semiconductor Cd1-xMnxGeP2"Jpn.J.Appl.Phys.. 39. L949-L951 (2000)

Katsuaki Sato：“新型稀磁半导体 Cd1-xMnxGeP2 中的室温铁磁性”Jpn.J.Appl.Phys.. 39. L949-L951 (2000)

佐藤 勝昭: "EPR and PL Study of Defects in CuGaSe2 Single Crystals Grown by the Travelling Heater Method"Jpn.J.Appl.Phys.. 40. 59-63 (2001)

Katsuaki Sato：“通过移动加热器法生长的 CuGaSe2 单晶缺陷的 EPR 和 PL 研究”Jpn.J.Appl.Phys.. 40. 59-63 (2001)

佐藤 勝昭: "Photoluminescent properties of polycrystalline solar cells ZnO/CdS/CuInGaSe2 at low temperature"Physics and Techniques of Semiconduct. 35. 1385-1390 (2001)

Katsuaki Sato：“多晶太阳能电池 ZnO/CdS/CuInGaSe2 在低温下的光致发光特性”《半导体物理与技术》35。1385-1390 (2001)。

森下 義隆: "Magnetic-field assisted anodization of GaAs"Electrochemical & Solid-State Letters. 4. G4-G6 (2001)

Yoshitaka Morishita：“GaAs 的磁场辅助阳极氧化”电化学与固态快报 4. G4-G6 (2001)。