高分解能共鳴逆光電子分光によるホールをドープしたMott絶縁体の非占有電子状態
高分解能共鳴逆光電子分光によるホールをドープしたMott絶縁体の非占有電子状態
批准号:
15740224
负责人:
樋口 透
金额:
$1.98万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份:
2003
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2003 至 2004
中文摘要
ペロブスカイト型酸化物LaTiO_3は、d^1電子系のMott絶縁体である。La^<3+>サイトにSr^<2+>を置換(La_<1-x>Sr_xTiO_3)するで、Mott絶縁体から金属へ転移する。この絶縁体-金属(I-M)転移の臨界濃度は、x=0.05であり、これ以下の濃度では、系のランダムネスによる局在効果や磁気秩序が存在する。I-M転移の出現は、キャリア数の変化ではなく、その有効質量の増大に現れ、κやγはI-M転移に向けて、臨界的に増大する。これは、I-M転移における電子相関(U_<dd>)の寄与を示唆している。本研究では、逆光電子分光の高分解能化を図り、La_<1-x>Sr_xTiO_3のI-M転移近傍の非占有電子状態を研究した。逆光電子分光の高分解能化を実現するに当たり、軟X線発光分光器の回折格子の改良と検知器の改良を試みた。回折格子は、幅広いエネルギー領域をカバーするために不等間隔平面回折格子を設置した。これらの改良により、100eVの電子エネルギーにて200meVの高分解能を実現した。次に、LaTiO_3単結晶を用いて逆光電子分光測定を行い、E_Fより約2eV付近にTi3d軌道から形成されるUpper-Hubbard bandの存在を確認した。E_F直上には、絶縁体特有のエネルギーギャップが形成されていることも明らかにした。金属相になると、Upper-Hubbard bandの強度は増加する。これは、ホールとして導入されたSrがTiサイトに置換されていることを示唆している。さらに、E_F上に準粒子バンドが形成され、金属特有のFermi面の存在が確認された。Upper-Hubbard bandは、電子相関の大きさを反映するが、絶縁体・金属相共にエネルギー位置は変化せず、バンド幅の変化のみが観測された。以上の結果は、Dynamical-mean-field-theory (DMFT)による計算結果と一致する。
英文摘要
ペロブスカイト型酸化物LaTiO_3は、d^1電子系のMott絶縁体である。La^<3+>サイトにSr^<2+>を置換(La_<1-x>Sr_xTiO_3)するで、Mott絶縁体から金属へ転移する。この絶縁体-金属(I-M)転移の臨界濃度は、x=0.05であり、これ以下の濃度では、系のランダムネスによる局在効果や磁気秩序が存在する。I-M転移の出現は、キャリア数の変化ではなく、その有効質量の増大に現れ、κやγはI-M転移に向けて、臨界的に増大する。これは、I-M転移における電子相関(U_<dd>)の寄与を示唆している。本研究では、逆光電子分光の高分解能化を図り、La_<1-x>Sr_xTiO_3のI-M転移近傍の非占有電子状態を研究した。逆光電子分光の高分解能化を実現するに当たり、軟X線発光分光器の回折格子の改良と検知器の改良を試みた。回折格子は、幅広いエネルギー領域をカバーするために不等間隔平面回折格子を設置した。これらの改良により、100eVの電子エネルギーにて200meVの高分解能を実現した。次に、LaTiO_3単結晶を用いて逆光電子分光測定を行い、E_Fより約2eV付近にTi3d軌道から形成されるUpper-Hubbard bandの存在を確認した。E_F直上には、絶縁体特有のエネルギーギャップが形成されていることも明らかにした。金属相になると、Upper-Hubbard bandの強度は増加する。これは、ホールとして導入されたSrがTiサイトに置換されていることを示唆している。さらに、E_F上に準粒子バンドが形成され、金属特有のFermi面の存在が確認された。Upper-Hubbard bandは、電子相関の大きさを反映するが、絶縁体・金属相共にエネルギー位置は変化せず、バンド幅の変化のみが観測された。以上の結果は、Dynamical-mean-field-theory (DMFT)による計算結果と一致する。
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T.Higuchi, D.Baba, T.Tsukamoto, Y.Taguchi, Y.Tokura, S.Shin: "On-site Coulomb energy vs.crystal-field splitting for insulator-metal transition of La_<1-x>Sr_xTiO_3"Physical Review. B68. 104420-1-104420-5 (2003)
T.Higuchi、D.Baba、T.Tsukamoto、Y.Taguchi、Y.Tokura、S.Shin:“La_<1-x>Sr_xTiO_3 绝缘体-金属转变的现场库仑能量与晶体场分裂”
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
T.Higuchi, Y.Yokoyama, S.Yamaguchi, A.Fukushima, S.Shin, T.Tsukamoto: "Bulk Electronic State of SrTiO_<3-δ> Probed by Resonant Soft-X-ray Emission Spectroscopy"Japanese Journal of Applied Physics. 42. L592-L594 (2003)
T.Higuchi、Y.Yokoyama、S.Yamaguchi、A.Fukushima、S.Shin、T.Tsukamoto:“通过共振软 X 射线发射光谱探测 SrTiO_<3-δ> 的体电子态”日本应用杂志物理学。42.L592-L594(2003)
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
Band Structure of Protonic Conductor BaCe_<0.90>Y_<0.10>O_<3-d> Probed by Soft-X-Ray Spectroscopy
软X射线光谱探测质子导体BaCe_<0.90>Y_<0.10>O_<3-d>的能带结构
DOI:
--
发表时间:
2004
期刊:
Japanese Journal of Applied Physics 43
影响因子:
--
作者:
[T.Higuchi, H.Matsumoto, T.Simura, J.Mizusaki, S.Shin, T.Tsukamoto]
通讯作者:
T.Tsukamoto
T.Higuchi, K.Kobayashi, S.Yamaguchi, A.Fukushima, S.Shin, T.Tsukamoto: "Band Structure of TiO_2-Doped Yttria-Stabilized Zirconia Probed by Soft-X-Ray Spectroscopy"Japanese Journal of Applied Physics. 42. L941-L943 (2003)
T.Higuchi、K.Kobayashi、S.Yamaguchi、A.Fukushima、S.Shin、T.Tsukamoto:“软 X 射线光谱探测 TiO_2 掺杂氧化钇稳定氧化锆的能带结构”日本应用物理学杂志。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
Valence-band photoemission study of b-ZrNCl and the quasi-two-dimensional superconductor NaxZrNCl
b-ZrNCl和准二维超导体NaxZrNCl的价带光电研究
DOI:
--
发表时间:
2004
期刊:
Physical Review B 70
影响因子:
--
作者:
[T.Yokoya, T.Takeuchi, S.Tsuda, T.Kiss, T.Higuchi, S.Shin, T.Takahashi]
通讯作者:
T.Takahashi
共 6 条
全固体イオン伝導体酸化還元素子による強相関酸化物膜の抵抗スイッチング素子の開発
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批准号:22K04933
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额:$2.58万
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财政年份:2022
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负责人:樋口 透
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依托单位:
軟X線ラマン散乱による強相関電子系物質のMott転移近傍における電子相関の研究
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批准号:13740191
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项目类别:Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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资助金额:$1.41万
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财政年份:2001
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负责人:樋口 透
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依托单位:
海外基金