Ladungsfluktuation eines Quantum Dots gekoppelt über einen Ein-Elektronen-Transistor an einem äußeren Kontakt

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Die Ladungsfluktationen eines mesoskopisch kleinen metallischen Korns (Quantum Dot), das über einen Ein-Elektronen-Transistor (SET) an ein freies Elektronengas gekoppelt ist, sollen untersucht werden. Das Korn besitzt eine endliche Ladungskapazität, so daß bei tiefen Temperaturen ohne Kopplung am SET eine Ladungsänderung beim Anlegen einer Spannung energetisch nur zwischen zwei diskreten Gesamtladungen möglich ist. Der SET dient dazu, die Ladungsstufe zu spektroskopieren. Durch Ankopplung an die Umgebung wird diese scharfe Ladungsstufe ausgeschmiert. Unser Ziel ist es, die Abhängigkeit der Energieskala, die die Ausschmierung bestimmt, von den Kopplungsparametern am SET zu untersuchen. Die effektive Kapazität des Korns und die Lage der Ladungsstufe soll als Funktion der Gate-Spannung des SETs und eines äußeren angelegten Magnetfeldes theoretisch betrachtet werden.