Metal gate materials exploration for future CMOS Technology
Metal gate materials exploration for future CMOS Technology
未来CMOS技术的金属栅材料探索
批准号：
18560298
负责人：
AHMET Parhat
金额：
$2.58万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2006
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2006 至 2008
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英文摘要
CMOS 集積回路の微細化のためその絶縁膜に高誘電率絶縁膜用いられるようになりつつある。最近の研究結果からランタンオクサイドなどの希土類酸化物は次世代高誘電率絶縁膜としてもっとも有望であることが示され、ランタンオクサイドをCMOS集積回路技術用に導入するために必要となる電極材料の開発が急務となった。本研究では、希土類酸化物ランタンオクサイドを用いる次世代CMOS技術のためのメタルゲート材料の研究開発を行った。
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会议论文
La-based oxides for High-k Gate Dielectric Application
用于高 k 栅极电介质应用的 La 基氧化物
用于高 k 栅极电介质应用的 La 基氧化物
DOI：
--
发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
--
作者：
[P. Ahmet, K. Kakushima, K. Tsutsui, N. Sugii, T. Hattori, H. Iwai]
通讯作者：
H. Iwai
Electrical characteristics of MOSFETs with La2O3/Y2O3 gate stack
La2O3/Y2O3 栅极堆叠 MOSFET 的电气特性
La2O3/Y2O3 栅极堆叠 MOSFET 的电气特性
DOI：
--
发表时间：
2008
期刊：
Microelectronics Reliability 48
影响因子：
--
作者：
[P. Ahmet, K. Nakagawa, K. Kakushima, H. Nohira, K. Tsutsui, N. Sugii, T. Hattori, H. Iwai]
通讯作者：
H. Iwai
半導体装置及びコンデンサ
半导体器件和电容器
半导体器件和电容器
DOI：
--
发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
海外基金
