C11_b構造を有する超高温構造材料の設計:-c/a軸比の制御-

C11_b结构超高温结构材料的设计:-c/a轴比的控制-

基本信息

  • 批准号:
    13750655
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 1.34万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
  • 财政年份:
    2001
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2001 至 2002
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

MoSi_2は優れた耐酸化性を有し、超高温構造材料の有力候補の1つである。しかしながら、{013}<331>すべりのCRSSが結晶方位に大きく依存するため、多結晶材が変形能を示さない。MoSi_2基Cll_b合金のc/a軸比の制御の可能性と{013}<331>すべりのc/a軸比による変化を調べたが、MoSi_2基超高温構造材料の設計に新たな提案を見出すことはできなかった。そこで、新たな超高温構造材料の指針として、Mo相とMo_5SiB_2(T_2)相との複相化を検証した。Mo相とT_2相との共晶組織は熱力学的に2100℃まで安定であり、我々はT_2相の高温でのクリープ歪がMoSi_2や先進のセラミックス材より約3桁小さいことを明らかにしている。Mo相とT_2相との共晶組織のみを有する試験片は凝固速度が約5mm/hより遅い時にのみ作製可能であり、共晶組織は短い棒状のMo相が母相T_2相に均一に分散した組織である。得られたT_2/Mo共晶組織の室温靭性値は約11MPa√m、1500℃での降伏応力は約700MPaであり、Nb基の複相材や他のMo-Si-B複相合金と比較して、同等の室温靭性および約2倍の高温強度である。T_2相の耐酸化性はMo相と比較するとはるかに良いがMoSi_2より劣るため、1500でのクリープ試験はAr雰囲気中で行った。更にMo相との複相化は耐酸化性の劣化を招くと予想される。そこで、この共晶合金をSiベースのパック材に埋め込み拡散浸透処理を行い、均一なMoSi_2コーティング層を共晶合金上に形成させることに成功した。そのパック・セメンテーションした共晶合金は1300〜1500℃までの連続酸化試験においてMoSi_2と同等の耐酸化性を示す。1500℃ではMoSi_2コーティング層はBを含むMo_5Si_3コーティング層に相変態する。Bを含むMo_5Si_3はMoSi_2と同等の耐酸化性を示すことが報告されており、事実本研究においてもBを含むMo_5Si_3コーティング層は1500℃において耐酸化コーティング層として機能している。以上、Mo-Si-B系に存在する相を用いて、各相に機械的性質及び耐酸化性改善の役割分担を担わせ、超高温構造材料として必要な特性を有する一つの複相材を作り上げた。
MoSi_2 has an excellent れた acid resistance を and is a strong candidate for <s:1> and ultra-high-temperature structural materials <e:1> 1 である である. し か し な が ら, {013} < 331 > す べ り の CRSS が crystallization orientation に き く dependent す る た め, more crystalline material が - shape can を shown さ な い. MoSi_2 Cll_b metal alloys の c/a axis than の suppression の possibility と {013} < 331 > す べ り の c/a axis than に よ る variations change を adjustable べ た が, MoSi_2 ultra high temperature structural materials の design に た な proposal を shows す こ と は で き な か っ た. そ こ で, new た な ultra high temperature structural materials の pointer と し て, Mo phase と Mo_5SiB_2 (T_2) と の compound phase change を 検 card し た. Mo phase と T_2 phase と の eutectic organization は thermodynamic に 2100 ℃ ま で settle で あ り, I 々 は temperature T_2 phase の で の ク リ ー プ slanting が MoSi_2 や advanced の セ ラ ミ ッ ク ス material よ り about 3 small girder さ い こ と を Ming ら か に し て い る. Mo phase と T_2 phase と の eutectic organization の み を have す る test piece は solidification speed が about 5 mm/h よ り 遅 い when に の み cropping could で あ り, short eutectic organization は い rod-shaped の Mo に に uniformly dispersed phase が mother phase T_2 phase し た organization で あ る. Have ら れ た T_2 / Mo eutectic organization の 靭 sex numerical は about 11 m mpa) at room temperature and 1500 ℃ で の subjugate は 応 force of about 700 mpa で あ り, Nb の heterogeneous material や he の Mo - Si - B complex phase alloy と compare し て, equally の room-temperature 靭 お よ び about 2 times の high temperature strength で あ る. T_2 phase の acidification resistance は と Mo phase comparison す る と は る か に good い が MoSi_2 よ り substandard る た め, 1500 で の ク リ ー プ test は Ar 雰 囲 気 っ で line of た. Further にMo phase と <s:1> multiphase transformation acid resistance degradation を くと think される. そ こ で, こ の eutectic alloy を Si ベ ー ス の パ ッ ク material に buried め 込 み company, loose saturated line を い 処 and uniform な MoSi_2 コ ー テ ィ ン グ layer を に form on eutectic alloy さ せ る こ と に successful し た. そ の パ ッ ク · セ メ ン テ ー シ ョ ン し た eutectic alloy は 1300 ~ 1500 ℃ ま で の even 続 acidification test に お い て MoSi_2 と equally の acidification resistance を す. 1500 ℃ で は MoSi_2 コ ー テ ィ ン グ layer contains は B を む Mo_5Si_3 コ ー テ ィ ン グ layer に phase - state す る. B を containing む Mo_5Si_3 は MoSi_2 と equally の acidification resistance を shown す こ と が report さ れ て お り, what be this study に お い て も を B containing む Mo_5Si_3 コ ー テ ィ ン グ は 1500 ℃ に お い て resistance to acidification コ ー テ ィ ン グ layer と し て function し て い る. Above, Mo - Si - B に exist す る phase を using い て, each phase に mechanical properties and cut び acidification resistance improve の service sharing を bear わ せ, ultra high temperature structural materials と し て な necessary features を have す る a つ の heterogeneous material を made げ り た.

