トンネル磁気抵抗変調型強磁性単電子トランジスタメモリー技術の研究開発

隧道磁阻调制铁磁单电子晶体管存储技术的研发

基本信息

  • 批准号:
    16681011
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 15.23万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
  • 财政年份:
    2004
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2004 至 2007
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

本研究課題では、以下の2テーマを目的としている。(1)様々なゲート構造を有する強磁性単電子トランジスタの作製技術を確立し、素子特性のより詳細な検討を行い、基本3端子素子としての基礎特性を把握する。(2)ゲート電極にRC直列回路を有するRC結合型強磁性単電子トランジスタを用いたメモリー素子を作製し、電荷と磁気(スピン)を記憶量とする新しいメモリー素子技術の研究開発を行う。繰越年度(平成19年度)では、前年度に明らかとなったNi系プレナー型強磁性トンネル接合における低温下での100%を越える磁気抵抗効果の発現現象を検討するため、接合の強磁性電極構造と磁化配列状態の関係をマイクロマグネティクスシミュレーションにより計算した。これより、プレナー型の強磁性トンネル接合では、安定な磁気抵抗特性の発現及び制御には最適な強磁性電極形状が存在することが明らかとなった。特に、反平行磁化配列状態の維持には電極形状のアスペクト比や電極の形成位置が重要であることが明らかとなった。更に、このプレナー型強磁性トンネル接合を用いて、強磁性単電子トランジスタの作製を行った。エレクトロマイグレーションを応用した簡便なナノデバイス作製プロセスを新たに開発し、Ni系容量結合型デバイスを作製した。デバイスサイズの精密な制御により、室温において非常に安定な素子動作特性を達成した。これより、強磁性単電子トランジスタの振る舞いに関する特徴的な知見を得ることが出来、今後の研究展開に向けての素子特性の着実な理解と電気的・磁気的特性の把握に成功した。
The purpose of this study is to discuss the following two topics. The main results are as follows: (1) in the system, there are high-intensity magnetic devices, electronic devices, and so on. (2) in the in-line circuit of cathode RC, there is a combination of RC and strong magnetic electronics. in-line circuits are designed for use in the in-line circuit of RC combined strong magnetic electronics. in-line loops are available in the in-line loop of RC-combined strong magnetic electrons. During the year (Pingcheng 19) and the previous year, it is clear that there is a high intensity of magnetic resistance in the last year (Pingcheng 19) and the previous year. In the last year (Pingcheng 19), the year before and the year before last year (Pingcheng 19), the year before and the year before last year (Pingcheng 19) and the previous year, the results show that there is an increase in magnetic resistance at low temperature at low temperature. The characteristics of the bonding and the stability of the magnetic field, and the existence of the most powerful magnetic electrode shape in the system. The configuration of special and anti-parallel magnetization maintains the shape of the cathode. The formation position of the cathode is more important than that of the cathode. The new type of strong magnetic equipment is used in the joint of the steel and the strong magnetic field. This is the most important thing to do so. Do not use the same information to make the new information, and the capacity of the Ni system is combined with the system. The precision control system and room temperature temperature control system are very stable and the operation characteristics are very good. In order to understand the characteristics of the magnets, it is necessary to understand the characteristics of the magnets in order to understand the characteristics of the magnets.

项目成果

期刊论文数量(15)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Control of Tunnel Resistance of Nanogaps by Field-Emission-lnduced Electromigration
通过场发射诱导电迁移控制纳米间隙的隧道电阻
  • DOI:
  • 发表时间:
    2007
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    S. Kayashima;K. Takahashi;M. Motoyama and J. Shirakashi
  • 通讯作者:
    M. Motoyama and J. Shirakashi
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  • DOI:
  • 发表时间:
    2005
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    G.Watanabe;S.Koizumi;K.Watanabe;T.Yamada;Y.Takemura;J.Shirakashi
  • 通讯作者:
    J.Shirakashi
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  • DOI:
  • 发表时间:
    2005
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Y.Takemura;J.Shirakashi (Invited)
  • 通讯作者:
    J.Shirakashi (Invited)
Finite-Element Capacitance Calculation and Spin-dependent Transport Modeling of Double Magnetic Tunnel Junctions
双磁隧道结的有限元电容计算和自旋相关输运建模
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  • 资助金额:
    $ 15.23万
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