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Studies on epitaxial growth of GaAsN by controlling the surface steps

Studies on epitaxial growth of GaAsN by controlling the surface steps
控制表面台阶的GaAsN外延生长研究
批准号：
18560017
负责人：
OHSHITA Yoshio
金额：
$2.62万
依托单位：
Toyota Technological Institute
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2006
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2006 至 2008
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-18560017/
关键词：
電子デバイス電子・電気材料半導体物性結晶成長太陽電池

项目摘要

项目成果

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英文摘要
将来の高効率太陽電池実現のために必要な材料であるInGaNAs系材料の高品質化を目的として研究を行った.結晶成長中における表面反応の制御、具体的には、ステップ密度やステップ端原子などを制御する、あるいは、ガス供給の仕方の(断続供給など)や光照射による表面での成膜種の拡散を促進することが、結晶中の不純物濃度低減ならびに窒素起因の欠陥濃度の減少に有効であることが明らかになり、結晶の高品質化が可能となった.
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会议论文
Carbon Reduction in GaAsN Thin Films by Flow-Rate-Modulated Chemical Beam Epitaxy
通过流量调制化学束外延减少 GaAsN 薄膜中的碳
DOI： --
发表时间： 2008
期刊： Jpn. J. Appl. Phys. 47
影响因子： --
作者： [K. Nishimura, H. Suzuki, K. Saito, Y. Ohshita, N. Kojima, and M. Yamaguchi, H. Suzuki, K. Nishiumura, K. Nishimura]
通讯作者： K. Nishimura
THE EFFECT OF RESIDUAL IMPURITIES ON ACCEPTOR CONCENTRATION IN GAASN FILMS GROWN BY CHEMICAL BEAM EPITAXY
残余杂质对化学束外延生长GAASN薄膜受主浓度的影响
DOI： --
发表时间： 2007
期刊：
影响因子： --
作者： [H. Suzuki, K. Nishimura, T. Hashiguchi, Y. Ohshita, N. Kojima, and M. Yamaguchi, K. Nishimura]
通讯作者： K. Nishimura
Carbon reduction of in GaAsN thin films by flow-rate modulated chemical beamepitaxy
通过流量调制化学束外延减少 GaAsN 薄膜中的碳
DOI： --
发表时间： 2008
期刊： 47巻
影响因子： --
作者： [K. Nishimura, H. Suzuki, K. Saito, Y. Ohshita, N. Kojima, and M. Yamaguchi]
通讯作者： and M. Yamaguchi
Hydrogen reduction in GaAsN thin films by flow-rate modulated epitaxy
通过流量调制外延在 GaAsN 薄膜中进行氢还原
DOI： --
发表时间： 2007
期刊： Thin Solid Films (In press)
影响因子： --
作者： [H. Suzuki, K. Nishimura, H. S. Lee, Y. Ohshita, and M. Yamaguchi, K.Saito]
通讯作者： K.Saito
共 10 条
    Energy strage as OH in molecules using poly-silnane catalyst
    • 批准号：
      23560346
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $3.33万
    • 财政年份：
      2011
    • 负责人：
      OHSHITA Yoshio
    • 依托单位：
      Toyota Technological Institute
    Studies on effects of pulse-light irradiation on InGaAsN crystal growth for super high efficiency solar cells
    • 批准号：
      15560283
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $2.37万
    • 财政年份：
      2003
    • 负责人：
      OHSHITA Yoshio
    • 依托单位：
      TOYOTA TECHNOLOGICAL INSTITUTE