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Herstellung niedrigdimensionaler Metall-Nanostrukturen auf epitaktischen Isolatorschichten mit Hilfe von Farbzentrenmasken

使用色心掩模在外延绝缘体层上制造低维金属纳米结构

基本信息

批准号：
5346013
负责人：
Privatdozent Dr. Volkmar Zielasek
金额：
--
依托单位：
Institut für Angewandte und Physikalische Chemie
依托单位国家：
德国
项目类别：
Research Grants
财政年份：
2001
资助国家：
德国
起止时间：
2000-12-31 至 2003-12-31
项目状态：
已结题

来源：
https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5346013?language=en
关键词：
Herstellung niedrigdimensionaler Metall Nanostrukturen auf

项目摘要

Die selektive Nukleation von Metallinseln an Oberflächenfarbzentren dünner epitaktischer Isolatorschichten soll zur Herstellung wohldefinierter hochgeordneter Metallnanostrukturen genutzt werden. Dazu sollen Bereiche hoher Oberflächenfarbzentrendichte über elektronenstimulierte Desorption direkt mittels Elektronenstrahllithographie im Energiebereich von 0.5 bis 25 keV erzeugt werden. Als Testsysteme dienen wenige Atomlagen von NaCl auf Ge(OO1) und von MgO auf Ag(100), da hier für Beschuß mit niedrigenergetischen Elektronen nachgewiesen ist, daß sich Oberflächenfarbzentren bilden. Zu deren Nachweis, zum Studium ihrer Stabilität und Mobilität sowie zur Charakterisierung aller entstehenden Defekte werden Rastertunnelmikroskopie und -spektroskopie sowie Photoelektronen- und Elektronenenergieverlustspektroskopie eingesetzt. Es sollen Parameter bestimmt und optimiert werden, die den Einfluß von Sekundäreffekten auf die Auflösung dieser neuen lackfreien Lithographiemethode begrenzen. Ziel ist die Herstellung von Farbzentrenmasken, auf denen nach Metallangebot Anordnungen möglichst uniformer Metalldrähte oder -cluster mit Abmessungen unter 20 nm entstehen.

金属的选择性成核和外延隔离器的上层结构中心将在其上定义高几何结构的金属纳米结构。 Dazu sollen Bereiche hoher Oberflächenfarbzentrendichte über elektronenstimulierte Desorbt mittels Elektronenstrahllithographie im Energiebereich von 0.5 bis 25 keV erzeugt werden。 Als Testsysteme dienen wenige Atomlagen von NaCl auf Ge(OO1) und von MgO auf Ag(100), da hier für Beschuß mit niedrigenergetischen Elektronen nachgewiesen ist, daß sich Oberflächenfarbzentren bilden.未来，研究机构将致力于研究光栅隧道和光学领域的光电和电子技术。所要求的参数是最好的和最优化的，因为它是在缺乏光刻方法的情况下进行的。 Ziel ist die Herstellung von Farbzentrenmasken, auf denen nach Metallangebot Anordnungen möglichst Uniformer Metalldrähte oder-cluster mit Abmessungen under 20 nm entstehen.