シリコン(111)表面の酸化初期生成物の構造および反応性に関する研究
硅(111)表面氧化初始产物结构及反应活性研究
基本信息
- 批准号:13750030
- 负责人:
- 金额:$ 1.22万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
- 财政年份:2001
- 资助国家:日本
- 起止时间:2001 至 2002
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
シリコン(111)単結晶表面の酸化初期過程を高分解能RBS法で観察した。実験は、まず超高真空中で準備したシリコン(111)清浄表面を、室温で真空槽内に導入した高純度酸素ガスに曝し、酸素ガスの曝露量とシリコン表面に吸着した酸素量の関係を調べた。その結果、曝露量10L以上において、酸素吸着量約0.8ML(面密度6.3×10^<14>cm^<-2>)で飽和することがわかった。これはシリコン(111)清浄表面のシリコンアドアトム(面密度1.9×10^<14>cm^<-2>)1つに対し、3,4個の酸素原子が結合していることを示す。また、次の実験によって酸化生成物の反応性について調べた。超高真空中で準備したシリコン(111)清浄表面を質量数18の酸素ガスに曝して、わずかにシリコン表面を酸化させる。その後、シリコン試料を超高真空中に放置し、真空中にわずかに存在する残留ガス(水分子または酸素分子)による酸化量を測定した。その結果、酸素18の吸着量が0.2-0.3MLの場合、残留ガスによる酸化が、合計の酸素吸着量が約0.4MLに達するまで速やかに進行することが見出された。また酸素18の吸着量が0.1ML程度のときは、残留ガスによる酸化も0.1ML程度に留まった。これから、初期酸化生成物は残留ガスとの反応性が非常に高いことがわかり、初期酸化生成物の構造の特定に重要な情報を与えると考えられる。以上の結果を平成13年9月に開催された日本物理学会2001年秋季大会(講演番号20aTF-6)で発表した。また学術雑誌への投稿を準備中である。またシリコンの酸化におけるシリコン酸化膜とシリコン基板におけるシリコン格子間原子の挙動を調べる準備として、シリコン結晶中にゲルマニウムのデルタ層を作製する研究を行った。その結果を第15回イオンビーム分析に関する国際学会(2001年7月、オーストラリア、ケアンズ市)で発表した。
The process of high decomposition at the initial stage of acidizing on the crystal surface of the alloy can be observed by RBS. In the ultra-high vacuum air, we are ready to clean the surface (111), the vacuum tank at room temperature, the high concentration of acid, the amount of exposure, the amount of acid on the surface. The results showed that the exposure was more than 10L, the acid adsorption was about 0.8ML (area density 6.3x10 ^ & lt;14> cm ^ & lt;-2>), and the acid adsorption was measured. The surface density is 1. 9 × 10 ^ & lt;14> cm^ & lt;-2>) 1, 3, 3, 4, 4, 4, 4, 4, 10, 10, 10, 10, 10, 10, 10, 10, 10, 10, 10, 10, 10, 10, 10, 10, 10, 10, 10, 10, 10, 10, 10, 10, 10, 10, 10, 10, 10, 10, 10, 10, 10, 10, 10, 10, 10, 10, 10, 10, 10, 10, 10, 10, 10, 10, 10, 10, 10, 10, 10, 10, 10, 10, 10, 10, 10, 10, 10, 10, 10, 10, 10, 10, 10, 10, 10, 10, 10, 10, 10, 10, 10, 10, 10, 10, 10, 10 and 3. The acidified product is reversal of nature. Ultra-high vacuum preparation (111) surface acidification (111), surface acidification, acid exposure, surface acidification. After heating, the material is placed in ultra-high vacuum, and there is residue in the vacuum. (water molecules, acid molecules), acidizing capacity measurement. The results showed that the absorption capacity of acid 18 was 0.2-0.3ML, the residual acid was acidified, and the total absorption of acid was about 0.4ML. The amount of acid 18 adsorbed, the degree of 0.1ML, the degree of residue, the degree of acidification, the degree of 0.1ML, the degree of retention. The residue of the initial acidizing product, the residue of the initial acidizing product, the reactivity of the initial acidizing product, the specific important situation of the initial acidizing product. As a result of the above results, in September 13, Pingcheng urged the Japanese physical Society to review the 2001 fall Conference of the physical Society of Japan (serial number 20aTF-6). I am preparing to submit contributions to academic journals. In order to improve the performance of the acidified film, the temperature field of the acidified film, the substrate, the substrate, the matrix, the atom in the lattice, the temperature, the temperature, the temperature, The results show that the 15th edition of the International Society of International Studies (July 2001, July 2001, July 2001
项目成果
期刊论文数量(2)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
K.Nakajima, N.Hosaka, T.Hattori, K.Kimura: "Surface segregation of Ge during Si growth on Ge/Si(001) at low temperature observed by high-resolution RBS"Nuclear Instruments and Methods in Physical Research B. (In Press). (2002)
K.Nakajima、N.Hosaka、T.Hattori、K.Kimura:“通过高分辨率 RBS 观察到低温下在 Ge/Si(001) 上 Si 生长过程中 Ge 的表面偏析”物理研究中的核仪器和方法 B。
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
K.Nakajima, N.Hosaka, T.Hattori, K.Kimura: "Surface segregation of Ge during Si growth on Ge/Si(001) at low temperature observed by high-resolution RBS"Nuclear Instruments and Methods in Physical Research B. 190. 587-591 (2002)
K.Nakajima、N.Hosaka、T.Hattori、K.Kimura:“通过高分辨率 RBS 观察到低温下在 Ge/Si(001) 上 Si 生长过程中 Ge 的表面偏析”物理研究中的核仪器和方法 B。
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