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強磁場化学気相法を用いたYBCO膜の組織制御による臨界電流密度特性の研究

强磁场化学气相法控制YBCO薄膜结构的临界电流密度特性研究

基本信息

批准号：
15760213
负责人：
淡路智
金额：
$ 2.05万
依托单位：
Tohoku University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2003
资助国家：
日本
起止时间：
2003 至 2005
项目状态：
已结题

项目摘要

本プロジェクトの最終年度にあたる平成17年度は,それまでの成果をふまえて,Coated Conductorの基板として用いられている一つであるISD(Inclined Substrate Deposition)法で作製されたMgO基板を用いて,強磁場中CVDでYBCO膜の作製を行い,その組織,配向性,超伝導特性の評価結果について示した.MgO基板では,成膜中における磁場の印加によって,面内配向性,臨界温度,不可逆磁場,臨界電流密度の向上が見られることが分かった.さらに,詳細な輸送特性を評価した結果,B//c方向に優位に働くc軸相関ピンが存在し,ゼロ磁場中で作製した膜においては,これまでに観測されたことのない,2つのc軸相関ピンが働いているpinned vortex liquid相が存在することが分かった.同じ条件で,磁場中で作製した膜では,そのうち高温にある相が消滅し,低温ではc軸相関ピンの向上が見られた.これは磁場によって,一方のc軸相関ピンが抑制され,もう片方が強調されることを示唆しており,粒界,双晶,さらにはc軸方向に揃った欠陥などが存在していると考えられる.また,ある条件で作製した試料では,これまでに報告されたどのRE123よりも高い不可逆磁場相が存在している兆候を見出した.その値は77.3K,B//cで19Tを超えると予想される.また,ISD-MgO基板では,c軸配向粒と25°傾角粒が混在した組織の膜が得られた.成膜中で磁場を印加するとc軸配向粒の結晶性は向上するが,25°傾角粒は劣化することが分かった.これらの結果から,現在,世界的に開発競争が繰り広げられているCoated conductorの特性が大幅に向上できる可能性を示したとともに,c軸相関ピンのメカニズムについての新たな知見が得られた.

The final year of this year is the year of Heisei, and the results of the Coated Conductor are the ISD.(Inclined Substrate Deposition) method for preparing MgO substrate, CVD in high magnetic field, YBCO film preparation, microstructure, alignment, superconductivity evaluation results.MgO substrate, film formation, magnetic field, in plane alignment, critical temperature, irreversible magnetic field, The critical current density rises. In addition, the detailed transport characteristics were evaluated. As a result, the c-axis correlation existed in the optimal position in the B/c direction, and the thin film in the magnetic field existed in the magnetic field. Under the same conditions, the magnetic field is controlled by the film, the phase is eliminated at high temperature, and the phase is eliminated at low temperature. The magnetic field is opposite, and one side of the c-axis correlation is suppressed. The other side of the film is emphasized. The other side of the film is emphasized. The grain boundary is opposite, and the twin crystal is opposite. The direction of the c-axis is opposite. The conditions for the preparation of the sample are as follows: RE123 and high irreversible magnetic field phase exist.その値は77.3K,B//cで19Tを超えると予想される. ISD-MgO substrate is composed of c-axis aligned particles and 25° inclined particles. The crystallization of c-axis aligned grains in the film formation process is up to 25 ° inclined grains. As a result, the world's open competition is now in full swing, and the characteristics of the Coated conductor are largely upward, with the possibility of c-axis correlation.