バイオミメティック微細構造化による高効率エレクトロクロミック薄膜の開発
バイオミメティック微細構造化による高効率エレクトロクロミック薄膜の開発
批准号:
16686039
负责人:
井上 泰志
金额:
$16.72万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
财政年份:
2004
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2004 至 2006
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英文摘要
本年度は,以下の3つの研究成果を得た.(1)平成16年度に,設備備品として導入した活性窒素源および真空チャンバーを用いて,活性窒素支援斜め堆積蒸着法による,微細構造化多結晶窒化インジウム薄膜の堆積に成功した.平成17年度に達成した,0.2Paの圧力条件より,さらに低い0.04Paにおける多結晶窒化インジウム薄膜の堆積に成功した.そこで,基板傾斜角85度の斜め堆積法を適用した結果,従来より飛躍的に微細構造制御性が高まり,膜の空隙率は80%を超え,Zigzag状構造における窒化インジウムナノロッドの傾き58度を得た.(2)0.04Paの低圧力下で活性窒素支援斜め堆積蒸着された窒化インジウム薄膜のエレクトロクロミック特性を評価した.その結果,Zigzag状構造の膜において,吸収係数変化量が最大5×10^4cm^<-1>と,これまでで最大の色変化量を達成した.応答特性として,透明導電膜をコートした基板上に堆積した膜において,着色側,消色側ともに,0.4s以内の色変化時間を示した.(3)斜め堆積反応性イオンプレーティング法において,インジウムとガリウムの2元蒸発源を用いることにより,窒化インジウムガリウム薄膜を作製した.この膜は,窒化インジウムと同様のエレクトロクロミック特性を示したが,光学ギャップが窒化インジウムより広く,それに伴って,色変化を起こす波長領域が紫外側ヘシフトすることを発見した.
期刊论文(3)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
DOI:
10.1116/1.1776184
发表时间:
2004-09-01
期刊:
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A
影响因子:
2.9
作者:
[Ohta, R, Saito, N, Takai, O]
通讯作者:
Takai, O
斜め堆積スパッタ法により作製したInN薄膜のエレクトロクロミック現象の応答特性
倾斜沉积溅射法制备InN薄膜电致变色现象的响应特性
DOI:
--
发表时间:
2006
期刊:
表面技術 57巻・6号
影响因子:
--
作者:
[山崎純一, 倉永知英, 鷹羽秀隆, 齋藤永宏, 井上泰志, 高井 治]
通讯作者:
高井 治
Behavior of Various Organosilicon Molecules in PECVD Processes for Hydrocarbon-doped Silicon Oxide Films
碳氢化合物掺杂氧化硅薄膜 PECVD 工艺中各种有机硅分子的行为
DOI:
--
发表时间:
2007
期刊:
Solid State Phenomena (印刷中)
影响因子:
--
作者:
[Y.S.Yun, T.Yoshida, N.Shimazu, Y.Inoue, N.Saito, O.Takai]
通讯作者:
O.Takai
酸化シリコン薄膜の室温CVDにおけるシラノール基脱水縮合促進法の開発
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批准号:12750637
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$1.34万
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财政年份:2000
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负责人:井上 泰志
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依托单位:
高純度酸化シリコン薄膜の低温成膜メカニズム解析と室温合成プロセスの開発
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批准号:10750524
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$1.15万
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财政年份:1998
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负责人:井上 泰志
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依托单位:
反応性プラズマプロセスにより作製した窒化スズ薄膜の結晶構造解析
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批准号:08750855
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.64万
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财政年份:1996
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负责人:井上 泰志
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依托单位:
反応性プラズマプロセスにより作製した窒化スズ薄膜の物性評価
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批准号:06750027
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.58万
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财政年份:1994
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负责人:井上 泰志
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依托单位:
海外基金