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遷移金属層状化合物を用いた結晶性細孔壁を有するメソ多孔体の合成

利用过渡金属层状化合物合成具有结晶孔壁的介孔材料

基本信息

批准号：
15760573
负责人：
加藤純雄
金额：
$ 2.24万
依托单位：
Akita University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2003
资助国家：
日本
起止时间：
2003 至 2005
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-15760573/
关键词：
層状化合物メソ構造体多孔体二元細孔ペロブスカイト合成

项目摘要

ペロブスカイトユニットの積層数が異なる層状ペロブスカイト型化合物HCa_2Nb_3O_<10>,HLaNb_2O_7およびK_2NbO_3FとSDAとしてアルキルトリメチルアンモニウムクロリド(C_nTMACl)を用いてメソ構造体の合成を行った。HCa_2Nb_3O_<10>およびHLaNb_2O_7の場合、ペロブスカイト層の結晶性を保持したラメラ構造体を形成し、メソ構造体中のSDAの配列はいずれの出発物質を用いた場合も同じであることがわかった。一方、構造中にペロブスカイト層を一層含むK_2NbO_3Fの場合では、合成条件を変えることにより、ラメラおよび2d-六方構造のメソ構造体が得られたが、いずれも無機層の構造は非晶質であった。これはメソ構造体の形成時にペロブスカイト層のフラグメント化が起こり、結晶性が失われたためと考えられる。また、K_2NbO_3FとC_<16>TMAClを用いて合成したメソ構造体にはKがほとんど含まれていないことから、複合体を形成する際にはK_2NbO_3F中のK^+とCnTMA^+のイオン交換が起こっていると考えられる。次にNb源としてK_2NbO_3F、Si源としてテトラエトキシシラン、SDAとしてC_nTMAClを用いてメソ多孔体の合成を行った。その結果、出発原料のSi/Nb比(mol)が7.3〜15の組成範囲において、SDAを鋳型とした2〜3nmの細孔およびナノサイズの粒子間隙による20〜100nmの細孔からなる二元細孔を有するメソ多孔体が得られることを見出した。また、界面活性剤濃度が32mmol/dm^3以上のときに二元細孔を形成することから、界面活性剤にはSDAとしてメソ細孔を形成する役割以外に、ナノ粒子を安定化させる働きがあることが示唆された。

The number of compounds (HCa_2Nb_3O_<10>,HLaNb_2O_7), K _ 2NbO _ 3FDAS, K _ 2NbO _ 3FDAS, K _ 2NbO _ 3FDAY, K _ 2NbO _ 3FDAA, K _ 2NbO _ 3FDAC, The combination of HCa_2Nb_3O_<10>, HLANb _ 2O_7, and the structural properties of HLANb _ HLANb, HLAN On the one hand, the manufacturing system contains a combination of K_2NbO_3F devices, synthetic conditions, and the structure of a hexagonal structure. It is possible to create a non-crystalline structure. When the structure of the system is formed, the formation of the structure is caused by the formation of the structure, the formation of the structure. In this case, KnbO3FundC _ & lt;16>TMACl was used to synthesize the data, and the complex was made in the K^ + CnTMA^ + compound in K _ 2NbO_3F. The secondary Nb source, K _ 2NbO_3F, Si source, C _ nTMACl, and SDA source synthesize rows with porous bodies. The results show that the Si/Nb ratio (mol) of raw materials is 7.315, which is composed of the following parameters: SDA, 2~3nm, pore, particle gap, 20~100nm hole, binary hole, porous body, porous body, porous body. Interfacial activity, 32mmol/ dm ^ 3 or above, binary holes, SDA holes, holes, particles, stabilizers, stabilizers, particles, etc.