Metal gate materials exploration for future CMOS Technology

未来CMOS技术的金属栅材料探索

• 批准号: 18560298
• 负责人: AHMET Parhat
• 金额: $ 2.58万
• 依托单位: Tokyo Institute of Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2006
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2006 至 2008
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-18560298/
• 关键词: 高誘電率絶縁膜; 希土類酸化物; メタルゲート; 電極材料; ランタンオキサイド; トランジスタ; La203; 仕事関数; CMOS; MOSキャパシタ; La_2O_3

CMOS 集積回路の微細化のためその絶縁膜に高誘電率絶縁膜用いられるようになりつつある。最近の研究結果からランタンオクサイドなどの希土類酸化物は次世代高誘電率絶縁膜としてもっとも有望であることが示され、ランタンオクサイドをCMOS集積回路技術用に導入するために必要となる電極材料の開発が急務となった。本研究では、希土類酸化物ランタンオクサイドを用いる次世代CMOS技術のためのメタルゲート材料の研究開発を行った。

The micronization of CMOS integrated circuits is achieved by using insulating films with high dielectric constants. Recent research results show that rare earth acid compounds and next-generation high dielectric constant insulating films are expected to be used. It is necessary to introduce the necessary and necessary electrode materials for CMOS integrated circuit technology. This research is based on the research and development of next-generation CMOS technology for rare earth acid compounds, ランタンオクサイドを, based on いる next-generation CMOS technology.

项目成果

La-based oxides for High-k Gate Dielectric Application

用于高 k 栅极电介质应用的 La 基氧化物

• 发表时间: 2006
• 作者: P. Ahmet;K. Kakushima;K. Tsutsui;N. Sugii;T. Hattori;H. Iwai
• 通讯作者: H. Iwai

Electrical characteristics of MOSFETs with La2O3/Y2O3 gate stack

La2O3/Y2O3 栅极堆叠 MOSFET 的电气特性

• 发表时间: 2008
• 期刊: Microelectronics Reliability 48
• 作者: P. Ahmet;K. Nakagawa;K. Kakushima;H. Nohira;K. Tsutsui;N. Sugii;T. Hattori;H. Iwai
• 通讯作者: H. Iwai

半導体装置及びコンデンサ

半导体器件和电容器

• 发表时间: 2007