Studies on epitaxial growth of GaAsN by controlling the surface steps
控制表面台阶的GaAsN外延生长研究
基本信息
- 批准号:18560017
- 负责人:
- 金额:$ 2.62万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份:2006
- 资助国家:日本
- 起止时间:2006 至 2008
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
将来の高効率太陽電池実現のために必要な材料であるInGaNAs系材料の高品質化を目的として研究を行った.結晶成長中における表面反応の制御、具体的には、ステップ密度やステップ端原子などを制御する、あるいは、ガス供給の仕方の(断続供給など)や光照射による表面での成膜種の拡散を促進することが、結晶中の不純物濃度低減ならびに窒素起因の欠陥濃度の減少に有効であることが明らかになり、結晶の高品質化が可能となった.
High efficiency solar cells in the future need materials for high quality research. Control of surface reflection during crystal growth, control of specific conditions, density of atoms, supply of ions, promotion of dispersion of film-forming species on the surface under light irradiation, reduction of impurity concentration in crystals, reduction of impurity concentration due to impurity deficiency, and possibility of high quality crystallization.
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Carbon Reduction in GaAsN Thin Films by Flow-Rate-Modulated Chemical Beam Epitaxy
通过流量调制化学束外延减少 GaAsN 薄膜中的碳
- DOI:
- 发表时间:2008
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:K. Nishimura;H. Suzuki;K. Saito;Y. Ohshita;N. Kojima;and M. Yamaguchi;H. Suzuki;K. Nishiumura;K. Nishimura
- 通讯作者:K. Nishimura
THE EFFECT OF RESIDUAL IMPURITIES ON ACCEPTOR CONCENTRATION IN GAASN FILMS GROWN BY CHEMICAL BEAM EPITAXY
残余杂质对化学束外延生长GAASN薄膜受主浓度的影响
- DOI:
- 发表时间:2007
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:H. Suzuki;K. Nishimura;T. Hashiguchi;Y. Ohshita;N. Kojima;and M. Yamaguchi;K. Nishimura
- 通讯作者:K. Nishimura
Carbon reduction of in GaAsN thin films by flow-rate modulated chemical beamepitaxy
通过流量调制化学束外延减少 GaAsN 薄膜中的碳
- DOI:
- 发表时间:2008
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:K. Nishimura;H. Suzuki;K. Saito;Y. Ohshita;N. Kojima;and M. Yamaguchi
- 通讯作者:and M. Yamaguchi
Hydrogen reduction in GaAsN thin films by flow-rate modulated epitaxy
通过流量调制外延在 GaAsN 薄膜中进行氢还原
- DOI:
- 发表时间:2007
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:H. Suzuki;K. Nishimura;H. S. Lee;Y. Ohshita;and M. Yamaguchi;K.Saito
- 通讯作者:K.Saito
Carbonincorporation process in GaAsN films grown by chemical beam epitaxy using MMH or DMH as N precursor
使用 MMH 或 DMH 作为 N 前体通过化学束外延生长的 GaAsN 薄膜中的碳掺入过程
- DOI:
- 发表时间:2007
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:H. Suzuki;K. Nishimura;H. S. Lee;Y. Ohshita;and M. Yamaguchi
- 通讯作者:and M. Yamaguchi
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Energy strage as OH in molecules using poly-silnane catalyst
使用聚硅烷催化剂的分子中的 OH 能量存储
- 批准号:
23560346 - 财政年份:2011
- 资助金额:
$ 2.62万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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- 批准号:
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- 资助金额:
$ 2.62万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)