Strukturell modulierte epitaktische Heterostrukturen von Chalkopyrithalbleitern

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Das Ziel des Projekts besteht darin, mit Hilfe der Molekularstrahlepitaxie einkristalline, dünne Schichten des Halbleiters CuInS2 zu präparieren und dabei gezielt stabile und metastabile Ordungen auf dem Kationen-Untergitter einzustellen und die hergestellten Filme hinsichtlich ihrer strukturellen, elektrischen und optischen Eigenschaften zu charakterisieren. So sollen in einem besonders aussichtsreichen Fall Ordnungsphänomene in Chalkopyrithalbleitern mit den Bedingungen für ihre Herausbildung experimentell klar identifiziert und mit theoretischen Modellvorstellungen verglichen werden. Anhand von polytypischen und polymorphen CuInS2 Heterostrukturen sollen neuartige Anwendungsmöglichkeiten dieser Substanzklasse auf den Technologiefeldern Photovoltaik und Optoelektronik ausgelotet und erschlossen werden.