軟X線ラマン散乱による強相関電子系物質のMott転移近傍における電子相関の研究
利用软X射线拉曼散射研究强相关电子材料莫特跃迁附近的电子相关性
基本信息
- 批准号:13740191
- 负责人:
- 金额:$ 1.41万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
- 财政年份:2001
- 资助国家:日本
- 起止时间:2001 至 2002
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
ドープしたMott絶縁体La_<1-x>Sr_xTiO_3の金属-絶縁体転移を生じる。x=0ではMott絶縁体、x>0.05では金属である。ドープ量を変えたことによる転移は、輸送特性の報告から、電子相関の寄与によるものと考えられていたが、その証拠は得られていなかった。本年度の研究では、軟X発光スペクトルに観測されるd-d遷移による軟X線ラマン散乱を解析することにより、転移前後の電子相関と結晶場分裂の大きさを実験的に見積もることに成功した。電子相関は、t_<2g>励起により生じたd-d遷移の軟X線ラマン散乱構造のラマンシフトにより見積もられる。結晶場分裂は、e_g励起により生じたd-d遷移の軟X線ラマン散乱構造のラマンシフトにより見積もられる。電子相関の値は4.0eVであり、転移前後での変化は見られなかった。また、電子相関の大きさは、光電子分光と逆光電子分光から、見積もられる上下ハバードのエネルギー差と一致していることが確かめられた。結晶場分裂の大きさは、X線吸収スペクトルの結果と一致し、転移前後で変化が見られた。その他、軟X線発光スペクトルに観測されるDrude-peakは、Mott絶縁体において消滅していることから、準粒子バンドからハバードバンドへのSpectral-weight-transferを示唆する結果を得ている。これらの結果は、DMFT(dynamical-mean-field-theory)によって計算された事実を裏付けている。
The metal-insulator transition of Mott insulator La_<1-x>Sr_xTiO_3 occurs. x=0 For example, if you want to change the color of the film, you can change the color of the film. This year's research is successful in detecting d-d migration of soft X-rays, analyzing electron correlation before and after migration, and analyzing crystal field splitting. Electronic correlation, t_<2g>excitation, d-d migration, and scattering Crystal field splitting, e_g excitation, d-d migration and soft X-ray scattering The electron correlation value is 4.0eV. Optoelectronic spectroscopy and inverse photoelectron spectroscopy are used to detect the difference between the two. The results of crystal field splitting and X-ray absorption are consistent, and the changes before and after the shift are observed. The results of Drude-peak, Mott insulation and spectral weight-transfer of other and soft X-ray emission spectra were obtained. DMFT(dynamical-mean-field-theory) is a computational method for solving problems.
项目成果
期刊论文数量(12)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
T.Higuchi, T.Takeuchi, T.Tsukamoto, Y.Harada, Y.Taguchi, Y.Tokura, S.Shin: "Electron correlation energy of La_xSr_<1-x>TiO_3 by high-resolution soft-X-ray emission spectroscopy"Nucl.Instrum.Methods B. 199. 386-390 (2003)
T.Higuchi、T.Takeuchi、T.Tsukamoto、Y.Harada、Y.Taguchi、Y.Tokura、S.Shin:“通过高分辨率软 X 射线发射获得 La_xSr_<1-x>TiO_3 的电子相关能
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
T.Higuchi, T.Tsukamoto, S.Yamaguchi, Y.Tezuka, S.Shin: "Electronic structure of 4d transition metal compound ZrF_4 by resonant-photoemission spectroscopy"Jpn.J.Appl.Phys.. 41. 2090-2093 (2002)
T.Higuchi、T.Tsukamoto、S.Yamaguchi、Y.Tezuka、S.Shin:“通过共振光电子发射光谱法研究 4d 过渡金属化合物 ZrF_4 的电子结构”Jpn.J.Appl.Phys.. 41. 2090-2093 (
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
T.Higuchi, S.Nozawa, T.Tsukamoto, R.Eguchi, H.Ishii, Y.Tezuka, S.Yamaguchi, K.Kanai, S.Shin: "Unoccupied electronic structure in the surface state of lightly-doped SrTiO_3 by resonant-inverse photoemission spectroscopy"Phys.Rev.B. 66. 151302-1-151302-4 (2
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- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
M.Tanaka, T.Higuchi, K.Kudoh, T.Tsukamoto: "Growth of Bi_4Ti_3O_<12> Thin Film by Two-Dimensional RF Magnetron Sputtering with TiO_2 and Bi_2O_3 Targets"Japanese Journal of Applied Physics. 41. 3/15掲載 (2002)
M.Tanaka、T.Higuchi、K.Kudoh、T.Tsukamoto:“使用 TiO_2 和 Bi_2O_3 靶材进行二维射频磁控溅射生长 Bi_4Ti_3O_<12> 薄膜”,日本应用物理学杂志,发表于 3/。 15 (2002)
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
T.Higuchi, T.Tsukamoto, S.Yamaguchi, Y.Tezuka, S.Shin: "Ti-O Hybridization Effect of Nd-doped SrTiO_3 by Resonant-Photoemission Spectroscopy"Japanese Journal of Applied Physics. 40. L201-202 (2001)
T.Higuchi、T.Tsukamoto、S.Yamaguchi、Y.Tezuka、S.Shin:“共振光电子发射光谱法对 Nd 掺杂 SrTiO_3 的 Ti-O 杂化效应”日本应用物理学杂志。
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