项目成果

期刊论文数量(2)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
M.Kumagai, K.Ito, M.Yamaguchi: "On Mo-9Si-18B Alloys with T_2-Mo_<ss> eutectic microstructure Mechanical Properties and Protective Silicide Coating"Material Research Society Proceedings. 753. BB5.26.1-BB5.26.6 (2003)
M.Kumagai、K.Ito、M.Yamaguchi:“具有T_2-Mo_<ss>共晶微观结构的Mo-9Si-18B合金的机械性能和保护性硅化物涂层”材料研究会论文集。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
Kazuhiro ITO, Masaharu YAMAGUCHI: "Recent Research Developments in Materials Science & Engineering"Research Signpost. (2003)
Kazuhiro ITO、Masaharu YAMAGUCHI:“材料科学的最新研究进展
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

伊藤 和博其他文献

接合界面での反応を利用したp型Ti基酸化物導電膜の作製
利用键合界面反应制备p型钛基氧化物导电薄膜
  • DOI:
  • 发表时间:
    2014
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    伊藤 和博;林 徳樺;小濱 和之;白井 泰治;村上 正紀
  • 通讯作者:
    村上 正紀
p型SiC半導体/TiAl系オーミック・コンタクト材の界面構造
p型SiC半导体/TiAl基欧姆接触材料的界面结构
GaN(0001)基板上でのアモルファスGa2O3膜の熱処理による高配向結晶成長
GaN(0001)衬底上非晶Ga2O3薄膜热处理高取向晶体生长
  • DOI:
  • 发表时间:
    2023
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    澤田 朋実;生田目 俊秀;高橋 誠;伊藤 和博;女屋 崇;色川 芳宏;小出 康夫;塚越 一仁
  • 通讯作者:
    塚越 一仁
多孔質マイクロ球状粒子の自発的生成挙動の高温その場観察
多孔微球颗粒自发形成行为的高温原位观察
  • DOI:
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    鈴木 義和;阿部 浩也;山本 啓;伊藤 和博;井上 裕滋;中村 誠友己
  • 通讯作者:
    中村 誠友己
Cu(Ti)合金膜を用いたIGZO膜への低接触抵抗電極の作製
Cu(Ti)合金膜IGZO薄膜上低接触电阻电极的制作
  • DOI:
  • 发表时间:
    2014
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    伊藤 和博;小濱 和之;佐野 貴之;生田目 俊秀;大井 暁彦
  • 通讯作者:
    大井 暁彦

