カーボンナノチューブを用いた電子デバイスの電極構造の評価と量子デバイスへの応用

使用碳纳米管的电子器件电极结构的评估及其在量子器件中的应用

基本信息

  • 批准号:
    13750272
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 1.54万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
  • 财政年份:
    2001
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2001 至 2002
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

本研究は、カーボンナノチューブの新しい電子デバイス応用を目指して、その電極構造に注目し、構造の作製プロセスや、カーボンナノチューブの電子輸送特性の評価を行ってきた。本研究開始当初、本研究では、カーボンナノチューブと良好な電気的接触を得るための電極材料や、電極構造について検討を行った。本研究では、カーボンナノチューブの新しい電子デバイス応用に適した、カーボンナノチューブの位置および方向を制御して形成する、新しい技術を提案した。カーボンナノチューブを電子デバイスに応用する場合、カーボンナノチューブの位置および方向を制御して形成することは非常に重要である。本研究では、化学気相成長法(CVD法)によるカーボンナノチューブの成長は、触媒金属部分に生じることを利用し、触媒金属に微細加工を行い、カーボンナノチューブの成長位置を制御する技術を提案した。さらに、電子デバイスへの応用では、同一面内にある電極同士を結ぶよう、基板の面内方向へのカーボンナノチューブ成長を促すことが重要である。そこで、本研究では、触媒金属の表面に不活性膜をもつ構造を微細加工技術により形成する手法を提案し、実験を行った。触媒金属構造の依存性や、成長条件について検討を行った結果、2つの電極を結ぶカーボンナノチューブを形成することが可能となった。また、この手法を応用してバックゲートを有するナノチューブトランジスタ構造を作製し、室温から液体ヘリウム温度の範囲で、その電気的特性を評価した。得られた電流-電圧特性は、観測された電流はナノチューブを流れるものであることが示され、また、ゲートバイアス変調特性も得られた。さらに、低温における特性には、単一電子トランジスタとしての動作を示す振る舞いも観測され、カーボンナノチューブが従来にはない新しいナノデバイス実現に有望な材料であることを示した。
In this paper, the author focuses on the evaluation of electron transport characteristics of the electrode structure, the fabrication of the electrode structure, and the application of the electrode structure. At the beginning of this study, the electrode materials and electrode structures were discussed. This study proposes a new technology for controlling the position and direction of electronic devices. It is very important to control the position and direction of theンThis study proposes a technique for controlling the growth position of a catalyst metal in a chemical vapor deposition (CVD) process. In addition, it is important to promote the growth of the substrate in the in-plane direction of the substrate. In this study, the method of forming the inactive film on the surface of catalyst metal was proposed and implemented. The dependence of catalyst metal structure, growth conditions, investigation results, 2 electrode structure, formation of catalyst metal structure, etc. For example, if the temperature of the liquid is different from the temperature of the liquid, the characteristics of the electric current will be evaluated. The current-voltage characteristic is obtained by measuring the current-voltage characteristic. The temperature of the material is low, and the temperature of the material is low.

项目成果

期刊论文数量(2)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
岡田 浩: "カーボンナノチューブの位置制御形成と電子回路への応用"第63回応用物理学関係連合講演会予稿集. 3. 1188 (2002)
Hiroshi Okada:“碳纳米管的位置控制形成及其在电子电路中的应用”第 63 届应用物理学联席会议论文集 3. 1188 (2002)。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
小林 貴行: "カーボンナノチューブの基板面内方向における位置制御形成の検討"電子情報通信学会技術報告. (発表予定). (2003)
Takayuki Kobayashi:“基板面内方向碳纳米管的位置控制形成的研究”IEICE 技术报告(预定报告)。
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