Experimentelle Demonstration eines bipolaren Hochspannungsschalters mit beidseitig gesteuerten Emitterstrukturen

两侧控制发射极结构的双极高压开关的实验演示

• 批准号: 5317004
• 负责人: Professor Dr. Michael Stoisiek
• 金额: --
• 依托单位: Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 2004
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2003-12-31 至 2006-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5317004?language=en
• 关键词: Experimentelle; Demonstration; eines; bipolaren; Hochspannungsschalters

Bipolare Leistungshalbleiterbauelemente mit hoher Spannungsfestigkeit (Thyristoren, GTOs, IGBTs) stellen in ihrer konstruktiven Auslegung immer ein Kompromiß zwischen niedrigem Spannungsabfall im eingeschalteten Zustand einerseits und niedrigen Schaltverlusten andererseits dar. Kompromißlos Leistungshalbleiter, bei denen die Emittereigenschaften elektrisch steuerbar und die damit unterschiedlichen Betriebsbedingungen jeweils optimal anpaßbar sind, wurden zwar vorgeschlagen, bisher jedoch nur durch numerische Simulation untersucht. Eine experimentelle Realisierung der vertikal stromführenden Strukturen scheiterte bisher daran, daß die nötige Herstellungstechnologie extrem aufwendig ist. Ziel des vorliegenden Forschungsprojektes ist die Herstellung von lateral stromführenden hochsperrenden bipolaren Leistungshalbleitern mit beidseitig steuerbaren Emitterstrukturen sowohl zur experimentellen Verifikation des vorgeschlagenen neuen Bauelementtyps als auch zur experimentellen Untersuchung seiner Anwendungsmöglichkeiten. Die konkret vorgesehene neuartige Bauelementstruktur ist dabei so gewählt, daß sie unter ausschließlicher Benutzung eines in Forschungsinstituten und bei industriellen IC-Herstellern vorhandenen IC-Herstellungsprozesses realisiert werden kann und somit der Aufwand zur Herstellung in einem vertretbaren Rahmen bleibt. Darüber hinaus ist die von uns vorgeschlagene Bauelementstruktur zur Integration in sogenannte Smart-Power ICs geeignet, die im Bereich kleiner und mittlerer Leistung bevorzugt Einsatz finden.

BIPOLE ListungshalbleIterbauelemente MIT Hoher Spannungsfestigkeit(Thyristoren，GTOS，IGBTS)stellen in Ihrer Konstruktiven Ausleung Immer ehhor Her Her Konstruktiven Ausleung Immer ein Eingeschalteen Zizchen niedrigem Spannungsabfall im eingeseschalteen Zustand einsiits and niedrigen Schaltverlusten einsiits and niedrigen Schaltverlusten einsiits in eingeschalteen zustand zustand einseits and niedrigen Schaltverlusten and erdered dar.这是最好的数字模拟工具，也是最好的选择。这是一项新的实验，从技术的极端角度来看，这是一种极端的技术。这是一项新的技术和技术的研究和应用，其目的是为了更好地利用新的技术和技术。德国工业协会和德国工业协会在这一领域进行了大量的研究和实践。Darüber hinaus is die von s vorgeschlagene Bauelement Structure zur集成in Sgenannte Smart-Power IC geeignet，die im Bereich Kleiner and mittlerer leistung bevorzugt einsat z finden.