Ladungsfluktuation eines Quantum Dots gekoppelt über einen Ein-Elektronen-Transistor an einem äußeren Kontakt

通过单电子晶体管耦合到外部触点的量子点的电荷波动

• 批准号: 5343103
• 负责人: Professor Dr. Frithjof B. Anders
• 金额: --
• 依托单位: Lehrstuhl für Theoretische Physik II (aufgelöst)
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 2001
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2000-12-31 至 2001-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5343103?language=en
• 关键词: Ladungsfluktuation; eines; Quantum; Dots; gekoppelt

Die Ladungsfluktationen eines mesoskopisch kleinen metallischen Korns (Quantum Dot), das über einen Ein-Elektronen-Transistor (SET) an ein freies Elektronengas gekoppelt ist, sollen untersucht werden. Das Korn besitzt eine endliche Ladungskapazität, so daß bei tiefen Temperaturen ohne Kopplung am SET eine Ladungsänderung beim Anlegen einer Spannung energetisch nur zwischen zwei diskreten Gesamtladungen möglich ist. Der SET dient dazu, die Ladungsstufe zu spektroskopieren. Durch Ankopplung an die Umgebung wird diese scharfe Ladungsstufe ausgeschmiert. Unser Ziel ist es, die Abhängigkeit der Energieskala, die die Ausschmierung bestimmt, von den Kopplungsparametern am SET zu untersuchen. Die effektive Kapazität des Korns und die Lage der Ladungsstufe soll als Funktion der Gate-Spannung des SETs und eines äußeren angelegten Magnetfeldes theoretisch betrachtet werden.

Die Ladungsfluktationen eines mesoskopisch kleinen metallischen Korns（量子点），das ber einen en- elektronen - transistor (SET) and ein freies Elektronengas gekoppelt ist, sollen untersucht werden。as Korn besitzt eine endliche Ladungskapazität, so daß bei titien Temperaturen ohne Kopplung am SET eine Ladungsänderung beim Anlegen einer Spannung energetisch nur zwischen zwei diskreten Gesamtladungen möglich ist。Der SET dient dazu, die ladungsstuse zu spetroskieren。德国安科普隆和德国安科普隆的禽流感研究。Ziel ist, die Abhängigkeit der Energieskala, die die Ausschmierung bestestimmt, von den kopplungparameters am SET zu untersuchen。Die effective Kapazität des Korns and Die Lage der ladungsfe soll als function of Gate-Spannung des SETs and eines äußeren angelegten Magnetfeldes theory betrachet werden。