半導体における電子スピン・核スピンの光学的・電気的制御に関する研究

半导体电子自旋和核自旋的光电控制研究

基本信息

  • 批准号:
    04J03217
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 0.64万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 财政年份:
    2004
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2004 至 2005
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

本研究では、これまで利用されてこなかった半導体中の電子スピンおよび核スピンの光学的・電気的性質を明らかにすることにより,スピンを用いた量子機能デバイスの創生へ向けた新しい半導物性を探求することを目的としている。本年度得られた主たる成果は以下の通りである。n型GaAs/AlGaAs(110)単一量子井戸を分子線エピタキシ法により成長し,その表面に金の半透明ショットキーゲート電極を形成したデバイスを作製し,ゲート電圧により2次元電子のキャリア密度を7x10^<11>cm^<-2>以下で連続的に変化できることを確認した。このn型GaAs/AlGaAs(110)単一量子井戸を用い,低温・磁場中において時間分解ファラデー回転測定を行い電子スピンおよび電子スピン・核スピン間の相互作用の振る舞いを詳細に調べた。その結果ゲート電圧を印加して2次元電子の電子密度を制御することにより、超微細相互作用と動的核スピン分極が大きく変調できることを示した。また同じ構造において,核スピンの縦緩和時間を計測できる光学的手法を開発し,ゲート電圧によって縦緩和時間が約20秒から約200秒の範囲で制御されることを明らかにした。さらにフォトルミネッセンスや電気輸送特性を調べることにより,量子井戸内の2次元電子密度の変化によって金属-絶縁体遷移が生じ、電子の波動関数の局在・非局在の変化により超微細相互作用の大きさが変調されているモデルを示した。
The purpose of this study is to use the properties of the electrical equipment in the semiconductor body to explore the physical properties of the optical electronics. the purpose of this study is to use the quantum machine to explore the physical properties of the new equipment. This year, we will receive the following general information about the main results. N-type GaAs/AlGaAs, one quantum well, molecular line scanning, scanning electron microscopy, electron microscopy, electron microscope, electron microscope, electron microscope, Type n GaAs/AlGaAs is used in a quantum well, and the temperature in the low temperature magnetic field is decomposed in time. The response time is decomposed, and the response is measured. The results show that the two-dimensional electron density system of the Inca computer plays an important role in the control of the interaction between ultra-micro and ultra-micro electrons. In the same way, we can use the optical method of computer simulation and time monitoring, and we will use the time of about 20 seconds and 200 seconds to control the performance of the optical system. In the quantum well, there are two-dimensional electron density measurement, metal-to-metal mass transfer, and the number of electron wave motions in the quantum well. the number of electron waves in the local environment is in the field of ultra-micro interaction.

项目成果

期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

眞田 治樹其他文献

チンパンジーの核家族の子育て:最初の2年間の記録(ちびっこチンパンジーと仲間たち(第177回))
核心家庭中的黑猩猩儿童抚养:前两年的记录(黑猩猩和朋友(第177期))
  • DOI:
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    眞田 治樹;国橋 要司;田中 祐輔;後藤 秀樹;小野満 恒二;好田 誠;新田 淳作;寒川 哲臣;川上文人・平栗明実・市野悦子・林美里・友永雅己
  • 通讯作者:
    川上文人・平栗明実・市野悦子・林美里・友永雅己
反強磁性Mn3Irにおけるスピンホール効果
反铁磁 Mn3Ir 中的自旋霍尔效应
  • DOI:
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    眞田 治樹;国橋 要司;田中 祐輔;後藤 秀樹;小野満 恒二;好田 誠;新田 淳作;寒川 哲臣;川上文人・平栗明実・市野悦子・林美里・友永雅己;小林裕太
  • 通讯作者:
    小林裕太
PLD法による単相Bi2Te3薄膜の作製に向けた成長条件の検討
PLD法制备单相Bi2Te3薄膜的生长条件研究
  • DOI:
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    田中 祐輔;国橋 要司;眞田 治樹;尾身 博雄;俵 毅彦;小栗 克弥;後藤 秀樹
  • 通讯作者:
    後藤 秀樹
なぜリズムが「合う」のか?─人とチンパンジーの比較から(ちびっこチンパンジーと仲間たち(第179回))
为什么节奏会“匹配”?
  • DOI:
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    田中 祐輔;国橋 要司;眞田 治樹;後藤 秀樹;小野満 恒二;中川原 圭太;好田 誠;新田 淳作;寒川 哲臣;ユ リラ・友永雅己
  • 通讯作者:
    ユ リラ・友永雅己
Origin of long-lived spin dynamics in undoped GaAs quantum wells
未掺杂 GaAs 量子阱中长寿命自旋动力学的起源
  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    眞田 治樹;国橋 要司;田中 祐輔;後藤 秀樹;小野満 恒二;好田 誠;新田 淳作;寒川 哲臣
  • 通讯作者:
    寒川 哲臣

眞田 治樹的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

相似海外基金

All-optical generation and coherent control of ultrafast shift and injection currents in GaAs quantum well structures
GaAs量子阱结构中超快位移和注入电流的全光产生和相干控制
  • 批准号:
    71472506
  • 财政年份:
    2008
  • 资助金额:
    $ 0.64万
  • 项目类别:
    Research Grants
化学ビーム成長GaInNAs/GaAs量子井戸の高品質化と面発光レーザへの応用
高质量化学束生长GaInNAs/GaAs量子阱及其在表面发射激光器中的应用
  • 批准号:
    00J10143
  • 财政年份:
    2000
  • 资助金额:
    $ 0.64万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了