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Ladungsfluktuation eines Quantum Dots gekoppelt über einen Ein-Elektronen-Transistor an einem äußeren Kontakt

Ladungsfluktuation eines Quantum Dots gekoppelt über einen Ein-Elektronen-Transistor an einem äußeren Kontakt
通过单电子晶体管耦合到外部触点的量子点的电荷波动
批准号:
5343103
负责人:
Professor Dr. Frithjof B. Anders
金额:
$0.0万
依托单位国家:
德国
项目类别:
Research Grants
财政年份:
2001
资助国家:
德国
项目状态:
已结题
起止时间:
2000-12-31 至 2001-12-31

项目摘要

项目成果

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中文摘要
翻译
量子点是一种介观的小金属量子点,而电子晶体管(SET)是一种自由的电子器件,因此韦尔登是必须的。Das Korn besitzt eine endliche Ladungskapazität,so daytime bei tiefen Temperaturen ohne Kopplung am SET eine Ladungsänderung beim Anlegen einer Spannung energetisch努尔zwischen zwei diskreten Gesamtladungen möglich ist.这一套有很多种,它们是特殊的。在战争结束后,这些武器将被销毁。Unser Ziel is,die Abhängigkeit der Energieskala,die Ausschmierung bestimmt,von den Kopplungsparametern am SET zu untersuchen.有效的Korns Kapazität和Ladungsstufe拉格仅用于SET和一个有角度的磁铁的门跨接功能,理论上可用于韦尔登。
英文摘要
Die Ladungsfluktationen eines mesoskopisch kleinen metallischen Korns (Quantum Dot), das über einen Ein-Elektronen-Transistor (SET) an ein freies Elektronengas gekoppelt ist, sollen untersucht werden. Das Korn besitzt eine endliche Ladungskapazität, so daß bei tiefen Temperaturen ohne Kopplung am SET eine Ladungsänderung beim Anlegen einer Spannung energetisch nur zwischen zwei diskreten Gesamtladungen möglich ist. Der SET dient dazu, die Ladungsstufe zu spektroskopieren. Durch Ankopplung an die Umgebung wird diese scharfe Ladungsstufe ausgeschmiert. Unser Ziel ist es, die Abhängigkeit der Energieskala, die die Ausschmierung bestimmt, von den Kopplungsparametern am SET zu untersuchen. Die effektive Kapazität des Korns und die Lage der Ladungsstufe soll als Funktion der Gate-Spannung des SETs und eines äußeren angelegten Magnetfeldes theoretisch betrachtet werden.
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