课题基金 / 基金详情

レーザーアプレーション法による新規強誘電体薄膜材料の創成

レーザーアプレーション法による新規強誘電体薄膜材料の創成
激光烧蚀法制备新型铁电薄膜材料
批准号：
03F00739
负责人：
川合 知二
金额：
$0.77万
依托单位：
Osaka University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份：
2003
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2003 至 2004
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-03F00739/
关键词：
ペロブスカイト酸化物モット絶縁体電気伝導特性レーザーアブレーション

项目摘要

项目成果

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ペロブスカイト型酸化物は強磁性体、強誘電体、超伝導体と多種多様な物性を示す。これらペロブスカイト材料をデバイス応用できれば、今までにない多機能な素子構築が期待できる。また、モット絶縁体を母体としたペロブスカイト型酸化物は強い電子相関に由来する電荷ギャップをもち、キャリア数により絶縁体から金属への急激な転移を起こす。このような特徴をデバイス応用できれば、今まで以上にデバイス効率を上げられる可能性がある。そこで、本研究において、モット絶縁体であるペロブスカイト型酸化物LaTiO_3を母体として、2価カチオンのSrを添加することにより、伝導性を持たせ、そのドープ量変化による電気伝導性、キャリアタイプ・移動度・濃度など基本物性を調べた。レーザーアブレーション法によりSrTiO_3(001)単結晶基板上に(La,Sr)TiO_3の薄膜を作製した。La_<1-x>Sr_xTiO_3は高移動度半導体として期待されているが、移動度・キャリア濃度の制御は難しい。そのため、薄膜作成時の基板温度・酸素ガス圧などの制御により最適条件を見つける必要があった。そこで、基板温度・酸素ガス圧を様々に変化させて、Srのドープ量x=0.05-0.1までの薄膜を作製した。すべての作製条件・ドープ量の薄膜においてもキャリアタイプはp型であることを確認した。また、薄膜作成時の基板温度を高温にすることによって、キャリア濃度が上昇することがわかった。キャリア移動度はおよそ30(cm^2/Vs)程度であった。このように、最適条件により、電気伝導性・キャリア濃度の制御することに成功した。
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专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
ナノチャネル電極デバイスによる長鎖DNAのエピジェネティック物性の超高速検出
  • 批准号：
    25246014
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
  • 资助金额：
    $29.62万
  • 财政年份：
    2013
  • 负责人：
    川合 知二
  • 依托单位：
    Osaka University
パルスレーザデポジション法による酸化物薄膜成長機構解明と機能性材料創成への展開
  • 批准号：
    06F06706
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 资助金额：
    $1.54万
  • 财政年份：
    2006
  • 负责人：
    川合 知二
  • 依托单位：
    Osaka University
レーザーアブレーション法による新規強誘電体薄膜材料の創成
  • 批准号：
    03F03739
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 资助金额：
    $0.77万
  • 财政年份：
    2003
  • 负责人：
    川合 知二
  • 依托单位：
    Osaka University
酸化物人工格子による新規磁気材料の創成
  • 批准号：
    02F02316
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 资助金额：
    $0.26万
  • 财政年份：
    2002
  • 负责人：
    川合 知二
  • 依托单位：
    Osaka University
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