走査プローブによる単一量子ドットX線吸収測定
使用扫描探针进行单量子点 X 射线吸收测量
基本信息
- 批准号:15681004
- 负责人:
- 金额:$ 14.31万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
- 财政年份:2003
- 资助国家:日本
- 起止时间:2003 至 2005
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
本年度行ったことは、(1)開発した測定装置を用いたSi極薄酸化膜のX線吸収測定、および(2)単一カーボンナノチューブの量子閉じ込め状態の観測、である。以下にそれぞれの研究成果の概要を述べる。(1)については、前年度試料として選んだSi極薄酸化膜の測定をさらに進め、本課題のアイディアによるX線顕微分光に成功した。特に、自然酸化膜、熱酸化膜といった薄膜の形成法の違いによって酸化状態が異なることが分光スペクトルから明らかになった。これは表面Siと結合している酸素の数の違いであることが判明した。更に化学状態のマッピングを行ったところ、酸化状態は試料面内で分布を持つことを見出した。特筆すべきは、わずか4nmの構造内の酸化状態分布を区別できた点である。すなわち空間分解能はX線を使った手法としては世界最高水準の1nm以下を達成できた。Si極薄膜は極微細デバイスの性能を決定する材料であり、本手法が産業利用においても極めて有用であることを実証できた。(2)については、更に重要度の高い材料であるカーボンナノチューブに本課題の手法を適用し、単一のナノチューブへの電子の閉じ込めの観測に成功した。注目すべきことは一本のカーボンナノチューブであっても、圧縮、伸縮などの歪がある部分には電子が閉じ込められることを本手法で発見した。この局所歪領域での閉じ込めは、量子ドットとしても使うことが出来、まさに本課題の題目である「走査プローブによる単一量子ドットX線吸収測定」に成功したと言える。また見方を変えると、このような局所歪による電子の閉じ込めは、実際にデバイスを作製する際に不可避的に発生する加工歪による伝導特性の変化を示している。この発見はカーボンナノチューブの産業利用における問題点を提示するものであり、本課題の成果の上に立って新たな研究課題を示すことが出来た。
This year, the following are carried out: (1) X-ray absorption measurement of Si ultra-thin acidified film using development measurement device;(2) quantum close state measurement of silicon ultra-thin acidified film. The following is a summary of the research results. (1)The measurement of Si thin acidified film was carried out successfully by X-ray differential spectroscopy. Special, natural acidified film, thermal acidified film and thin film formation method The number of elements on the surface of the silicon is determined. In addition, the chemical state and the acidification state are distributed in the sample surface. The distribution of acidizing state in the structure is different from that in the structure. The highest level in the world, below 1nm, can be achieved by X-ray technology. Si electrode thin film is used to determine the properties of fine particles. (2)The method of this subject is applicable to the test of electronic materials with high importance. This is the first time I've ever seen a person who's been in a relationship with someone who's been in a relationship with someone else. The topic of this paper is "X-ray absorption measurement". The change of conduction characteristics of electrons in the process of processing is shown in the following ways: This paper presents a new research topic on the achievement of this project.
项目成果
期刊论文数量(14)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
X-ray absorption microspectroscopy using Kelvin force microscopy with x-ray source
使用带有 X 射线源的开尔文力显微镜进行 X 射线吸收显微光谱分析
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:M.Ishii;N.Rigopoulos;N.Poolton;B.Hamilton
- 通讯作者:B.Hamilton
Photon introduction to electrostatic force microscope for nano-spectroscopy
纳米光谱静电力显微镜的光子介绍
- DOI:
- 发表时间:2006
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:M.Ishii;N.Rigopoulos;N.R.J.Poolton;B.Hamilton
- 通讯作者:B.Hamilton
Electron trapping at the Si (111) atomic step edge
- DOI:10.1063/1.1787162
- 发表时间:2004-08-30
- 期刊:
- 影响因子:4
- 作者:Ishii, M;Hamilton, B
- 通讯作者:Hamilton, B
Masashi Ishii, Takayuki Uchihashi: "X-ray absorption measurement by scanning capacitance microscopy"Physica B. 340-342. 1142-1146 (2003)
Masashi Ishii、Takayuki Uchihashi:“通过扫描电容显微镜进行 X 射线吸收测量”Physica B. 340-342。
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
X-ray absorption microspectroscopy with electrostatic force microscopy and its application to chemical states analyses of Si oxide nano structures
X射线吸收显微光谱结合静电力显微镜及其在氧化硅纳米结构化学态分析中的应用
- DOI:
- 发表时间:2006
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:M.ishii;N.Rigopoulos;N.R.J.Poolton;B.Hamilton
- 通讯作者:B.Hamilton
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
石井 真史其他文献
2007年X線分析関連文献総合報告
2007年X射线分析相关文献综合报告
- DOI:
- 发表时间:
2008 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
石井 真史;栗崎 敏;高山 透;辻 幸一;沼子 千弥;林 久史;前尾 修司;松尾 修司;村松康司;森 良弘;横溝 臣智;渡部孝 - 通讯作者:
渡部孝
金属/Y_2O_3界面における低温化学反応:誘電緩和による評価
金属/Y_2O_3界面的低温化学反应:通过介电弛豫评估
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- 发表时间:
2008 - 期刊:
- 影响因子:0
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金属/Y_2O_3界面化学反応過程の構造および化学分析
金属/Y_2O_3界面化学反应过程的结构和化学分析
- DOI:
- 发表时间:
2007 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
石井 真史;中尾 愛子;桜井 健次 - 通讯作者:
桜井 健次
埋もれた界面の化学反応を利用した電子デバイスへのX線反射率測定の応用
利用掩埋界面化学反应进行 X 射线反射率测量在电子设备中的应用
- DOI:
- 发表时间:
2007 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
石井 真史;中尾 愛子;桜井 健次;石井真史 - 通讯作者:
石井真史
有機金属分解法によって作製したY_2O_3薄膜のX線反射率測定
有机金属分解法制备Y_2O_3薄膜的X射线反射率测量
- DOI:
- 发表时间:
2007 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
石井 真史;桜井 健次 - 通讯作者:
桜井 健次
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{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
{{ truncateString('石井 真史', 18)}}的其他基金
金属原子層成長法による高性能X線ミラーの作製
采用金属原子层生长方法制造高性能X射线镜
- 批准号:
08650028 - 财政年份:1996
- 资助金额:
$ 14.31万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
相似海外基金
高周波ジュール放電によるヘリアック・プラズマ生成と電子閉じ込め時間計測の研究
高频焦耳放电螺旋等离子体产生及电子约束时间测量研究
- 批准号:
05680426 - 财政年份:1993
- 资助金额:
$ 14.31万 - 项目类别:
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