Influence of morphology on electronic transport and excitations of ultra thin metal layers

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Der Zusammenhang zwischen Morphologie, elektronischem Transport und elektronischer Struktur zweidimensionaler epitaktischer Metallstrukturen soll mit einer Kombination aus elektrischen Leitfähigkeitsmessungen und hochpräziser energie- und impulsaufgelöster Elektronenbeugung studiert werden. Das ELS-LEED kann quantitative strukturelle Information wie Korngrößen und Stufen- und Punktdefektdichten liefern sowie elektronische Grenzflächenzustände nachweisen und Plasmomendispersion vermessen. Als Modellsystem sollen zunächst epitaktische Alkalimetallschichten auf Silizium-Unterlagen dienen und der Isolator-Metall-Übergang bei zunehmender Schichtdicke gleichzeitig über Leitfähigkeit und elektronische Anregungen verfolgt werden. Für Gitter atomarer Alkalimetallketten auf Si(100)-Unterlagen wird die Anisotropie von Oberflächenleitfähigkeit und -plasmonendispersion quantitativ bestimmbar. Ziel ist ferner, geschlossene Silber- und Molybdänschichten auf Saphir-Unterlagen herzustellen, den Einfluß der Körnigkeit solcher Metallschichten auf das Plasmonenspektrum zu ergründen sowie den erwarteten signifikanten Einfluß der Ober- und Grenzflächenmorphologie auf elektrischen Transport und elektronische Anregungen zu quantifizieren.