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貼り合わせによる有機トランジスタの作成と高集積回路への応用

貼り合わせによる有機トランジスタの作成と高集積回路への応用
通过键合创建有机晶体管并应用于高度集成电路
批准号：
15686016
负责人：
染谷 隆夫
金额：
$6.32万
依托单位：
The University of Tokyo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
财政年份：
2003
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2003 至 2004
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-15686016/
关键词：
有機トランジスタナノテクノロジー有機半導体大面積トランジスタ有機デバイス高分子ゲート絶縁膜集積回路

项目摘要

项目成果

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中文摘要
翻译
有機トランジスタなど有機デバイスを高性能化するためには,ナノテクノロジーを駆使して,微細化することが不可欠であることは言うまでもない。無機半導体の場合には,電子線リソグラフィーを用いたナノ微細化の手法が確立しつつあるが,有機半導体デバイスの場合には,類似のリソグラフィー手法による微細化プロセスとの整合性が良くない。このため,有機デバイスに適した材料を探索し,さらに低コストの微細化プロセスを確立する必要がある。有機デバイスの特徴は,可とう性,大面積性,低コスト性であるから,ナノ微細化に当たってはこれらの特徴を犠牲にすることなく実現することが求められる。有機トランジスタのゲート絶縁膜としては,絶縁特性と表面平坦性に優れる無機絶縁材料がよく用いられてきたが,やはり可と性,大面積性,低コスト性に優れる高分子材料を用いることが望ましい。今年度は,まずこのゲート絶縁膜材料の探索とそのナノ薄膜化による特性の向上を試みた。我々は,低温で硬化可能なポリイミドを有機トランジスタのゲート絶縁膜へ応用したので報告する。ポリイミドを用いてキャパシタ構造を作製し,絶縁特性を評価した。次にポリイミドをゲート絶縁膜として用いてトップコンタクト型の有機トランジスタを作製しトランジスタ特性を評価した。この結果,絶縁特性として,リーク電流1nA/cm2以下,99%以上の歩留まり,耐圧は約100Vという良好な結果を得た。トランジスタ特性に関しては,絶縁膜の厚さが990nmのものでは移動度0.5cm2/Vs, on/off比102,厚さが540nmのものでは,移動度1.4cm2/Vs, on/off比103という結果が得られた。
英文摘要
有機トランジスタなど有機デバイスを高性能化するためには,ナノテクノロジーを駆使して,微細化することが不可欠であることは言うまでもない。無機半導体の場合には,電子線リソグラフィーを用いたナノ微細化の手法が確立しつつあるが,有機半導体デバイスの場合には,類似のリソグラフィー手法による微細化プロセスとの整合性が良くない。このため,有機デバイスに適した材料を探索し,さらに低コストの微細化プロセスを確立する必要がある。有機デバイスの特徴は,可とう性,大面積性,低コスト性であるから,ナノ微細化に当たってはこれらの特徴を犠牲にすることなく実現することが求められる。有機トランジスタのゲート絶縁膜としては,絶縁特性と表面平坦性に優れる無機絶縁材料がよく用いられてきたが,やはり可と性,大面積性,低コスト性に優れる高分子材料を用いることが望ましい。今年度は,まずこのゲート絶縁膜材料の探索とそのナノ薄膜化による特性の向上を試みた。我々は,低温で硬化可能なポリイミドを有機トランジスタのゲート絶縁膜へ応用したので報告する。ポリイミドを用いてキャパシタ構造を作製し,絶縁特性を評価した。次にポリイミドをゲート絶縁膜として用いてトップコンタクト型の有機トランジスタを作製しトランジスタ特性を評価した。この結果,絶縁特性として,リーク電流1nA/cm2以下,99%以上の歩留まり,耐圧は約100Vという良好な結果を得た。トランジスタ特性に関しては,絶縁膜の厚さが990nmのものでは移動度0.5cm2/Vs, on/off比102,厚さが540nmのものでは,移動度1.4cm2/Vs, on/off比103という結果が得られた。
期刊论文(13)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
T.Someya, P.Kim, C.Nuckolls: "Conductance measurement of single-walled carbon nanotubes in aqueous environment"Applied Physics Letters. 82(14). 2338-2340 (2003)
T.Someya、P.Kim、C.Nuckolls：“水环境中单壁碳纳米管的电导测量”应用物理快报。
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
Flexible, Large-Area Sensor Matrix with Organic Transistor-Based Circuits (invited)
具有有机晶体管电路的柔性大面积传感器矩阵（特邀）
DOI： --
发表时间： 2005
期刊： rd International Symposium on Organic Molecular Electronics (ISOME2004) (印刷中)
影响因子： --
作者： [T.Someya, T.Sakurai]
通讯作者： T.Sakurai
Bending experiment on pentacene field-effect transistors on plastic films
DOI： 10.1063/1.1868868
发表时间： 2005-02-14
期刊： APPLIED PHYSICS LETTERS
影响因子： 4
作者： [Sekitani, T, Kato, Y, Takagi, S]
通讯作者： Takagi, S
A Sheet-Type Scanner Based on a 3D-Stacked Organic-Transistor Circuit Using Double Word-Line and Bit-Line Structure
基于采用双字线和位线结构的 3D 堆叠有机晶体管电路的片式扫描仪
DOI： --
发表时间： 2005
期刊： 005 IEEE International Solid-State Circuits Conference (ISSCC 2005) #32.3(印刷中)
影响因子： --
作者： [H.Kawaguchi, S.Iba, Y.Kato, T.Sekitani, T.Someya, T.Sakurai]
通讯作者： T.Sakurai
共 12 条
    ワイヤレス皮膚デバイスが可能にする嗅覚バーチャル・リアリティ
    • 批准号：
      24KF0025
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for JSPS Fellows
    • 资助金额：
      $1.54万
    • 财政年份：
      2024
    • 负责人：
      染谷 隆夫
    • 依托单位：
      The University of Tokyo
    デジタル医療とAR/VRに向けたB5G搭載のファッショナブルなスマートアパレル
    • 批准号：
      22KF0126
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for JSPS Fellows
    • 资助金额：
      $1.41万
    • 财政年份：
      2023
    • 负责人：
      染谷 隆夫
    • 依托单位：
      The University of Tokyo
    有機無機ハイブリッド型フレキシブルイメージャの高性能化
    • 批准号：
      22H00207
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
    • 资助金额：
      $27.46万
    • 财政年份：
      2022
    • 负责人：
      染谷 隆夫
    • 依托单位：
      The University of Tokyo
    Flexible imaging systems integrated with power sources for high-precision measurement of biological signals
    • 批准号：
      22H04949
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
    • 资助金额：
      $123.39万
    • 财政年份：
      2022
    • 负责人：
      染谷 隆夫
    • 依托单位：
      The University of Tokyo
    海外基金