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塩基性浴からのフォトアシストCdTe電析薄膜の太陽電池への応用

基本浴光辅助 CdTe 沉积薄膜在太阳能电池中的应用

基本信息

批准号：
13750758
负责人：
邑瀬邦明
金额：
$ 1.6万
依托单位：
Kyoto University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2001
资助国家：
日本
起止时间：
2001 至 2002
项目状态：
已结题

项目摘要

研究代表者は太陽電池材料として期待されているCdTe半導体の低コスト成膜技術として電析法を研究してきた。ここでは、Te(IV)種の溶解度が低い硫酸酸性浴にかわる電析浴としてアンモニアを含有する塩基性浴を開発し、電析時にカソード表面に可視光を照射することで電析速度が向上する光アシスト電析によってCdTe層を成膜している。昨年度の研究により、as-depositedのCdTe薄膜の問題点として、比抵抗が10^8Ωcmと非常に高いことが明らかとなった。そこで本年度は、(1)熱処理および(2)電気化学ドーピングによって、薄膜の低抵抗化を試みた。その結果、温度300℃、アルゴン雰囲気の熱処理によって比抵抗を2×10^4Ωcmと、熱処理前に比して4桁低下させることに成功した。このとき、キャリアタイプはp型を保っていることをHall測定によって確認した。CdTeの結晶粒は、温度300℃の熱処理によって2倍に、温度400℃の熱処理によって6倍にそれぞれ成長することが、X線回折の半値幅から明らかになった。また、電気化学ドーピングでは、CdTe化合物は析出するが単体Cuが析出しない電位領域に電析電位を制御することで、テルルとの相互作用を利用して微量のCuをCdTe結晶中に取り込ませることが可能であることがわかった。濃度1.0ppmの銅イオンを含む浴から電析電位-0.4Vvs.SHEで得られた電析CdTe薄膜は、銅イオンを添加せずに得られたCdTe薄膜に比べ、比抵抗が約3桁減少し、かつ、Hall効果によってキャリアタイプがp型であると判別された。さらに、電解浴に硫酸ナトリウムを添加し、ナトリウムイオンをドーピングすることも検討し、比抵抗の低下を確認した。

The representative of the research team is looking forward to the development of CdTe half-body low-temperature film-forming technology, electronic analysis, and so on. The solubility of sulfuric acid bath, Te (IV), sulfuric acid bath, sulfuric acid bath, bath temperature, temperature, Last year's research, as-deposited CdTe thin film problems, the specific resistance of 10 ^ 8 Ω cm is very high. For the current year, (1) Electro-chemistry and (2) Electro-chemical chemistry and thin film chemical resistance tests. The results show that the temperature is 300C, the resistance is 2 × 10 ^ 4 Ω cm, the temperature is 300C, and the temperature is 300C. Please tell me that the Hall test is correct and that you confirm it. CdTe grain size, temperature 300C, temperature temperature 300C, temperature 300C. In the field of electrical potential, the field of electronic analysis, the control of environmental pollution, the use of trace amounts of carbon dioxide in the Cu CdTe crystal, and the use of trace amounts of carbon dioxide in the CdTe crystal, it is possible to make use of the trace amount of carbon dioxide in the CdTe crystal. The temperature of the 1.0ppm temperature is higher than that of the 0.4Vvs.SHE. The temperature of the CdTe film is higher than that of the CdTe film, and it is less than the resistance of about 3%. The results show that the temperature of the CdTe film is higher than that of the temperature field. The sulfuric acid bath, the sulfuric acid bath and the electric bath.