伊藤 和博的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

{{ truncateString('伊藤 和博', 18)}}的其他基金

Penetration Shape Improvement and Investigation of its Mechanism in Workpiece Vibration Assisted Gas Metal Arc Welding
工件振动辅助熔化极气体保护焊熔深形状改进及其机理研究
  • 批准号:
    21K04677
  • 财政年份:
    2021
  • 资助金额:
    $ 1.34万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
導電性基板上でのGaN半導体成膜のための金属バッファ層の開発
开发用于导电衬底上 GaN 半导体沉积的金属缓冲层
  • 批准号:
    20656112
  • 财政年份:
    2008
  • 资助金额:
    $ 1.34万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
金属バッファ層上でのGaN半導体の結晶成長-遷移金属窒化物に着目して-
金属缓冲层上 GaN 半导体的晶体生长 - 关注过渡金属氮化物 -
  • 批准号:
    17760568
  • 财政年份:
    2005
  • 资助金额:
    $ 1.34万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
遷移金属ボロシリサイドと関連化合物の機能材料としての基礎物性
过渡金属硼硅化物及相关化合物作为功能材料的基本物理性质
  • 批准号:
    15686028
  • 财政年份:
    2004
  • 资助金额:
    $ 1.34万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
MoSi_2単結晶に見られる塑性異方性に関するatomisticな研究
MoSi_2单晶塑性各向异性的原子研究
  • 批准号:
    11750612
  • 财政年份:
    1999
  • 资助金额:
    $ 1.34万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)

相似海外基金

MoSi_2単結晶に見られる塑性異方性に関するatomisticな研究
MoSi_2单晶塑性各向异性的原子研究
  • 批准号:
    11750612
  • 财政年份:
    1999
  • 资助金额:
    $ 1.34万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
パルス電流通電法による耐酸化性MoSi_2基超高温材料のその場合成
脉冲电流原位合成抗氧化MoSi_2基超高温材料
  • 批准号:
    10875138
  • 财政年份:
    1998
  • 资助金额:
    $ 1.34万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Exploratory Research
CLARIFICATION AND SUPPRESSION OF ACCELERATED OXIDATION IN MoSi_2 AS A ULTRA-HIGH TEMPERATURE MATERIAL.
超高温材料 MoSi_2 加速氧化的澄清和抑制。
  • 批准号:
    09450263
  • 财政年份:
    1997
  • 资助金额:
    $ 1.34万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Transformation toughening of MoSi_2 with incorporation of PSZ by means of CVI
通过CVI掺入PSZ对MoSi_2进行相变增韧
  • 批准号:
    08650805
  • 财政年份:
    1996
  • 资助金额:
    $ 1.34万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Anomalous Plasticity in MoSi_2 Single Crystals and its utilization
MoSi_2单晶的反常塑性及其利用
  • 批准号:
    07405031
  • 财政年份:
    1995
  • 资助金额:
    $ 1.34万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
PREPARATION AND HIGH TEMPERATURE OXIDATION BEHAVIOR OF MoSi_2-SiC COMPOSITES.
MoSi_2-SiC复合材料的制备及其高温氧化行为。
  • 批准号:
    06650789
  • 财政年份:
    1994
  • 资助金额:
    $ 1.34万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
Development of MoSi_2 based silicides as refractory materials operating at ultra-high temperatures and severe enviroment.
开发MoSi_2基硅化物作为超高温和恶劣环境下的耐火材料。
  • 批准号:
    02555151
  • 财政年份:
    1990
  • 资助金额:
    $ 1.34万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research (B)
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了