Influence of morphology on electronic transport and excitations of ultra thin metal layers

形态对超薄金属层电子传输和激发的影响

• 批准号: 5314480
• 负责人: Privatdozent Dr. Volkmar Zielasek
• 金额: --
• 依托单位: Institut für Angewandte und Physikalische Chemie
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 2001
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2000-12-31 至 2007-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5314480?language=en
• 关键词: Influence; morphology; electronic; transport; excitations

Der Zusammenhang zwischen Morphologie, elektronischem Transport und elektronischer Struktur zweidimensionaler epitaktischer Metallstrukturen soll mit einer Kombination aus elektrischen Leitfähigkeitsmessungen und hochpräziser energie- und impulsaufgelöster Elektronenbeugung studiert werden. Das ELS-LEED kann quantitative strukturelle Information wie Korngrößen und Stufen- und Punktdefektdichten liefern sowie elektronische Grenzflächenzustände nachweisen und Plasmomendispersion vermessen. Als Modellsystem sollen zunächst epitaktische Alkalimetallschichten auf Silizium-Unterlagen dienen und der Isolator-Metall-Übergang bei zunehmender Schichtdicke gleichzeitig über Leitfähigkeit und elektronische Anregungen verfolgt werden. Für Gitter atomarer Alkalimetallketten auf Si(100)-Unterlagen wird die Anisotropie von Oberflächenleitfähigkeit und -plasmonendispersion quantitativ bestimmbar. Ziel ist ferner, geschlossene Silber- und Molybdänschichten auf Saphir-Unterlagen herzustellen, den Einfluß der Körnigkeit solcher Metallschichten auf das Plasmonenspektrum zu ergründen sowie den erwarteten signifikanten Einfluß der Ober- und Grenzflächenmorphologie auf elektrischen Transport und elektronische Anregungen zu quantifizieren.

Der Zusammenhang zwischen Morphologie，elektronischem Transport and elektronischer Struktur zweidimensionaler epitaktischer Metallstrukturen soll mit einer Combination aus elektrischen Leitfähigkeitsmessungen und hochpräziser energie- und impulsaufgelöster Elektronenbeugung studiert韦尔登. ELS-LEED可以提供定量结构信息，如Korngrößen und Stufen- und Punktdefektellen sowie elektronische Grenzflächenzustände nachweisen und Plasmomendispermessen。Als Modelsystem sollen zunächst epitaktische Alkalimetallschichten auf Silizium-Unterlagen dienen und der Isolator-Metall-Übergang bei zunehmender Schichtdicke gleichzeitig über Leitfähigkeit und elektronische Anregungen verfolgt韦尔登.对Si（100）上的碱金属原子团进行了研究，得到了上表面张力的各向异性和等离子体的色散。Ziel ist ferner，geschlosophy Silber- und Molybdenschichten auf Saphir-Unterlagen herzustellen，den Einfluenza der Körnigkeit solcher Metallschichten auf das Plasmonenspektrum zu ergründen sowie den erwarteten signifikanten Einfluenza der Ober- und Grenzflächenmorphologie auf elektrischen Transport und elektronische Anregungen zu quantifizieren.